公开(公告)号：FR2994617A1

公开(公告)日：2014-02-21

申请号：FR1357797

申请日：2013-08-06

Applicant: KOREA ELECTRONICS TELECOMM

Inventor： KIM GYUNGOCK ,  KIM SANG HOON ,  JANG KI SEOK ,  KIM IN GYOO ,  OH JIN HYUK ,  KIM SUN AE

IPC: H01L31/028 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/18

Abstract: La présente invention concerne un photodétecteur à semi-conducteur contenant du germanium, ayant pour base une tranche de silicium, conçu pour présenter comme propriétés un gain élevé, une sensibilité élevée et une vitesse élevée à une tension relativement basse. Une couche de multiplication de porteurs (20) à base de germanium (par exemple, une couche de germanium individuelle ou une couche à super-réseau de germanium et de silicium) peut être formée sur une tranche de silicium, une couche de charges (22) à base de germanium peut être formée sur la couche de multiplication de porteurs, une couche d'absorption (30) à base de germanium peut être formée sur la couche de charges et une seconde couche de contact (32) à base de polysilicium peut être formée sur la couche d'absorption. La couche d'absorption (30) peut être conçue de façon à inclure des points ou fils quantiques à base de germanium.