System und Verfahren zur Inspektion unnd Metrologie von Halbleiterwafern

    公开(公告)号:DE112016006185T5

    公开(公告)日:2018-09-20

    申请号:DE112016006185

    申请日:2016-01-13

    Abstract: System zur Bestimmung eines Wertes, wie einer Dicke, einer Oberflächenrauheit, einer Materialkonzentration, und/oder kritischen Dimension einer Schicht auf einem Wafer, basierend auf normierten Signalen und reflektierten Gesamtintensitäten. Eine Lichtquelle richtet einen Strahl auf eine Oberfläche des Wafers. Ein Sensor empfängt den reflektierten Strahl und stellt mindestens ein Paar von Polarisationskanälen bereit. Die Signale von den Polarisationskanälen werden von einem Kontroller empfangen, der eine Differenz zwischen einem Paar von Signalen zu normiert, um ein normiertes Ergebnis zu erhalten. Der Wert des Wafers wird mittels Analyse des Signals und Modellierung des Systems bestimmt.

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