公开(公告)号：WO2010024629A3

公开(公告)日：2010-04-29

申请号：PCT/KR2009004852

申请日：2009-08-28

Applicant: KOREA RES INST OF STANDARDS ,  KIM KYUNG JOONG ,  LEE WOO ,  KIM YONG SUNG ,  KIM YOUNG HEON ,  HONG SEUNG HUI ,  YUN WAN SOO ,  KANG SANG WOO

Inventor： KIM KYUNG JOONG ,  LEE WOO ,  KIM YONG SUNG ,  KIM YOUNG HEON ,  HONG SEUNG HUI ,  YUN WAN SOO ,  KANG SANG WOO

IPC: H01L31/042

CPC classification number: H01L31/035218 ,  H01L31/18

Abstract: The present invention provides a semiconductor based photovoltaic device and a manufacturing method thereof. The semiconductor based photovoltaic device is able to absorb light with a wide band wavelength, and has high photoelectric conversion efficiency since it has high electron-hole pair separation efficiency. More specifically, the method for manufacturing the photovoltaic device comprises the steps of: a) forming a thin semiconductor quantum dot film on a p or n-type semiconductor substrate, wherein the thin semiconductor quantum dot film includes semiconductor quantum dots inside a medium at which the same type of impurities as the semiconductor substrate are doped; b) forming a pore array through partial etching, wherein the pore array penetrates the thin semiconductor quantum dot film; c) depositing a semiconductor in which complementary impurities to the semiconductor substrate are doped on the thin semiconductor quantum dot film at which the pore array is formed; and d) forming sequentially a transparent conductive film and an upper electrode on the semiconductor in which the complementary impurities are doped and forming a lower electrode at a lower portion of the semiconductor substrate.

Abstract translation: 本发明提供一种基于半导体的光电器件及其制造方法。 基于半导体的光电器件能够吸收宽带波长的光，并且由于具有高的电子 - 空穴对分离效率，因此光电转换效率高。 更具体地说，制造光伏器件的方法包括以下步骤：a）在p型或n型半导体衬底上形成薄的半导体量子点膜，其中薄的半导体量子点膜包括介质内的半导体量子点， 与半导体衬底掺杂相同类型的杂质; b）通过部分蚀刻形成孔阵列，其中孔阵列穿透薄的半导体量子点膜; c）在其上形成有孔阵列的薄半导体量子点膜上沉积半导体衬底掺杂杂质的半导体; 以及d）在所述半导体上顺序形成透明导电膜和上电极，其中所述互补杂质被掺杂并在所述半导体衬底的下部形成下电极。

公开(公告)号：WO2011028054A3

公开(公告)日：2011-07-21

申请号：PCT/KR2010005990

申请日：2010-09-03

Applicant: KOREA RES INST OF STANDARDS ,  LEE WOO ,  KIM JUNG KIL ,  KIM JAE CHEON

Inventor： LEE WOO ,  KIM JUNG KIL ,  KIM JAE CHEON

IPC: B82B3/00 ,  B82B1/00 ,  C01B33/18

CPC classification number: C01B33/02 ,  B82Y30/00 ,  C01P2004/01 ,  C01P2004/16 ,  C01P2006/12

Abstract: Disclosed is a production method for a silicon nanowire array, comprising the steps of: (a) preparing a porous metal thin film, (b) placing the porous metal thin film in contact with a silicon substrate, and (c) etching the silicon substrate by means of a silicon etching solution. The present invention makes it possible to produce vertically aligned silicon nanowires of large surface area by using the porous metal thin film as a catalyst, and makes it possible to produce nanowires having a porous structure, a porous nodular structure, an inclined structure and a zig-zag structure, which are different from nanowires of the prior art in their shape and crystallographic orientation, by adjusting etching conditions such as the composition of the silicon etching solution and the etching temperature in the step in which the silicon substrate is subjected to wet etching.

Abstract translation: 公开了一种硅纳米线阵列的制造方法，包括以下步骤：（a）制备多孔金属薄膜，（b）将多孔金属薄膜与硅衬底接触，（c）蚀刻硅衬底 通过硅蚀刻溶液。 本发明可以通过使用多孔金属薄膜作为催化剂来制造具有大表面积的垂直取向的硅纳米线，并且可以制备具有多孔结构，多孔结构，倾斜结构和锯齿的纳米线 通过在硅衬底经受湿蚀刻的步骤中调整诸如硅蚀刻溶液的组成和蚀刻温度的蚀刻条件，它们与现有技术的纳米线在其形状和晶体取向上不同 。

公开(公告)号：DE112010005699T5

公开(公告)日：2013-04-25

申请号：DE112010005699

申请日：2010-07-02

Applicant: KOREA RES INST OF STANDARDS

Inventor： KIM KYUNG JOONG ,  HONG SEUNG HUI ,  PARK JAE HEE ,  LEE WOO

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/0304 ,  H01L31/0352

Abstract: Bereitgestellt wird ein Herstellungsverfahren für eine Halbleiter-Quantenpunkt-sensibilisierte Solarzelle. Insbesondere umfasst das Herstellungsverfahren gemäß der vorliegenden Erfindung folgendes: einen Quantenpunkt-Bildungsschritt des Bildens einer Halbleiterschicht, die ein Element der Gruppe 4 und InP auf einem Substrat enthält, und anschließend Durchführen einer Wärmebehandlung auf dem Substrat, einschließlich der darauf gebildeten Halbleiterschicht, um Indium (In) davon zu entfernen, und dadurch Bilden eines n-Typ Halbleiter-Quantenpunkts, der ein mit Phosphor (P) dotierter Gruppe 4-Element Quantenpunkt ist.

公开(公告)号：DE112009002124T5

公开(公告)日：2012-01-26

申请号：DE112009002124

申请日：2009-08-28

Applicant: KOREA RES INST OF STANDARDS

Inventor： KIM KYUNG JOONG ,  LEE WOO ,  KIM YONG SUNG ,  KIM YOUNG HEON ,  HONG SEUNG HUI ,  YUN WAN SOO ,  KANG SANG WOO

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/0352

Abstract: Die vorliegende Erfindung stellt eine halbleiterbasierte Photovoltaikvorrichtung und ein Herstellungsverfahren dafür bereit. Die halbleiterbasierte Photovoltaikvorrichtung ist in der Lage, Licht mit einer breitbandigen Wellenlänge zu absorbieren und hat eine hohe photoelektrische Konversionseffizienz, weil sie eine hohe Separationseffizienz für Elektron-Loch-Paare aufweist. Spezieller umfasst das verfahren zur Herstellung der Photovoltaikvorrichtung die Schritte a) Ausbilden einer Halbleiterquantenpunktdünnschicht auf einem Halbleitersubstrat vom p- oder n-Typ, wobei die Halbleiterquantenpunktdünnschicht innerhalb eines Mediums, bei welchem derselbe Typ von Störstellen wie das Halbleitersubstrat dotiert sind, Halbleiterquantenpunkte beinhaltet; b) Ausbilden einer Porenanordnung durch Teilätzung, wobei die Porenanordnung die Halbleiterquantenpunktdünnschicht durchdringt; c) Abscheiden eines Halbleiters, in welchem zu dem Halbleitersubstrat komplementäre Störstellen dotiert sind, auf der Halbleiterquantenpunktdünnschicht, bei welcher die Porenanordnung ausgebildet ist; und d) nacheinander Ausbilden einer transparenten leitfähigen Schicht und einer oberen Elektrode auf dem Halbleiter, in welchem die komplementären Störstellen dotiert sind, und Ausbilden einer unteren Elektrode an einem unteren Abschnitt des Halbleitersubstrats.

公开(公告)号：DE112008003977T5

公开(公告)日：2012-01-12

申请号：DE112008003977

申请日：2008-11-10

Applicant: KOREA RES INST OF STANDARDS

Inventor： KIM KYUNG JOONG ,  LEE WOO

IPC: H01L31/042

Abstract: Die vorliegende Erfindung betrifft eine Solarzelle mit einer Quantenpunkt-Nanodraht-Anordnung und das Herstellungsverfahren davon. Die erfindungsgemäße Solarzelle umfasst eine Quantenpunkt-Nanodraht-Anordnung mit einer Hetero-Struktur, welche eine Matrix und Halbleiter-Quantenpunkte und einen Halbleiter vom p-Typ und vom n-Typ und Elektroden, die jeweils die Quantenpunkt-Nanodrähte kontaktieren, umfasst. Mit der erfindungsgemäßen Solarzelle kann die Bandlückenenergie des Halbleiter Quantenpunkts einfach eingestellt werden, indem die Halbleiter-Quantenpunkte, welche unterschiedliche Abmessungen aufweisen, in dem Quantenpunkt-Nanodraht vorhanden sind, so dass die fotoelektrische Konvertierung in einem weiten Spektrum von sichtbaren Strahlen bis zu Infrarotstrahlen durchgeführt werden kann. Der Quantenpunkt ist in der Quantenpunkt-Nanodraht-Anordnung einer hohen Dichte eingebettet ist, so dass die Lichtabsorption maximiert werden kann. Der Quantenpunkt-Nanodraht kontaktiert den Halbleiter vom p-Typ und vom n-Typ über einen weiten Bereich hinweg, wodurch die Leitfähigkeit der Elektronen und Löcher verbessert werden kann.