GRUPPE-III-NITRID-ANTENNENDIODE
    1.
    发明专利

    公开(公告)号:DE112017007912T5

    公开(公告)日:2020-07-02

    申请号:DE112017007912

    申请日:2017-09-29

    Applicant: INTEL CORP

    Abstract: Vorgestellt ist eine Gruppe-III-Nitrid (III-N) Bauelementstruktur, umfassend: eine Heterostruktur, aufweisend drei oder mehr Schichten, die III-N-Material umfassen, eine Kathode, die Donator-Dotierstoffe umfasst, wobei die Kathode auf einer ersten Schicht der Heterostruktur ist; eine Anode innerhalb einer Aussparung, die sich durch zwei oder mehr der Schichten der Heterostruktur erstreckt, die Anode umfassend eine erste Region, wobei die Anode von der Heterostruktur durch ein High-k-Dielektrikum getrennt ist, und eine zweite Region, wobei die Anode in direktem Kontakt mit der Heterostruktur ist; und eine leitende Region in der ersten Schicht in direktem Kontakt mit der Kathode und leitfähig mit der Anode verbunden. Andere Ausführungsbeispiele sind auch offenbart und beansprucht.

    GRUPPE-III-NITRID-SILIZIUMGESTEUERTER GLEICHRICHTER

    公开(公告)号:DE112017007894T5

    公开(公告)日:2020-05-14

    申请号:DE112017007894

    申请日:2017-09-29

    Applicant: INTEL CORP

    Abstract: Bereitgestellt wird eine Gruppe-III-Nitrid- (III-N-) Vorrichtungsstruktur, umfassend: eine Heterostruktur aufweisend drei oder mehr Schichten umfassend III-N-Material, einen n+-Anodenbereichs und eine Kathode umfassend Donator-Dotierstoffe, wobei der n+-Anodenbereich und die Kathode auf der ersten Schicht der Heterostruktur angeordnet sind und wobei sich der n+-Anodenbereich und die Kathode über die Heterostruktur hinaus erstrecken, und einen Anodenmetallbereich innerhalb einer Vertiefung, welche sich durch zwei oder mehr der Schichten erstreckt, wobei der Anodenmetallbereich mit der ersten Schicht in elektrischem Kontakt steht, wobei der Anodenmetallbereich eine erste Breite innerhalb der Vertiefung und eine zweite Breite über die Vertiefung hinaus umfasst, und wobei der Anodenmetallbereich mit dem n+-Anodenbereich gekoppelt ist. Auch andere Ausführungsformen werden offenbart und beansprucht.

Patent Agency Ranking