公开(公告)号：DE112016007576T5

公开(公告)日：2019-09-19

申请号：DE112016007576

申请日：2016-12-29

Applicant: INTEL CORP

Inventor： MEHTA VIPUL VIJAY ,  LI ERIC JIN ,  GANESAN SANKA ,  MALLIK DEBENDRA ,  SANKMAN ROBERT LEON

IPC: H01L23/31 ,  H01L21/768 ,  H01L23/00 ,  H01L23/48 ,  H01L23/525

Abstract: Halbleitergehäuse und -Gehäuseanordnungen, die aktive Dies und externe Die-Befestigungen auf einem Siliziumwafer aufweisen, und Verfahren zur Fertigung solcher Halbleitergehäuse und -Gehäuseanordnungen sind beschrieben. Bei einem Beispiel umfasst eine Halbleitergehäuseanordnung ein Halbleitergehäuse, das einen aktiven Die aufweist, der durch einen ersten Löthöcker an einem Siliziumwafer angebracht ist. Ein zweiter Löthöcker ist auf dem Siliziumwafer lateral auswärts von dem aktiven Die, um eine Befestigung für einen externen Die bereitzustellen. Eine Epoxidschicht kann den aktiven Die umgeben und den Siliziumwafer abdecken. Ein Loch kann sich durch die Epoxidschicht über dem zweiten Löthöcker erstrecken, um den zweiten Löthöcker durch das Loch freizulegen. Dementsprechend kann ein externer Speicher-Die direkt mit dem zweiten Löthöcker auf dem Siliziumwafer durch das Loch verbunden sein.