公开(公告)号：DE102014003462A1

公开(公告)日：2015-09-17

申请号：DE102014003462

申请日：2014-03-11

Applicant: INTEL CORP

Inventor： STARKSTON ROBERT ,  MALLIK DEBENDRA ,  GUZEK JOHN S ,  CHIU CHIA-PIN ,  KULKARNI DEEPAK ,  MAHAJAN RAVI V

IPC: H01L23/50 ,  H01L21/60 ,  H01L21/768 ,  H01L25/065

Abstract: Hierin werden Ausführungsformen eines Systems und von Verfahren zum Substrat-Routing mit lokaler hoher Dichte allgemein beschrieben. In einer oder mehreren Ausführungsformen enthält eine Vorrichtung ein Medium, erste und zweite Schaltungselemente, ein Verbindungselement und eine dielektrische Schicht. Das Medium kann darin Routing mit niedriger Dicht enthalten. Das Verbindungselement kann in dem Medium eingebettet sein und kann darin eine Vielzahl von elektrisch leitfähigen Elementen enthalten, wobei das elektrisch leitfähige Element mit dem ersten Schaltungselement und dem zweiten Schaltungselement elektrisch gekoppelt sein kann. Das Verbindungselement kann darin Routing mit hoher Dichte enthalten. Die dielektrische Schicht kann sich über dem Verbindungschip befinden, wobei die dielektrische Schicht die dort hindurch tretenden ersten und zweiten Schaltungselemente enthält.

公开(公告)号：DE102014003462B4

公开(公告)日：2022-12-29

申请号：DE102014003462

申请日：2014-03-11

Applicant: INTEL CORP

Inventor： STARKSTON ROBERT ,  MALLIK DEBENDRA ,  GUZEK JOHN S ,  CHIU CHIA-PIN ,  KULKARNI DEEPAK ,  MAHAJAN RAVI V

IPC: H01L23/50 ,  H01L21/60 ,  H01L21/768 ,  H01L25/065

Abstract: Vorrichtung (300), umfassend:ein Substrat (102B), das darin ein Verbindungs-Routing mit niedriger Dichte enthält;ein erstes Schaltungselement (112) und ein zweites Schaltungselement (112);ein Metallpad (336) auf dem Substrat; undein Verbindungselement (104), wobei das Verbindungselement mit dem Metallpad über eine leitfähige Klebeschicht (334) verbunden ist, wobei das Verbindungselement darin Routing mit hoher Dichte enthält, wobei das Verbindungselement eine Vielzahl von elektrisch leitfähigen Elementen enthält, wobei ein elektrisch leitfähiges Element der Vielzahl von elektrisch leitfähigen Elementen mit dem ersten Schaltungselement und dem zweiten Schaltungselement elektrisch gekoppelt ist, wobei Lücken zwischen den elektrisch leitfähigen Elementen kleiner als innerhalb des Substrats sind, und wobei das erste Schaltungselement mit einem ersten Pad (224) elektrisch gekoppelt ist, wobei sich das erste Pad auf oder zumindest teilweise in einer Oberseite des Verbindungselements befindet, wobei sich das erste Pad zwischen dem ersten Schaltungselement und einem ersten Ende des elektrisch leitfähigen Elements befindet,wobei das erste Pad eine Grundfläche aufweist, die größer ist als die Grundfläche des ersten Schaltungselements.

公开(公告)号：DE102014019989B3

公开(公告)日：2022-07-14

申请号：DE102014019989

申请日：2014-03-11

Applicant: INTEL CORP

Inventor： STARKSTON ROBERT ,  MALLIK DEBENDRA ,  GUZEK JOHN S ,  CHIU CHIA-PIN ,  KULKARNI DEEPAK ,  MAHAJAN RAVI V

IPC: H01L23/50 ,  H01L21/60 ,  H01L21/768 ,  H01L25/065

Abstract: Vorrichtung (300), umfassend:eine Metallregion (336) über einer Oberschicht eines Mediums (102B);eine Klebeschicht (334) auf der Metallregion (336);ein Verbindungselement (104), wobei das Verbindungselement (104) auf der Klebeschicht (334) angeordnet ist, wobei das Verbindungselement (104) elektrisch leitfähige Pads (224) und einen Silizium-Die aufweist;Isolatormaterial (122), das auf der Oberschicht des Mediums (102B) und lateral benachbart zu dem Verbindungselement (104) angeordnet ist;ein erster Die (114A), der über dem Verbindungselement (104) angeordnet ist und mit einem ersten Pad der elektrisch leitfähigen Pads (224) des Verbindungselements (104) gekoppelt ist; undein zweiter Die (114B), der über dem Verbindungselement (104) angeordnet ist und mit einem zweiten Pad der elektrisch leitfähigen Pads (224) des Verbindungselements (104) gekoppelt ist.

公开(公告)号：DE102016102154A1

公开(公告)日：2016-09-15

申请号：DE102016102154

申请日：2016-02-08

Applicant: INTEL CORP

Inventor： JIANG HONGJIN ,  STARKSTON ROBERT ,  RAORANE DIGVIJAY A ,  JONES KEITH D ,  DHALL ASHISH ,  KARHADE OMKAR G ,  DHANE KEDAR ,  RAMALINGAM SURIYAKALA ,  WENG LI-SHENG ,  CHENEY ROBERT F ,  STOVER PATRICK N

IPC: H01L23/66 ,  H01L21/60 ,  H01L23/50 ,  H01L25/065

Abstract: Ein Gerät mit einem Gehäuse mit einem Chip und einem Gehäusesubstrat, wobei das Gehäusesubstrat einen Leiter; und einem Versteifungskörper, der mit dem Leiter des Gehäusesubstrats elektrisch gekoppelt ist, umfasst. Ein Gerät mit einem Gehäuse mit einem Chip und einem Gehäusesubstrat; einem Versteifungskörper, der mit dem Gehäusesubstrat gekoppelt ist; und einem elektrisch leitfähigen Pfad zwischen dem Versteifungskörper und dem Gehäusesubstrat. Ein Verfahren mit dem elektrischen Koppeln eines Versteifungskörpers mit einem Leiter eines Gehäusesubstrats.