公开(公告)号：DE112015001898T5

公开(公告)日：2017-02-02

申请号：DE112015001898

申请日：2015-04-21

Applicant: KLA TENCOR CORP

Inventor： GOODWIN TIMOTHY ,  NICOLAIDES LENA ,  MAHADEVAN MOHAN ,  HORN PAUL ,  LI SHIFANG

IPC: G01B11/16 ,  G01N21/95 ,  H01L21/66

Abstract: Die Erfindung betrifft die Verwendung der Photoreflexions-Spektroskopie, um die Deformation an oder in der Nähe der Kante eines Wafers in einem Fertigungsprozess zu messen. Die Messung der Deformation wird verwendet, um Mängel zu antizipieren und in den nachfolgenden Schritten des Fertigungsprozesses vorausblickend Korrekturen zu machen. Messungen der Deformation werden verwendet, um verschiedene Produktionsschritte mit Defekten zu verbessern, um dem nachfolgenden Herstellungsprozess zuzuordnen.

公开(公告)号：DE112017001913B4

公开(公告)日：2025-03-27

申请号：DE112017001913

申请日：2017-04-03

Applicant: KLA TENCOR CORP

Inventor： NICOLAIDES LENA ,  GOODWIN TIMOTHY ,  TAN RAUL ,  LI SHIFANG

IPC: H01L21/66 ,  H01L21/768

Abstract: Verfahren zur Messung einer Eigenschaft einer Silizium-Durchkontaktierungsstruktur, im Folgenden TSV-Struktur genannt, das Verfahren umfassend:Verwenden einer Strahlprofilreflektivitätsvorrichtung, im Folgenden BPR-Vorrichtung genannt, (400) um sich zu einer ersten xy-Position zu bewegen, die eine TSV-Struktur hat;Verwenden der BPR-Vorrichtung (400), um einen optimalen Fokus bei der ersten xy-Position zu erzielen, indem die z-Position auf eine erste optimale z-Position zum Erhalt von Messdaten bei der ersten xy-Position eingestellt wird;Erhalten von Reflektivitätsmessdaten über die BPR-Vorrichtung (400), für eine Vielzahl von Einfallswinkeln bei der ersten xy-Position; undBestimmen einer oder mehrerer Schichtdicken für die TSV-Struktur auf Grundlage der Reflektivitätsmessdaten.

公开(公告)号：DE112017001913T5

公开(公告)日：2018-12-13

申请号：DE112017001913

申请日：2017-04-03

Applicant: KLA TENCOR CORP

Inventor： NICOLAIDES LENA ,  GOODWIN TIMOTHY ,  TAN RAUL ,  LI SHIFANG

IPC: H01L21/66 ,  H01L21/768

Abstract: Verfahren und Vorrichtungen zur Messung einer Eigenschaft einer Silizium-Durchkontaktierungsstruktur (TSV) werden offenbart. Eine Strahlprofilreflektivitäts-(BPR)-Vorrichtung wird verwendet, um sich zu einer ersten xy-Position zu bewegen, die eine TSV-Struktur hat. Die BPR-Vorrichtung wird dann verwendet, um einen optimalen Fokus bei der ersten xy-Position zu erhalten, indem die z-Position auf eine erste optimale z-Position eingestellt wird, um Messdaten bei der ersten xy-Position zu erhalten. Über die BPR-Vorrichtung werden Reflektivitätsmessdaten für eine Vielzahl an Einfallswinkeln bei der ersten xy-Position erhalten. Eine oder mehrere Schichtdicken werden für die TSV-Struktur auf Grundlage der Reflektivitätsmessdaten bestimmt. Eine z-Position kann ebenfalls aufgezeichnet und verwendet werden, um eine Höhe einer solchen TSV-Struktur zu bestimmen, und ebenso eine oder mehrere benachbarte xy-Positionen.