公开(公告)号：DE112017001913B4

公开(公告)日：2025-03-27

申请号：DE112017001913

申请日：2017-04-03

Applicant: KLA TENCOR CORP

Inventor： NICOLAIDES LENA ,  GOODWIN TIMOTHY ,  TAN RAUL ,  LI SHIFANG

IPC: H01L21/66 ,  H01L21/768

Abstract: Verfahren zur Messung einer Eigenschaft einer Silizium-Durchkontaktierungsstruktur, im Folgenden TSV-Struktur genannt, das Verfahren umfassend:Verwenden einer Strahlprofilreflektivitätsvorrichtung, im Folgenden BPR-Vorrichtung genannt, (400) um sich zu einer ersten xy-Position zu bewegen, die eine TSV-Struktur hat;Verwenden der BPR-Vorrichtung (400), um einen optimalen Fokus bei der ersten xy-Position zu erzielen, indem die z-Position auf eine erste optimale z-Position zum Erhalt von Messdaten bei der ersten xy-Position eingestellt wird;Erhalten von Reflektivitätsmessdaten über die BPR-Vorrichtung (400), für eine Vielzahl von Einfallswinkeln bei der ersten xy-Position; undBestimmen einer oder mehrerer Schichtdicken für die TSV-Struktur auf Grundlage der Reflektivitätsmessdaten.

公开(公告)号：DE112017001913T5

公开(公告)日：2018-12-13

申请号：DE112017001913

申请日：2017-04-03

Applicant: KLA TENCOR CORP

Inventor： NICOLAIDES LENA ,  GOODWIN TIMOTHY ,  TAN RAUL ,  LI SHIFANG

IPC: H01L21/66 ,  H01L21/768

Abstract: Verfahren und Vorrichtungen zur Messung einer Eigenschaft einer Silizium-Durchkontaktierungsstruktur (TSV) werden offenbart. Eine Strahlprofilreflektivitäts-(BPR)-Vorrichtung wird verwendet, um sich zu einer ersten xy-Position zu bewegen, die eine TSV-Struktur hat. Die BPR-Vorrichtung wird dann verwendet, um einen optimalen Fokus bei der ersten xy-Position zu erhalten, indem die z-Position auf eine erste optimale z-Position eingestellt wird, um Messdaten bei der ersten xy-Position zu erhalten. Über die BPR-Vorrichtung werden Reflektivitätsmessdaten für eine Vielzahl an Einfallswinkeln bei der ersten xy-Position erhalten. Eine oder mehrere Schichtdicken werden für die TSV-Struktur auf Grundlage der Reflektivitätsmessdaten bestimmt. Eine z-Position kann ebenfalls aufgezeichnet und verwendet werden, um eine Höhe einer solchen TSV-Struktur zu bestimmen, und ebenso eine oder mehrere benachbarte xy-Positionen.

公开(公告)号：DE112016006185T5

公开(公告)日：2018-09-20

申请号：DE112016006185

申请日：2016-01-13

Applicant: KLA TENCOR CORP

Inventor： LI SHIFANG ,  WEN YOUXIAN

IPC: H01L21/66

Abstract: System zur Bestimmung eines Wertes, wie einer Dicke, einer Oberflächenrauheit, einer Materialkonzentration, und/oder kritischen Dimension einer Schicht auf einem Wafer, basierend auf normierten Signalen und reflektierten Gesamtintensitäten. Eine Lichtquelle richtet einen Strahl auf eine Oberfläche des Wafers. Ein Sensor empfängt den reflektierten Strahl und stellt mindestens ein Paar von Polarisationskanälen bereit. Die Signale von den Polarisationskanälen werden von einem Kontroller empfangen, der eine Differenz zwischen einem Paar von Signalen zu normiert, um ein normiertes Ergebnis zu erhalten. Der Wert des Wafers wird mittels Analyse des Signals und Modellierung des Systems bestimmt.

公开(公告)号：DE112015001898T5

公开(公告)日：2017-02-02

申请号：DE112015001898

申请日：2015-04-21

Applicant: KLA TENCOR CORP

Inventor： GOODWIN TIMOTHY ,  NICOLAIDES LENA ,  MAHADEVAN MOHAN ,  HORN PAUL ,  LI SHIFANG

IPC: G01B11/16 ,  G01N21/95 ,  H01L21/66

Abstract: Die Erfindung betrifft die Verwendung der Photoreflexions-Spektroskopie, um die Deformation an oder in der Nähe der Kante eines Wafers in einem Fertigungsprozess zu messen. Die Messung der Deformation wird verwendet, um Mängel zu antizipieren und in den nachfolgenden Schritten des Fertigungsprozesses vorausblickend Korrekturen zu machen. Messungen der Deformation werden verwendet, um verschiedene Produktionsschritte mit Defekten zu verbessern, um dem nachfolgenden Herstellungsprozess zuzuordnen.

公开(公告)号：SG11201901331YA

公开(公告)日：2019-04-29

申请号：SG11201901331Y

申请日：2017-09-15

Applicant: KLA TENCOR CORP

Inventor： JIANG XUGUANG ,  LI SHIFANG ,  ZHANG YONG

IPC: H01L21/66

Abstract: Two or more color data can be combined to form a new data source to enhance sensitivity to defocus signal. Defocus detection can be performed on the newly formed data source. In a setup step, a training wafer can be used to select the best color combination, and obtain defocus detection threshold. This can include applying a segment mask, calculating mean intensities of the segment, determining a color combination that optimizes defocus sensitivity, and generating a second segment mask based on pixels that are above a threshold to sensitivity. In a detection step, the selected color combination is calculated, and the threshold is applied to obtain defocus detection result.

公开(公告)号：DE112017001576T5

公开(公告)日：2018-12-20

申请号：DE112017001576

申请日：2017-03-27

Applicant: KLA TENCOR CORP

Inventor： LI SHIFANG ,  NICOLAIDES LENA ,  HORN PAUL ,  GRAETZ RICHARD

IPC: H01L21/66

Abstract: Ein System ist zum Ausführen einer Metrologie auf einer vorderen Fläche, einer rückwärtigen Fläche gegenüber der vorderen Fläche und auf einem Rand zwischen der vorderen Fläche und der rückwärtigen Fläche eines Wafers konfiguriert. Dies kann eine Metrologie des gesamten Wafers und/oder eine Metrologie von dünnen Schichten auf der rückwärtigen Fläche des Wafers bereitstellen. In einem Beispiel können die Dicke und/oder optischen Eigenschaften einer dünnen Schicht auf einer rückwärtigen Fläche eines Wafers bestimmt werden, indem ein Verhältnis eines Graustufenbildes eines Hellfeldlichts, das von der rückwärtigen Fläche des zu prüfenden Wafers ausgeht, zu dem eines Referenzwafers verwendet wird.