公开(公告)号：KR101544083B1

公开(公告)日：2015-08-13

申请号：KR20150019419

申请日：2015-02-09

Applicant: KOREA RES INST OF STANDARDS

Inventor： KIM YONG GYOO ,  KWON SU YONG ,  LEE JOO HYUN ,  KIM DAE HO ,  PARK YON KYU ,  JANG JIN SEOK ,  SONG JAE YONG ,  KANG SANG WOO ,  LEE SANG JUN

IPC: H02J7/00 ,  H01L35/28 ,  H02N11/00

CPC classification number: H02J7/00 ,  H01L35/28 ,  H02N11/00

Abstract: 본 발명은 휴대용 열전 충전장치 및 그 제조방법에 관한 것이다. 본 발명의 일예와 관련된 열전 충전장치는 열에너지를 전기 에너지로 변환하는 열전부; 및 상기 열전부의 일측에 위치하고, 상기 열전부와 전기적으로 연결되어 상기 전기 에너지를 출력하는 출력부;를 포함하되, 상기 열전부는, 복수의 제 1 열전부재가 증착된 제 1 기판 및 상기 복수의 제 1 열전부재와 열전쌍을 이루는 복수의 제 2 열전부재가 증착된 제 2 기판을 포함하되, 상기 복수의 제 1 열전부재가 증착된 면과 상기 복수의 제 2 열전부재가 증착된 면이 접하도록 상기 제 1 기판과 상기 제 2 기판은 융착되고, 상기 복수의 제 1 열전부재는 상기 제 1 기판의 일단으로부터 타단을 향한 방향으로 증착되고, 상기 복수의 제 2 열전부재는 상기 제 2 기판의 일단으로부터 타단을 향한 방향으로 증착되며, 상기 복수의 제 1 열전부재 및 상기 복수의 제 2 열전부재는, 교대로 직렬 연결되되, 상기 복수의 제 1 열전부재 중 n번째 열전부재의 일단과 n+1번째 열전부재의 타단을 상기 제 2 열전부재가 연결하도록 증착되고, 상기 출력부는, 상기 직렬연결된 제 1 열전부재 및 제 2 열전부재의 일단과 타단에 전기적으로 연결되며, 상기 제 1 기판 및 상기 제 2 기판은 유연성 기판일 수 있다.

Abstract translation: 本发明涉及便携式热电充电装置及其制造方法。 根据本发明实施例的热电充电装置包括：将热能转换成电能的热电单元; 以及输出单元，其设置在所述热电单元的一侧上并电连接到所述热电单元以输出所述电能。 所述热电单元包括：多层第一热电元件层叠的第一基板; 以及第二基板，其上形成有与第一热电元件形成热电对的多个第二热电元件。 第一基板和第二基板被熔合以使多个第一热电元件层叠在其上的第一基板的表面与多个第二热电元件层叠的第二基板的表面接触。 多个第一热电元件在从第一基板的一端到第一基板的另一端的方向上层叠。 多个第二热电部件在从第二基板的一端到第二基板的另一端的方向上分层。 多个第一热电元件和多个第二热电元件交替地串联连接。 多个第一热电元件中的第n个热电元件的一端和多个第一热电元件中的第（n + 1）个热电元件的另一端通过第二热电元件连接。 输出单元电连接到串联连接的第一热电元件和第二热电元件的一端和另一端。 第一基板和第二基板可以是柔性基板。

公开(公告)号：DE112009002124T5

公开(公告)日：2012-01-26

申请号：DE112009002124

申请日：2009-08-28

Applicant: KOREA RES INST OF STANDARDS

Inventor： KIM KYUNG JOONG ,  LEE WOO ,  KIM YONG SUNG ,  KIM YOUNG HEON ,  HONG SEUNG HUI ,  YUN WAN SOO ,  KANG SANG WOO

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/0352

Abstract: Die vorliegende Erfindung stellt eine halbleiterbasierte Photovoltaikvorrichtung und ein Herstellungsverfahren dafür bereit. Die halbleiterbasierte Photovoltaikvorrichtung ist in der Lage, Licht mit einer breitbandigen Wellenlänge zu absorbieren und hat eine hohe photoelektrische Konversionseffizienz, weil sie eine hohe Separationseffizienz für Elektron-Loch-Paare aufweist. Spezieller umfasst das verfahren zur Herstellung der Photovoltaikvorrichtung die Schritte a) Ausbilden einer Halbleiterquantenpunktdünnschicht auf einem Halbleitersubstrat vom p- oder n-Typ, wobei die Halbleiterquantenpunktdünnschicht innerhalb eines Mediums, bei welchem derselbe Typ von Störstellen wie das Halbleitersubstrat dotiert sind, Halbleiterquantenpunkte beinhaltet; b) Ausbilden einer Porenanordnung durch Teilätzung, wobei die Porenanordnung die Halbleiterquantenpunktdünnschicht durchdringt; c) Abscheiden eines Halbleiters, in welchem zu dem Halbleitersubstrat komplementäre Störstellen dotiert sind, auf der Halbleiterquantenpunktdünnschicht, bei welcher die Porenanordnung ausgebildet ist; und d) nacheinander Ausbilden einer transparenten leitfähigen Schicht und einer oberen Elektrode auf dem Halbleiter, in welchem die komplementären Störstellen dotiert sind, und Ausbilden einer unteren Elektrode an einem unteren Abschnitt des Halbleitersubstrats.

公开(公告)号：WO2010024629A3

公开(公告)日：2010-04-29

申请号：PCT/KR2009004852

申请日：2009-08-28

Applicant: KOREA RES INST OF STANDARDS ,  KIM KYUNG JOONG ,  LEE WOO ,  KIM YONG SUNG ,  KIM YOUNG HEON ,  HONG SEUNG HUI ,  YUN WAN SOO ,  KANG SANG WOO

Inventor： KIM KYUNG JOONG ,  LEE WOO ,  KIM YONG SUNG ,  KIM YOUNG HEON ,  HONG SEUNG HUI ,  YUN WAN SOO ,  KANG SANG WOO

IPC: H01L31/042

CPC classification number: H01L31/035218 ,  H01L31/18

Abstract: The present invention provides a semiconductor based photovoltaic device and a manufacturing method thereof. The semiconductor based photovoltaic device is able to absorb light with a wide band wavelength, and has high photoelectric conversion efficiency since it has high electron-hole pair separation efficiency. More specifically, the method for manufacturing the photovoltaic device comprises the steps of: a) forming a thin semiconductor quantum dot film on a p or n-type semiconductor substrate, wherein the thin semiconductor quantum dot film includes semiconductor quantum dots inside a medium at which the same type of impurities as the semiconductor substrate are doped; b) forming a pore array through partial etching, wherein the pore array penetrates the thin semiconductor quantum dot film; c) depositing a semiconductor in which complementary impurities to the semiconductor substrate are doped on the thin semiconductor quantum dot film at which the pore array is formed; and d) forming sequentially a transparent conductive film and an upper electrode on the semiconductor in which the complementary impurities are doped and forming a lower electrode at a lower portion of the semiconductor substrate.

Abstract translation: 本发明提供一种基于半导体的光电器件及其制造方法。 基于半导体的光电器件能够吸收宽带波长的光，并且由于具有高的电子 - 空穴对分离效率，因此光电转换效率高。 更具体地说，制造光伏器件的方法包括以下步骤：a）在p型或n型半导体衬底上形成薄的半导体量子点膜，其中薄的半导体量子点膜包括介质内的半导体量子点， 与半导体衬底掺杂相同类型的杂质; b）通过部分蚀刻形成孔阵列，其中孔阵列穿透薄的半导体量子点膜; c）在其上形成有孔阵列的薄半导体量子点膜上沉积半导体衬底掺杂杂质的半导体; 以及d）在所述半导体上顺序形成透明导电膜和上电极，其中所述互补杂质被掺杂并在所述半导体衬底的下部形成下电极。