公开(公告)号：DE102019105667A1

公开(公告)日：2020-09-10

申请号：DE102019105667

申请日：2019-03-06

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： PACHLER WALTHER ,  HOFFNER SIEGFRIED ,  RAMPETZREITER STEPHAN ,  ZOLLNER FRANZ

IPC: H04B5/02

Abstract: Gemäß einem Ausführungsbeispiel wird eine Booster-Antenneneinrichtung beschrieben, aufweisend einen Träger mit einem inneren beschränkten Bereich gemäß ISO/IEC 14443-Standard für Klasse-1-Antennen und einem äußerem Bereich, der zwischen dem inneren beschränkten Bereich und einem Rand des Trägers liegt und einer Antennenstruktur, welche aus einer elektrisch leitfähigen Leitung mit zwei Leitungsenden (108, 109) gebildet ist, wobei die Antennenstruktur aufweist: Eine erste Induktivität, die mindestens eine Windung aufweist und die in dem äußerem Bereich angeordnet ist, eine einen Koppelbereich zu einer Coil-on-Module-Einrichtung definierende zweite Induktivität, die mindestens eine Windung aufweist und die im Wesentlichen in dem inneren beschränkten Bereich angeordnet ist, und einen Kondensator, der teilweise in dem inneren beschränkten Bereich angeordnet ist. Die beiden Leitungsenden der Leitung der Antennenstruktur sind innerhalb der mindestens einen Windung der ersten Induktivität angeordnet.

公开(公告)号：DE102023128377A1

公开(公告)日：2025-04-17

申请号：DE102023128377

申请日：2023-10-17

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： MAHLER JOACHIM ,  STROBEL PETER ,  ZOLLNER FRANZ

IPC: H01L21/60 ,  H01L23/488

Abstract: Ein Verfahren zum Herstellen einer Chipstruktur wird bereitgestellt. Das Verfahren weist ein Anbringen eines Chips an einem Chipträger unter Verwendung einer Chipanbringungsschicht auf, wobei die Chipanbringungsschicht ein Metall mit einem ersten Schmelzpunkt aufweist, wobei der Chip eine Lötschicht aufweist und der Chipträger eine weitere Lötschicht aufweist, wobei die Lötschicht und/oder die weitere Lötschicht ein jeweiliges Lötmaterial mit einem zweiten Schmelzpunkt aufweist/aufweisen, der niedriger ist als der erste Schmelzpunkt, und das Bilden einer intermetallischen Phase zwischen dem Lötmaterial und dem Metall der Chipanbringungsschicht mittels Schmelzens des Lötmaterials mit dem zweiten Schmelzpunkt.

公开(公告)号：DE102017121897B4

公开(公告)日：2019-05-02

申请号：DE102017121897

申请日：2017-09-21

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： HOFFNER SIEGFRIED ,  PACHLER WALTHER ,  PUESCHNER FRANK ,  RAMPETZREITER STEPHAN ,  WITSCHNIG HARALD ,  ZOLLNER FRANZ

IPC: H01Q1/38 ,  G06K19/077

Abstract: In verschiedenen Ausführungsbeispielen wird ein Verfahren zum Herstellen einer Antennenstruktur bereitgestellt. Das Verfahren kann aufweisen ein Aufbringen einer Antenne auf einen Träger, ein Ausstanzen eines Teils des Trägers mit einem Teil der Antenne, so dass die Antenne unterbrochen ist zum Einstellen einer Resonanzfrequenz der Antenne, und ein Einfügen eines zu dem ausgestanzten Teil des Trägers formgleichen Elements in eine in dem Träger durch das Ausstanzen gebildete Durchgangsöffnung, wobei die Antenne elektrisch unterbrochen verbleibt

公开(公告)号：DE102017121897A1

公开(公告)日：2019-03-21

申请号：DE102017121897

申请日：2017-09-21

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： HOFFNER SIEGFRIED ,  PACHLER WALTHER ,  PUESCHNER FRANK ,  RAMPETZREITER STEPHAN ,  WITSCHNIG HARALD ,  ZOLLNER FRANZ

IPC: H01Q1/38 ,  G06K19/077

Abstract: In verschiedenen Ausführungsbeispielen wird ein Verfahren zum Herstellen einer Antennenstruktur bereitgestellt. Das Verfahren kann aufweisen ein Aufbringen einer Antenne auf einen Träger, ein Ausstanzen eines Teils des Trägers mit einem Teil der Antenne, so dass die Antenne unterbrochen ist zum Einstellen einer Resonanzfrequenz der Antenne, und ein Einfügen eines zu dem ausgestanzten Teil des Trägers formgleichen Elements in eine in dem Träger durch das Ausstanzen gebildete Durchgangsöffnung, wobei die Antenne elektrisch unterbrochen verbleibt