公开(公告)号：DE102016102154A1

公开(公告)日：2016-09-15

申请号：DE102016102154

申请日：2016-02-08

Applicant: INTEL CORP

Inventor： JIANG HONGJIN ,  STARKSTON ROBERT ,  RAORANE DIGVIJAY A ,  JONES KEITH D ,  DHALL ASHISH ,  KARHADE OMKAR G ,  DHANE KEDAR ,  RAMALINGAM SURIYAKALA ,  WENG LI-SHENG ,  CHENEY ROBERT F ,  STOVER PATRICK N

IPC: H01L23/66 ,  H01L21/60 ,  H01L23/50 ,  H01L25/065

Abstract: Ein Gerät mit einem Gehäuse mit einem Chip und einem Gehäusesubstrat, wobei das Gehäusesubstrat einen Leiter; und einem Versteifungskörper, der mit dem Leiter des Gehäusesubstrats elektrisch gekoppelt ist, umfasst. Ein Gerät mit einem Gehäuse mit einem Chip und einem Gehäusesubstrat; einem Versteifungskörper, der mit dem Gehäusesubstrat gekoppelt ist; und einem elektrisch leitfähigen Pfad zwischen dem Versteifungskörper und dem Gehäusesubstrat. Ein Verfahren mit dem elektrischen Koppeln eines Versteifungskörpers mit einem Leiter eines Gehäusesubstrats.

公开(公告)号：GB2530647A

公开(公告)日：2016-03-30

申请号：GB201514666

申请日：2015-08-18

Applicant: INTEL CORP

Inventor： RAORANE DIGVIJAY A ,  CHIN IAN EN YOON ,  SOBIESKI DANIEL N

IPC: H01L21/56 ,  H01L23/31

Abstract: The package comprises a rigid glass fibre layer 210 that is coplanar with a semiconductor device die 241 and a die backside film 242. Build-up interconnect and dielectric layers are also provided in the device package. The rigid glass fibre layer is initially formed on a core substrate (222, fig 2b) and a cavity for accommodating the die is formed using a laser ablation method. After the die and the build-up layers have been formed the core may be removed by etching. The rigid glass fibre layer reinforces the die package and reduces warping of the package.

公开(公告)号：GB2517070A

公开(公告)日：2015-02-11

申请号：GB201411380

申请日：2014-06-26

Applicant: INTEL CORP

Inventor： RAORANE DIGVIJAY A ,  AGRAHARAM SAIRAM

IPC: H01L23/538 ,  H01L21/56 ,  H01L23/31

Abstract: An apparatus including a die 140 including a dielectric material on a device side, an insulating layer 160 surrounding a die area and embedding a thickness dimension of the die. This is disposed on a carrier 120A which includes a plurality of layers of conductive material disposed on the device side of the die, a first one of the layers of conductive materials being formed on the insulating layer and patterned into traces at least a portion of which are connected to respective contact points on the die. When disposing the die on the carrier a sacrificial layer can be used. The device side of the die may comprise a dielectric material, which can have vias formed through it, to contact points on the die to those on the carrier. The insulating material may be formed from an epoxy.

公开(公告)号：DE102014108994A1

公开(公告)日：2014-12-31

申请号：DE102014108994

申请日：2014-06-26

Applicant: INTEL CORP

Inventor： RAORANE DIGVIJAY A ,  AGRAHARAM SAIRAM

IPC: H01L23/50 ,  H01L23/485 ,  H01L25/065

Abstract: Eine Vorrichtung, die einen Die umfasst, der ein Dielektrikummaterial auf einer Geräteseite aufweist, dazu eine Isolierschicht, die einen Die-Bereich umschließt und in die eine Dickedimension des Die eingebettet ist; und einen Träger einschließlich mehrerer Schichten leitfähigen Materials, die auf der Geräteseite des Die platziert sind und von denen die erste Schicht leitfähigen Materials auf der Isolierschicht gebildet und mit Leiterbahnen gemustert wird, von denen mindestens ein Teil mit den entsprechenden Kontaktpunkten auf dem Die verbunden ist. Ein Verfahren, das folgende Schritte umfasst: Platzieren eines Die auf einem Opfersubstrat, wobei sich eine Geräteseite des Die gegenüber dem Opfersubstrat befindet; Platzieren einer Gussform auf dem Opfersubstrat entlang einer Längen- und Breitendimension des Die, wobei die Gussform einen Leitungskanal mit einer Tiefe umfasst, die mindestens so groß wie die Dickedimension des Die ist; Einführen eines Isoliermaterials in einen Leitungskanal der Gussform; Entfernen der Gussform; Bilden eines Trägers auf dem Isoliermaterial neben einer Geräteseite des Die sowie Separieren von Die und Träger vom Opfersubstrat.