公开(公告)号：DE102020117971A1

公开(公告)日：2021-02-11

申请号：DE102020117971

申请日：2020-07-08

Applicant: INTEL CORP

Inventor： SANKA GANESAN ,  MCCARTHY KEVIN ,  TRIBOLET LEIGH ,  DEBRENDA MALLIK ,  MAHAJAN RAVINDRANATH V ,  SANKMAN ROBERT LEON

IPC: H01L23/538 ,  H01L21/60 ,  H01L23/31 ,  H01L23/482 ,  H01L23/498 ,  H01L25/065

Abstract: Ausführungsbeispiele umfassen Halbleiter-Packages und Verfahren zum Bilden der Halbleiter-Packages. Ein Halbleiter-Package umfasst eine Brücke mit einer Hybridschicht auf einem High-Density Packaging- (HDP) Substrat, eine Mehrzahl von Dies über der Brücke und dem HDP-Substrat und eine Mehrzahl von Durch-Formmasse-Vias (TMVs) auf dem HDP-Substrat. Die Brücke ist zwischen die Dies und das HDP-Substrat gekoppelt. Die Brücke ist direkt mit zwei Dies der Dies mit der Hybridschicht gekoppelt, wobei sich eine obere Oberfläche der Hybridschicht der Brücke direkt auf unteren Oberflächen der Dies befindet und wobei sich eine untere Oberfläche der Brücke direkt auf einer oberen Oberfläche des HDP-Substrats befindet. Die TMVs koppeln das HDP-Substrat mit den Dies und weise eine Dicke auf, die im Wesentlichen gleich zu einer Dicke der Brücke ist. Die Hybridschicht umfasst leitfähige Anschlussflächen, ein Oberflächenfinish und/oder ein Dielektrikum.

公开(公告)号：DE112016007576T5

公开(公告)日：2019-09-19

申请号：DE112016007576

申请日：2016-12-29

Applicant: INTEL CORP

Inventor： MEHTA VIPUL VIJAY ,  LI ERIC JIN ,  GANESAN SANKA ,  MALLIK DEBENDRA ,  SANKMAN ROBERT LEON

IPC: H01L23/31 ,  H01L21/768 ,  H01L23/00 ,  H01L23/48 ,  H01L23/525

Abstract: Halbleitergehäuse und -Gehäuseanordnungen, die aktive Dies und externe Die-Befestigungen auf einem Siliziumwafer aufweisen, und Verfahren zur Fertigung solcher Halbleitergehäuse und -Gehäuseanordnungen sind beschrieben. Bei einem Beispiel umfasst eine Halbleitergehäuseanordnung ein Halbleitergehäuse, das einen aktiven Die aufweist, der durch einen ersten Löthöcker an einem Siliziumwafer angebracht ist. Ein zweiter Löthöcker ist auf dem Siliziumwafer lateral auswärts von dem aktiven Die, um eine Befestigung für einen externen Die bereitzustellen. Eine Epoxidschicht kann den aktiven Die umgeben und den Siliziumwafer abdecken. Ein Loch kann sich durch die Epoxidschicht über dem zweiten Löthöcker erstrecken, um den zweiten Löthöcker durch das Loch freizulegen. Dementsprechend kann ein externer Speicher-Die direkt mit dem zweiten Löthöcker auf dem Siliziumwafer durch das Loch verbunden sein.