公开(公告)号：EP3084824A4

公开(公告)日：2017-08-16

申请号：EP13899411

申请日：2013-12-19

Applicant: INTEL CORP

Inventor： ALBERS SVEN ,  SKINNER MICHAEL ,  BARTH HANS-JOACHIM ,  BAUMGARTNER PETER ,  GOSSNER HARALD

IPC: H01L23/485 ,  H01L21/60 ,  H01L23/367 ,  H01L23/49 ,  H01L23/552 ,  H01L25/065 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L25/0652 ,  H01L23/367 ,  H01L23/3675 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/5227 ,  H01L23/552 ,  H01L23/562 ,  H01L23/564 ,  H01L23/66 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/17 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/81 ,  H01L24/85 ,  H01L25/065 ,  H01L25/0657 ,  H01L27/0207 ,  H01L29/0657 ,  H01L2223/6677 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/1319 ,  H01L2224/16105 ,  H01L2224/16113 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/481 ,  H01L2224/48106 ,  H01L2224/4813 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48145 ,  H01L2224/48225 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48482 ,  H01L2224/49 ,  H01L2224/73257 ,  H01L2224/81001 ,  H01L2224/81007 ,  H01L2224/8114 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2224/8185 ,  H01L2224/85801 ,  H01L2225/06506 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06551 ,  H01L2225/06589 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/19104 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00012

Abstract: Embodiments of a flexibly-wrapped integrated circuit die device and a method for mounting a flexibly-wrapped integrated circuit die to a substrate are disclosed. In some embodiments, the flexibly-wrapped integrated circuit die device includes a substrate and a flexible integrated circuit die coupled to the substrate in a substantially vertical orientation with reference to a surface of the substrate.

Abstract translation: 公开了柔性封装的集成电路管芯器件的实施例和用于将柔性封装的集成电路管芯安装到衬底的方法。 在一些实施例中，柔性封装的集成电路管芯器件包括衬底和柔性集成电路管芯，柔性集成电路管芯关于衬底的表面以基本垂直的方向耦合到衬底。

公开(公告)号：DE102023128338A1

公开(公告)日：2024-09-26

申请号：DE102023128338

申请日：2023-10-17

Applicant: INTEL CORP

Inventor： KAMGAING TELESPHOR ,  BAUMGARTNER PETER ,  CALLENDER STEVEN ,  GEIGER RICHARD ,  GOSSNER HARALD ,  JENSEN JONATHAN

IPC: H01L23/538 ,  H01L23/50 ,  H01L23/66 ,  H01L25/065 ,  H01L25/18

Abstract: Hierin sind elektronische Baugruppen, integrierte Schaltungs(IC)-Gehäuse und Kommunikationsvorrichtungen offenbart, die dreidimensionale Leistungskombinierer implementieren. Eine elektronische Baugruppe kann einen ersten Die, der eine erste Übertragungsleitung umfasst, und einen zweiten Die, der eine zweite Übertragungsleitung umfasst, beinhalten. Jeder Die beinhaltet eine erste Fläche und eine gegenüberliegende zweite Fläche, und der zweite Die ist über den ersten Die gestapelt, so dass die erste Fläche des zweiten Die mit der zweiten Fläche des ersten Die gekoppelt ist. Die elektronische Baugruppe beinhaltet ferner einen ersten leitfähigen Pfad zwischen einem Ende der ersten Übertragungsleitung und einem ersten Verbindungspunkt an der ersten Fläche des ersten Die, einen zweiten leitfähigen Pfad zwischen einem Ende der zweiten Übertragungsleitung und einem zweiten Verbindungspunkt an der ersten Fläche des ersten Die und einen dritten leitfähigen Pfad zwischen den anderen Enden der ersten und zweiten Übertragungsleitungen.

公开(公告)号：DE112017007912T5

公开(公告)日：2020-07-02

申请号：DE112017007912

申请日：2017-09-29

Applicant: INTEL CORP

Inventor： GOSSNER HARALD ,  BAUMGARTNER PETER ,  HODEL UWE ,  SIPRAK DOMAGOJ ,  LEUSCHNER STEPHAN ,  GEIGER RICHARD ,  THEN HAN WUI ,  RADOSAVLJEVIC MARKO ,  DASGUPTA SANSAPTAK

IPC: H01L29/861 ,  H01L29/51 ,  H01L29/66

Abstract: Vorgestellt ist eine Gruppe-III-Nitrid (III-N) Bauelementstruktur, umfassend: eine Heterostruktur, aufweisend drei oder mehr Schichten, die III-N-Material umfassen, eine Kathode, die Donator-Dotierstoffe umfasst, wobei die Kathode auf einer ersten Schicht der Heterostruktur ist; eine Anode innerhalb einer Aussparung, die sich durch zwei oder mehr der Schichten der Heterostruktur erstreckt, die Anode umfassend eine erste Region, wobei die Anode von der Heterostruktur durch ein High-k-Dielektrikum getrennt ist, und eine zweite Region, wobei die Anode in direktem Kontakt mit der Heterostruktur ist; und eine leitende Region in der ersten Schicht in direktem Kontakt mit der Kathode und leitfähig mit der Anode verbunden. Andere Ausführungsbeispiele sind auch offenbart und beansprucht.

公开(公告)号：DE102014116930A1

公开(公告)日：2015-06-25

申请号：DE102014116930

申请日：2014-11-19

Applicant: INTEL CORP

Inventor： ALBERS SVEN ,  SKINNER MICHAEL ,  BARTH HANS-JOACHIM ,  BAUMGARTNER PETER ,  GOSSNER HARALD

IPC: H01L25/065 ,  H01L21/58 ,  H01L21/60 ,  H01L23/12 ,  H01L25/16 ,  H01Q23/00

Abstract: Offenbart werden Ausführungsformen einer flexibel umwickelten integrierten Schaltkreismatritzen-Vorrichtung und ein Verfahren zur Montage eines flexibel umwickelten integrierten Schaltkreismatritze an einem Substrat. In einigen Ausführungsformen beinhaltet die flexibel umwickelte integrierte Schaltkreismatritzen-Vorrichtung ein Substrat und eine flexible integrierte Schaltkreismatritze, die in einer im Wesentlichen vertikalen Ausrichtung in Relation auf eine Substratoberfläche verbunden ist.

公开(公告)号：DE112017007894T5

公开(公告)日：2020-05-14

申请号：DE112017007894

申请日：2017-09-29

Applicant: INTEL CORP

Inventor： GOSSNER HARALD ,  BAUMGARTNER PETER ,  HODEL UWE ,  SIPRAK DOMAGOJ ,  LEUSCHNER STEPHAN ,  GEIGER RICHARD

IPC: H01L29/861 ,  H01L29/778 ,  H01L29/80

Abstract: Bereitgestellt wird eine Gruppe-III-Nitrid- (III-N-) Vorrichtungsstruktur, umfassend: eine Heterostruktur aufweisend drei oder mehr Schichten umfassend III-N-Material, einen n+-Anodenbereichs und eine Kathode umfassend Donator-Dotierstoffe, wobei der n+-Anodenbereich und die Kathode auf der ersten Schicht der Heterostruktur angeordnet sind und wobei sich der n+-Anodenbereich und die Kathode über die Heterostruktur hinaus erstrecken, und einen Anodenmetallbereich innerhalb einer Vertiefung, welche sich durch zwei oder mehr der Schichten erstreckt, wobei der Anodenmetallbereich mit der ersten Schicht in elektrischem Kontakt steht, wobei der Anodenmetallbereich eine erste Breite innerhalb der Vertiefung und eine zweite Breite über die Vertiefung hinaus umfasst, und wobei der Anodenmetallbereich mit dem n+-Anodenbereich gekoppelt ist. Auch andere Ausführungsformen werden offenbart und beansprucht.