公开(公告)号：DE112020006829T5

公开(公告)日：2022-12-15

申请号：DE112020006829

申请日：2020-12-03

Applicant: MICROCHIP TECH INC

Inventor： FEST PAUL ,  DIX GREGORY ,  WILLIAMS JACOB ,  KAUFMAN JOSH

IPC: H01L27/08 ,  H01L21/822 ,  H01L49/02

Abstract: Es wird ein Verfahren zum Ausbilden eines Dünnschichtwiderstands (TFR) in einer integrierten Schaltungs- (IC-) Vorrichtung bereitgestellt. Ein TFR-Film wird über einer IC-Struktur, die IC-Elemente und IC-Elementkontakte beinhaltet, ausgebildet und getempert. Über dem TFR-Film wird eine Oxiddeckschicht ausgebildet, die während eines TFR-Ätzens des TFR-Films als Hartmaske wirkt, um ein TFR-Element zu definieren, was die Verwendung einer Fotomaske eliminieren und dadurch das Entfernen von Fotomaskenpolymer nach dem Ätzen eliminieren kann. TFR-Kantenabstandshalter können über Seitenkanten des TFR-Elements ausgebildet werden, um solche TFR-Elementkanten zu isolieren. TFR-Kontaktöffnungen werden in die Oxiddeckschicht über dem TFR-Element geätzt, und eine Metallschicht wird über der IC-Struktur ausgebildet und erstreckt sich in die TFR-Kontaktöffnungen, um Metallkontakte zu den IC-Elementkontakten und dem TFR-Element auszubilden.