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公开(公告)号：CN1937219A
公开(公告)日：2007-03-28
申请号：CN200610136213.2
申请日：2001-04-04
Applicant: NEC东金株式会社
IPC: H01L23/552
CPC classification number: H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 在半导体裸芯片(57)的前表面上形成集成电路，在半导体裸芯片的背侧表面上形成磁损耗薄膜55。
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公开(公告)号：CN1288753C
公开(公告)日：2006-12-06
申请号：CN01119032.9
申请日：2001-04-04
Applicant: NEC东金株式会社
CPC classification number: H01L23/552 , H01L23/66 , H01L2223/6627 , H01L2224/274 , H01L2924/01019 , H01L2924/19032 , H01L2924/3011
Abstract: 在半导体裸芯片(57)的前表面上形成集成电路，在半导体裸芯片的背侧表面上形成磁损耗薄膜55。
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公开(公告)号：CN101388378B
公开(公告)日：2011-01-26
申请号：CN200810149062.3
申请日：2001-04-04
Applicant: NEC东金株式会社
IPC: H01L23/552 , H01L23/66
CPC classification number: H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及电磁噪声抑制器、使用该抑制器的半导体器件及其制造方法。在半导体裸芯片(57)的前表面上形成集成电路，在半导体裸芯片的背侧表面上形成磁损耗薄膜55。
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公开(公告)号：CN101388378A
公开(公告)日：2009-03-18
申请号：CN200810149062.3
申请日：2001-04-04
Applicant: NEC东金株式会社
IPC: H01L23/552 , H01L23/66
CPC classification number: H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及电磁噪声抑制器、使用该抑制器的半导体器件及其制造方法。在半导体裸芯片(57)的前表面上形成集成电路，在半导体裸芯片的背侧表面上形成磁损耗薄膜(55)。
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公开(公告)号：CN1930643A
公开(公告)日：2007-03-14
申请号：CN200580007538.4
申请日：2005-03-08
CPC classification number: H05K9/0083 , B82Y25/00 , H01F1/28 , H01F10/007 , H05K1/0233
Abstract: 电磁噪声抑制薄膜具有如下的结构，即由Fe、Co、或Ni各自的纯金属或至少含有20重量％的所述纯金属的合金组成的柱状结构体埋入作为氧化物、氮化物或氟化物或它们的混合物的无机物质的绝缘性母体中。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1190804C
公开(公告)日：2005-02-23
申请号：CN01800621.3
申请日：2001-01-24
Applicant: NEC东金株式会社
Abstract: 提供了一种在准微波范围有复导磁率最大值的磁物质，用于压制小型电子装置中的高频噪声。该磁物质是由包含M、X和Y的磁合成物构成的，这里M是包含Fe、Co和/或Ni的金属磁性材料，X是不同于M和Y的一种或多种元素，Y是F、N和/或O。M-X-Y磁合成物中M的浓度使得所述M-X-Y磁合成物的饱和磁化强度为只含有M的金属磁性材料体的饱和磁化强度的35-80%。该磁合成物在频率0.1-10千兆赫(GHz)范围内有复导磁率μ″的最大值μ″max。
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公开(公告)号：CN1097270C
公开(公告)日：2002-12-25
申请号：CN96112346.X
申请日：1996-09-20
Applicant: NEC东金株式会社
CPC classification number: H05K9/0083 , H01F1/28
Abstract: 一种用作电磁干扰抑制体的合成体磁颗粒，包括：软磁粉，其中至少一种软磁成分具有磁致伸缩常数，此粉末的每一颗粒是片状的；和有机粘结剂，用于粘结分散于其中的所述软磁粉。软磁粉在形成片状后进行退火处理。软磁粉的片状颗粒的平均厚度小于趋肤深度，在所述趋肤深度内会在采用所述合成磁颗粒的频带上产生趋肤效应，每一颗粒具有一个外氧化层。
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公开(公告)号：CN1930643B
公开(公告)日：2011-06-08
申请号：CN200580007538.4
申请日：2005-03-08
CPC classification number: H05K9/0083 , B82Y25/00 , H01F1/28 , H01F10/007 , H05K1/0233
Abstract: 电磁噪声抑制薄膜具有如下的结构，即由Fe、Co、或Ni各自的纯金属或至少含有20重量％的所述纯金属的合金组成的柱状结构体埋入作为氧化物、氮化物或氟化物或它们的混合物的无机物质的绝缘性母体中。
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公开(公告)号：CN100524732C
公开(公告)日：2009-08-05
申请号：CN200610136213.2
申请日：2001-04-04
Applicant: NEC东金株式会社
IPC: H01L23/552
CPC classification number: H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 在半导体裸芯片(57)的前表面上形成集成电路，在半导体裸芯片的背侧表面上形成磁损耗薄膜55。
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公开(公告)号：CN1135574C
公开(公告)日：2004-01-21
申请号：CN96191060.7
申请日：1996-07-22
Applicant: NEC东金株式会社会
IPC: H01F1/37
CPC classification number: H05K9/0083 , H01F1/22 , H01F1/24 , H01F1/26 , H01F1/37 , H01L23/552 , H01L23/66 , H01L2924/0002 , H01L2924/3011 , H05K1/0233 , H05K1/0373 , H05K2201/086 , H05K2201/10689 , H01L2924/00
Abstract: 提供一种在高频电子装置特别是移动通信装置内部具有抑制电磁干扰效果的电磁干扰抑制体中所用的复合磁性材料，该复合磁性材料是由软磁性体粉末和有机粘合剂构成的不良导电性的、并且至少具有2种由至少2个各向异性磁场(Hk)形成的磁共振。另外，在该复合磁性材料中，上述各向异性磁场(Hk)具有互不相同的值。
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