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    Elektronische Vorrichtung, die ein einen Hohlraum umfassendes Umverdrahtungsschicht-Pad umfasst
    1.
    发明专利
    Elektronische Vorrichtung, die ein einen Hohlraum umfassendes Umverdrahtungsschicht-Pad umfasst 未知

    公开(公告)号：DE102017210654B4

    公开(公告)日：2022-06-09

    申请号：DE102017210654

    申请日：2017-06-23

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： FEHLER ROBERT ,  HAUBNER GERHARD ,  HARTNER WALTER ,  NIESSNER MARTIN RICHARD ,  GEISSLER CHRISTIAN ,  ARCIONI FRANCESCA ,  WOJNOWSKI MACIEJ ,  MEYER THORSTEN

    IPC: H01L23/48 ,  H01L21/60 ,  H01L23/32

    Abstract: Halbleitervorrichtung, die Folgendes umfasst:ein Substrat (26);eine erste dielektrische Schicht (25), die auf dem Substrat (26) angeordnet ist;ein erstes Metallschicht-Pad (23.1), das auf der ersten dielektrischen Schicht (25) angeordnet ist;eine zweite dielektrische Schicht (24), die auf dem ersten Metallschicht-Pad (23.1) und auf der ersten dielektrischen Schicht (25) angeordnet ist, wobei die zweite dielektrische Schicht (24) eine Öffnung umfasst;ein zweites Metallschicht-Pad (22), das auf dem ersten Metallschicht-Pad (23.1) in der Öffnung der zweiten dielektrischen Schicht (24) angeordnet ist;eine Lotkugel (21), die auf dem zweiten Metallschicht-Pad (22) angeordnet ist;eine Umverdrahtungsleitung (23.3), wobei das erste Metallschicht-Pad (23.1) ein Umverdrahtungs-Pad ist und ein Teil der Umverdrahtungsleitung (23.3) oder integral mit dieser ist;wobei das erste Metallschicht-Pad (23.1) wenigstens einen Hohlraum (23.11, 33.11, 43.11, 53.11) umfasst, wobei der Hohlraum (23.11, 33.11, 43.11, 53.11) wenigstens teilweise lateral außerhalb des zweiten Metallschicht-Pads (22) angeordnet ist und wobei der Hohlraum (23.11, 33.11, 43.11, 53.11) als ein Schlitz gebildet ist, wobei der Schlitz eine längliche Form umfasst, die entlang eines kreisförmigen Bogensegments angeordnet ist,wobei der wenigstens eine Hohlraum (23.11, 33.11, 43.11, 53.11) derart gebildet und angeordnet ist, dass ein innerer Teil des ersten Metallschicht-Pads (23.1) durch zwei Torsionsfedern oder durch eine Auslegerfeder aufgehängt ist, undwobei das Substrat (26) einen Halbleiter-Die umfasst, der Halbleiter-Die ein Kontakt-Pad umfasst und das Kontakt-Pad mittels der Umverdrahtungsleitung (23.3) wenigstens teilweise mit dem ersten Metallschicht-Pad (23.1) verbunden ist.

    Halbleitervorrichtungen mit Aussparungen in einem Verkapselungsmaterial und zugehörige Herstellungsverfahren
    5.
    发明专利
    Halbleitervorrichtungen mit Aussparungen in einem Verkapselungsmaterial und zugehörige Herstellungsverfahren 未知

    公开(公告)号：DE102019112940B4

    公开(公告)日：2022-09-29

    申请号：DE102019112940

    申请日：2019-05-16

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： GEISSLER CHRISTIAN ,  WAECHTER CLAUS VON ,  HARTNER WALTER ,  WOJNOWSKI MACIEJ

    IPC: H01L21/56 ,  H01L21/60 ,  H01L23/31

    Abstract: Verfahren, umfassend:Bereitstellen zumindest einer Halbleiterkomponente (2), wobei jede der zumindest einen Halbleiterkomponente (2) umfasst:einen Halbleiterchip (4), wobei der Halbleiterchip (4) eine erste Hauptoberfläche und eine der ersten Hauptoberfläche gegenüberliegende zweite Hauptoberfläche umfasst, undein über der gegenüberliegenden zweiten Hauptoberfläche des Halbleiterchips (4) angeordnetes Opfermaterial (10) ;Verkapseln der zumindest einen Halbleiterkomponente (2) mit einem Verkapselungsmaterial (12), wobei nach dem Verkapseln der zumindest einen Halbleiterkomponente (2) eine Hauptoberfläche des Verkapselungsmaterials (12) und die erste Hauptoberfläche des zumindest einen Halbleiterchips (4) in einer gemeinsamen Ebene liegen;Ausbilden einer Umverdrahtungsschicht (38) über der ersten Hauptoberfläche des zumindest einen Halbleiterchips (4) und der Hauptoberfläche des Verkapselungsmaterials (12);Entfernen des Opfermaterials (10), wobei über jedem des zumindest einen Halbleiterchips (4) eine Aussparung (14) in dem Verkapselungsmaterial (12) ausgebildet wird; undAnordnen zumindest eines Deckels (16) über der zumindest einen Aussparung (14), wobei durch die zumindest eine Aussparung (14) und den zumindest einen Deckel (16) über jedem des zumindest einen Halbleiterchips (4) ein geschlossener Hohlraum (18) ausgebildet wird.

    HALBLEITERVORRICHTUNG MIT EINER IN EINER UMVERTEILUNGSSCHICHT AUSGEBILDETEN PASSIVEN KOMPONENTE
    6.
    发明专利
    HALBLEITERVORRICHTUNG MIT EINER IN EINER UMVERTEILUNGSSCHICHT AUSGEBILDETEN PASSIVEN KOMPONENTE 未知

    公开(公告)号：DE102016105096B4

    公开(公告)日：2021-05-27

    申请号：DE102016105096

    申请日：2016-03-18

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： WOJNOWSKI MACIEJ ,  DAECHE FRANK ,  UMAR ZEESHAN

    IPC: H01L23/485 ,  H01L27/06

    Abstract: Vorrichtung, umfassend:einen Halbleiterchip (10);eine Vielzahl von ebenen Metallisierungsschichten (12), die über einer Hauptfläche des Halbleiterchips (10) angeordnet sind;eine Vielzahl von zweiten ebenen Metallisierungsschichten (40), die neben einer Seitenfläche des Halbleiterchips (10) angeordnet sind; undeine passive Komponente (16), umfassend:Wicklungen, wobei jede der Wicklungen in einer der Vielzahl von ebenen Metallisierungsschichten (12) ausgebildet ist, undzweite Wicklungen, die mit den Wicklungen elektrisch gekoppelt sind, wobei jede der zweiten Wicklungen in einer der Vielzahl von zweiten ebenen Metallisierungsschichten (40) ausgebildet ist, wobei die zweiten Wicklungen den Halbleiterchip (10) umgeben.

    Chip-Gehäuse
    8.
    发明专利
    Chip-Gehäuse 未知

    公开(公告)号：DE102013108075B4

    公开(公告)日：2021-01-28

    申请号：DE102013108075

    申请日：2013-07-29

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： BAUER MICHAEL ,  GEITNER OTTMAR ,  HARTNER WALTER ,  STÜCKJÜRGEN ANDREAS ,  WACHTER ULRICH ,  WOJNOWSKI MACIEJ

    IPC: H01L23/498 ,  H01L21/50 ,  H01L21/58 ,  H01L21/60 ,  H01L23/28 ,  H01L25/16

    Abstract: Chip-Gehäuse (210), aufweisend:einen Chip (102), der zumindest ein auf einer Chip-Vorderseite (106) gebildetes Kontaktpad (104) aufweist,wobei der Chip (102) eine Chip-Rückseiten-Metallisierungsschicht (238) auf einer Chip-Rückseite (122) aufweist;ein Vergussmaterial (108), das den Chip (102) zumindest teilweise umgibt und das zumindest eine Kontaktpad (104) bedeckt; undzumindest eine durch das Vergussmaterial (108) hindurch gebildete elektrische Verbindung (112),wobei die zumindest eine elektrische Verbindung (112) eingerichtet ist, das zumindest eine Kontaktpad (104) von einer ersten Seite (114) des Chip-Gehäuses (210) an der Chip-Vorderseite (106) zu zumindest einer, über einer zweiten Seite (118) des Chip-Gehäuses (210) gebildeten ersten Lötstruktur (116) elektrisch umzuleiten, wobei die zweite Seite des Chip-Gehäuses (210) an der Chip-Rückseite gebildet ist;ferner aufweisend zumindest zwei weitere Lötstrukturen (244) über der Chip-Rückseite (122) auf der zweiten Seite (118) des Chip-Gehäuses (210), wobei die Chip-Rückseiten-Metallisierungsschicht (238) die zumindest zwei weiteren Lötstrukturen (244) elektrisch miteinander verbindet.

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