公开(公告)号：DE102020130617B4

公开(公告)日：2025-03-06

申请号：DE102020130617

申请日：2020-11-19

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： MEYER THORSTEN ,  GRUBER MARTIN ,  SCHARF THORSTEN

IPC: H01L23/538 ,  H01L21/60 ,  H01L23/31 ,  H01L23/482 ,  H01L23/495 ,  H01L25/16

Abstract: Halbleiterpackage, umfassend:einen Nicht-Leistungschip (2), der einen ersten elektrischen Kontakt (4) umfasst, der bei einer ersten Hauptoberfläche des Nicht-Leistungschips (2) angeordnet ist;einen Leistungschip (8), der einen zweiten elektrischen Kontakt (10) umfasst, der bei einer zweiten Hauptoberfläche des Leistungschips (8) angeordnet ist;eine erste elektrische Umverteilungsschicht (14), wobei die erste elektrische Umverteilungsschicht (14) dazu ausgelegt ist, eine elektrische Kopplung zwischen dem ersten elektrischen Kontakt (4) und einem ersten externen elektrischen Kontakt (16) des Halbleiterpackages bereitzustellen; undeine zweite elektrische Umverteilungsschicht (18), wobei die zweite elektrische Umverteilungsschicht (18) dazu ausgelegt ist, eine elektrische Kopplung zwischen dem zweiten elektrischen Kontakt (10) und einem zweiten externen elektrischen Kontakt (20) des Halbleiterpackages bereitzustellen,wobei die zweite elektrische Umverteilungsschicht (18) eines von einem Anschlussleiter (50) eines Leiterrahmens (48), einem Sockel (54) eines strukturierten Metallblatts (52), einer leitfähigen Säule (70) umfasst,wobei, wenn in einer ersten Richtung senkrecht zu mindestens einer von der ersten Hauptoberfläche oder der zweiten Hauptoberfläche gemessen, eine maximale Dicke von mindestens einem Abschnitt der ersten elektrischen Umverteilungsschicht (14) kleiner ist als eine maximale Dicke der zweiten elektrischen Umverteilungsschicht (18), undwobei die zweite Hauptoberfläche dem zweiten externen elektrischen Kontakt (20) zugewandt ist.

公开(公告)号：DE102019127791B4

公开(公告)日：2022-09-01

申请号：DE102019127791

申请日：2019-10-15

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： SINGER FRANK ,  GRUBER MARTIN ,  MEYER THORSTEN ,  SCHARF THORSTEN ,  STROBEL PETER ,  WOETZEL STEFAN

IPC: H01L23/31 ,  H01L21/302 ,  H01L21/56

Abstract: Ein Package (100), wobei das Package (100) aufweist:• ein Substrat (102) mit mindestens einer ersten Aussparung (104) an einer Vorderseite (106) und mindestens einer zweiten Aussparung (108) an einer Rückseite (110), wobei das Substrat (102) durch die mindestens eine erste Aussparung (104) und die mindestens eine zweite Aussparung (108) in eine Mehrzahl separater Substratabschnitte (112) separiert ist;• ein elektronisches Bauteil (114), das an der Vorderseite (106) des Substrats (102) montiert ist; und• ein einziges Verkapselungsmittel (124), das mindestens einen Teil der mindestens einen ersten Aussparung (104) und mindestens einen Teil der mindestens einen zweiten Aussparung (108) füllt;• wobei das Verkapselungsmittel (124) Seitenwände (130) von mindestens einem der Substratabschnitte (112) entlang mindestens eines Teils einer vertikalen Erstreckung (D) des besagten mindestens einen Substratabschnitts (112) vollumfänglich umgibt, ohne durch den besagten mindestens einen Substratabschnitt (112) entlang einer gesamten vertikalen Erstreckung (d) unterbrochen zu werden, über welche hinweg das Verkapselungsmittel (124) den besagten mindestens einen Substratabschnitt (112) umgibt;• wobei das Package (100) eine Verbindungsstruktur (116) aufweist, welche die elektronische Komponente (114) mit zumindest zwei der separaten Substratabschnitte (112) verbindet und die zumindest zwei Substratabschnitte (112) zusammenhält.

公开(公告)号：DE102018115509A1

公开(公告)日：2020-01-02

申请号：DE102018115509

申请日：2018-06-27

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： OTREMBA RALF ,  ESCHER-POEPPEL IRMGARD ,  GRUBER MARTIN ,  JUERSS MICHAEL ,  SCHARF THORSTEN

IPC: H01L23/367 ,  H01L23/28 ,  H01L23/373

Abstract: Eine Wärmedissipationsvorrichtung (100) weist einen ersten Teil (104) auf, welcher ein erstes Material aufweist und einen Oberflächenbereich (108) hat; und einen zweiten Teil (110) auf dem Oberflächenbereich, wobei der zweite Teil ein zweites Material aufweist; wobei der zweite Teil (110) eine Porosität hat.

公开(公告)号：DE10216841A1

公开(公告)日：2003-11-13

申请号：DE10216841

申请日：2002-04-16

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： MUENCH THOMAS ,  GRUBER MARTIN ,  GRUENDL ANDREAS

IPC: G06K19/073 ,  G06K19/077 ,  H01L23/58 ,  H01L23/60 ,  H01L23/552 ,  H01L25/065

公开(公告)号：DE102020101098A1

公开(公告)日：2021-07-22

申请号：DE102020101098

申请日：2020-01-17

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BOEHM MARCUS ,  SCHINDLER UWE ,  SINGER FRANK ,  GRASSMANN ANDREAS ,  GRUBER MARTIN

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/495

Abstract: Package (100), das einen Träger (102), eine elektronische Komponente (104) auf dem Träger (102), eine Verkapselung (106), die mindestens einen Teil des Trägers (102) und der elektronischen Komponente (104) verkapselt, und mindestens eine Leitung (108) aufweist, die sich über die Verkapselung (106) hinaus erstreckt und eine gestanzte Oberfläche (130) aufweist, wobei mindestens ein Teil mindestens einer Seitenflanke (110) der Verkapselung (106) eine gesägte Textur (281) aufweist.

公开(公告)号：DE102016000264A1

公开(公告)日：2017-07-13

申请号：DE102016000264

申请日：2016-01-08

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： HABLE WOLFRAM ,  GRUBER MARTIN ,  HÖGERL JÜRGEN

IPC: H01L23/488 ,  H01L21/50 ,  H01L21/60 ,  H01L25/04 ,  H01L25/07

Abstract: Das Halbleiterchipgehäuse umfasst einen Träger, mehrere auf dem Träger angeordnete Halbleiterchips, eine oberhalb der Halbleiterchips angeordnete erste Verkapselungsschicht, eine oberhalb der ersten Verkapselungsschicht angeordnete Metallisierungsschicht, wobei die Metallisierungsschicht mehrere erste metallische Bereiche umfasst, die elektrische Verbindungen zwischen ausgewählten der Halbleiterchips bilden, eine oberhalb der Lötstoppschicht angeordnete zweite Verkapselungsschicht und mehrere externe Anschlüsse, wobei jeder der externen Anschlüsse mit einem der ersten metallischen Bereiche verbunden ist und sich auswärts durch eine Oberfläche der zweiten Verkapselungsschicht hindurch erstreckt.

公开(公告)号：DE102015118664A1

公开(公告)日：2017-05-04

申请号：DE102015118664

申请日：2015-10-30

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： HOHLFELD OLAF ,  BOENIG GUIDO ,  FUERGUT EDWARD ,  GRUBER MARTIN ,  ESCHER-PÖPPEL IRMGARD ,  MEYER THORSTEN

IPC: H01L21/60

Abstract: Zur Herstellung eines Leistungshalbleitermoduls wird ein Schaltungsträger (2) mit einem Halbleiterchip (1) und mit einem elektrisch leitenden Kontaktelement (3) bestückt. Nach dem Bestücken werden der Halbleiterchip (1) und das Kontaktelement (3) in eine dielektrische Einbettmasse (4) eingebettet, und das Kontaktelement (3) wird freigelegt. Außerdem wird eine elektrisch leitende Basisschicht (5) erzeugt, die das freigelegte Kontaktelement (3) elektrisch kontaktiert und die auf der Einbettmasse (4) und dem freigelegten Kontaktelement (3) aufliegt. Auf die Basisschicht (5) wird mittels einer elektrisch leitenden Verbindungsschicht (6) eine vorgefertigte Metallfolie (7) aufgebracht.

公开(公告)号：DE102015100991A1

公开(公告)日：2016-07-28

申请号：DE102015100991

申请日：2015-01-23

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： JOST FRANZ ,  WILLE HOLGER ,  GRUBER MARTIN

IPC: G01R15/20 ,  G01R19/00 ,  G01R33/09

Abstract: Eine Sensoranordnung ist geschaffen. Die Sensoranordnung kann wenigstens ein Sensorelement, das eine erste Seite und eine zweite Seite gegenüber der ersten Seite aufweist und zum Abfühlen eines Magnetfelds konfiguriert ist; und eine elektrisch leitfähige Leitung enthalten, wobei ein erster Abschnitt des elektrisch leitfähigen Leitung auf der ersten Seite des wenigstens einen Sensorelements angeordnet sein kann und ein zweiter Abschnitt der elektrisch leitfähigen Leitung auf der zweiten Seite des wenigstens einen Sensorelements auf eine Weise angeordnet sein kann, dass, falls ein Strom durch die elektrisch leitfähige Leitung fließt, der Strom in dem ersten Abschnitt eine erste Richtung und in dem zweiten Abschnitt eine zweite Richtung entgegengesetzt der ersten Richtung aufweist, so dass sich ein erstes Magnetfeld, das durch den Strom in dem ersten Abschnitt erzeugt wird, und ein zweites Magnetfeld, das durch den Strom in dem zweiten Abschnitt erzeugt wird, wenigstens teilweise an einem Abfühlabschnitt des wenigstens einen Sensorelements konstruktiv addieren können.

公开(公告)号：DE102016102155B4

公开(公告)日：2025-02-06

申请号：DE102016102155

申请日：2016-02-08

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： JORDAN STEFFEN ,  GRUBER MARTIN

IPC: H01L21/60 ,  H01L21/768 ,  H01L23/48 ,  H01L23/522

Abstract: Das Verfahren umfasst das Vorsehen mehrerer Elektronikbauelemente, Einbetten der Elektronikbauelemente in eine Kapselungsschicht, Ausbilden von Vias in der Kapselungsschicht, wobei sich die Vias von einer Hauptfläche der Kapselungsschicht zu den Elektronikbauelementen erstrecken, und Abscheiden einer metallischen Schicht auf der Kapselungsschicht einschließlich der Vias durch galvanisches Plattieren, wobei das Verfahren weiterhin das Vorsehen einer Stromverteilungsschicht zum Bewirken eines verteilten Wachstums des metallischen Materials während des galvanischen Plattierens umfasst.

公开(公告)号：DE102020130617A1

公开(公告)日：2022-05-19

申请号：DE102020130617

申请日：2020-11-19

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： MEYER THORSTEN ,  GRUBER MARTIN ,  SCHARF THORSTEN

IPC: H01L23/538 ,  H01L21/60 ,  H01L23/31 ,  H01L23/482 ,  H01L23/495 ,  H01L25/16

Abstract: Ein Halbleiterpackage beinhaltet einen Nicht-Leistungschip mit einem ersten elektrischen Kontakt, der bei einer ersten Hauptoberfläche des Nicht-Leistungschips angeordnet ist. Das Halbleiterpackage beinhaltet ferner einen Leistungschip mit einem zweiten elektrischen Kontakt, der bei einer zweiten Hauptoberfläche des Leistungschips angeordnet ist. Das Halbleiterpackage beinhaltet ferner eine erste elektrische Umverteilungsschicht, wobei die erste elektrische Umverteilungsschicht dazu ausgelegt ist, eine elektrische Kopplung zwischen dem ersten elektrischen Kontakt und einem ersten externen elektrischen Kontakt des Halbleiterpackages bereitzustellen. Das Halbleiterpackage beinhaltet ferner eine zweite elektrische Umverteilungsschicht, wobei die zweite elektrische Umverteilungsschicht dazu ausgelegt ist, eine elektrische Kopplung zwischen dem zweiten elektrischen Kontakt und einem zweiten externen elektrischen Kontakt des Halbleiterpackages bereitzustellen. Wenn in einer ersten Richtung senkrecht zu mindestens einer der ersten Hauptoberfläche oder der zweiten Hauptoberfläche gemessen, ist eine maximale Dicke von mindestens einem Abschnitt der ersten elektrischen Umverteilungsschicht kleiner als eine maximale Dicke der zweiten elektrischen Umverteilungsschicht.