公开(公告)号：CN119421973A

公开(公告)日：2025-02-11

申请号：CN202380048682.0

申请日：2023-08-07

Applicant: JX金属株式会社

Inventor： 古村俊行 ,  三木敦史 ,  楠木启介

IPC: C25D7/06 ,  C25D5/12 ,  C25D5/16 ,  H05K1/03

Abstract: 本发明涉及一种表面处理铜箔，其具有铜箔及形成于上述铜箔的至少一面的表面处理层。表面处理层的山部的实体部体积Vmp为0.022～0.060μm3/μm2。

公开(公告)号：CN116761326A

公开(公告)日：2023-09-15

申请号：CN202310213984.0

申请日：2023-03-01

Applicant: JX金属株式会社

Inventor： 石野裕士 ,  池田贵勇 ,  楠木启介

IPC: H05K1/02 ,  H05K1/09

Abstract: 本发明提供一种作为高频率电路用铜箔传输损耗少的铜箔。该铜箔的至少一个表面的二次平均平方根倾斜度(Sdq)为0.120以下。

公开(公告)号：CN119452123A

公开(公告)日：2025-02-14

申请号：CN202380048671.2

申请日：2023-08-07

Applicant: JX金属株式会社

Inventor： 古村俊行 ,  三木敦史 ,  楠木启介

IPC: C25D7/06 ,  C25D3/38 ,  C25D5/14 ,  C25D5/16 ,  H05K1/03

Abstract: 本发明涉及一种具有铜箔及形成于上述铜箔的至少一面的表面处理层的表面处理铜箔。表面处理层的核心部的实体部体积Vmc为0.35～0.55μm3/μm2。

公开(公告)号：CN119487239A

公开(公告)日：2025-02-18

申请号：CN202380051206.4

申请日：2023-08-07

Applicant: JX金属株式会社

Inventor： 古村俊行 ,  三木敦史 ,  楠木启介

IPC: C25D7/06 ,  C25D3/38 ,  C25D5/16 ,  H05K1/03

Abstract: 本发明涉及一种表面处理铜箔，其具有铜箔、及形成于上述铜箔的至少一个面的表面处理层。表面处理层的谷部的平均深度Svk为0.35～0.63μm。

公开(公告)号：CN119452124A

公开(公告)日：2025-02-14

申请号：CN202380050111.0

申请日：2023-08-07

Applicant: JX金属株式会社

Inventor： 楠木启介 ,  岩崎友一 ,  古村俊行

IPC: C25D7/06 ,  C25D3/38 ,  C25D5/12 ,  C25D5/14 ,  C25D5/16 ,  H05K1/03

Abstract: 本发明涉及一种表面处理铜箔，其具有铜箔及形成于铜箔的至少一面的表面处理层。关于表面处理层，山部的实体部体积Vmp为0.010～0.080μm3/μm2，且Zn附着量为10～250μg/dm2。