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公开(公告)号：CN1930643A
公开(公告)日：2007-03-14
申请号：CN200580007538.4
申请日：2005-03-08
CPC classification number: H05K9/0083 , B82Y25/00 , H01F1/28 , H01F10/007 , H05K1/0233
Abstract: 电磁噪声抑制薄膜具有如下的结构，即由Fe、Co、或Ni各自的纯金属或至少含有20重量％的所述纯金属的合金组成的柱状结构体埋入作为氧化物、氮化物或氟化物或它们的混合物的无机物质的绝缘性母体中。
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公开(公告)号：CN1190804C
公开(公告)日：2005-02-23
申请号：CN01800621.3
申请日：2001-01-24
Applicant: NEC东金株式会社
Abstract: 提供了一种在准微波范围有复导磁率最大值的磁物质，用于压制小型电子装置中的高频噪声。该磁物质是由包含M、X和Y的磁合成物构成的，这里M是包含Fe、Co和/或Ni的金属磁性材料，X是不同于M和Y的一种或多种元素，Y是F、N和/或O。M-X-Y磁合成物中M的浓度使得所述M-X-Y磁合成物的饱和磁化强度为只含有M的金属磁性材料体的饱和磁化强度的35-80%。该磁合成物在频率0.1-10千兆赫(GHz)范围内有复导磁率μ″的最大值μ″max。
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公开(公告)号：CN101969739B
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201010522292.7
申请日：2007-11-22
Applicant: NEC东金株式会社
Abstract: 一种多层印刷电路板，包括主要由磁性材料组成的内磁性层。内磁性层可以通过化学键或范德华力的作用来形成。内磁性层可以包括多个磁性单元，每一个所述磁性单元提供磁力，以及可以通过使用强相互作用，将磁性单元彼此磁性地耦合，来形成所述内磁性层。内磁性层可以主要由铁氧体膜组成。可以通过化学浸镀方法将铁氧体膜直接形成于内导电层上。铁氧体膜可以主要由金属氧化物组成，其中金属成分由公式FeaNibZncCod来表示，其中：a+b+c+d＝3.0；2.1≤a≤2.7；0.1≤b≤0.3；0.1≤c≤0.7；以及0≤d≤0.15。
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公开(公告)号：CN102159749A
公开(公告)日：2011-08-17
申请号：CN200980136558.X
申请日：2009-07-29
Applicant: NEC东金株式会社
CPC classification number: H01F41/24 , C01G49/0018 , C23C18/12 , C23C18/1216 , Y10T428/2495 , Y10T428/26
Abstract: 本发明提供一种具备基体(3)和附着在该基体(3)上的铁素体膜的铁素体附着体及制造该铁素体附着体的制造方法。该制造方法中，在基体(3)的背面侧以空出100μm以上的空间的状态支承基体(3)，将至少含有第一铁离子的反应液和至少含有氧化剂的氧化液从反应液喷嘴(1)及氧化液喷嘴(2)向基体(3)的正面侧供给，对反应液和所述氧化液施加由重力以外的因素引起的2～150m/s2的加速度。
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公开(公告)号：CN101388378B
公开(公告)日：2011-01-26
申请号：CN200810149062.3
申请日：2001-04-04
Applicant: NEC东金株式会社
IPC: H01L23/552 , H01L23/66
CPC classification number: H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及电磁噪声抑制器、使用该抑制器的半导体器件及其制造方法。在半导体裸芯片(57)的前表面上形成集成电路，在半导体裸芯片的背侧表面上形成磁损耗薄膜55。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101388378A
公开(公告)日：2009-03-18
申请号：CN200810149062.3
申请日：2001-04-04
Applicant: NEC东金株式会社
IPC: H01L23/552 , H01L23/66
CPC classification number: H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及电磁噪声抑制器、使用该抑制器的半导体器件及其制造方法。在半导体裸芯片(57)的前表面上形成集成电路，在半导体裸芯片的背侧表面上形成磁损耗薄膜(55)。
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公开(公告)号：CN1180440C
公开(公告)日：2004-12-15
申请号：CN01116371.2
申请日：2001-04-04
Applicant: NEC东金株式会社
CPC classification number: H01B11/1083
Abstract: 一种信号传输电缆(10)包括用于传输信号的导体部分和覆盖所述导体部分的绝缘体外鞘(14)，形成在所述绝缘外鞘的至少部分外表面上的高损耗磁膜(15)。所述高损耗磁膜在0.1-10GHz的频率范围有最大的复磁导率μ”max。所述高损耗磁膜的磁性混合物是包括M、X和Y的M-X-Y磁性混合物，其中M是由Fe，Co和/或Ni组成的金属磁性材料，X是M和Y之外的元素，Y是F、N和/或O，所述M-X-Y磁性混合物中M的含量使得所述M-X-Y磁性混合物的饱和磁化强度是只包含M的磁性材料的体材料的饱和磁化强度的35-80%。
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公开(公告)号：CN1492452A
公开(公告)日：2004-04-28
申请号：CN03157969.8
申请日：2003-09-01
Applicant: NEC东金株式会社
IPC: H01F1/12 , H01F1/00 , H01F41/02 , H01L23/552
CPC classification number: H05K9/0083 , H01F1/14758 , H01F1/14791 , H01F1/37 , H01F41/0246 , Y10T428/12014 , Y10T428/25
Abstract: 一种包括有软磁粉末和粘合剂的磁损材料。在磁损材料中，虚部磁导率(μ”)的频散曲线具有至少两个不同的频散部分，其包括相对高频侧的第一频散部分(D1)和相对低频侧的第二频散部分(D2)。虚部磁导率具有分别在第一和第二频散部分内为最大的第一和第二最大值(μ”max(D1)和μ”max(D2))。第二最大值等于或大于第一最大值。第二频散部分可以是由磁共振引起的频散。第一频散部分可以是由涡流引起的频散。
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公开(公告)号：CN102159749B
公开(公告)日：2013-01-23
申请号：CN200980136558.X
申请日：2009-07-29
Applicant: NEC东金株式会社
CPC classification number: H01F41/24 , C01G49/0018 , C23C18/12 , C23C18/1216 , Y10T428/2495 , Y10T428/26
Abstract: 本发明提供一种具备基体(3)和附着在该基体(3)上的铁素体膜的铁素体附着体及制造该铁素体附着体的制造方法。该制造方法中，在基体(3)的背面侧以空出100μm以上的空间的状态支承基体(3)，将至少含有第一铁离子的反应液和至少含有氧化剂的氧化液从反应液喷嘴(1)及氧化液喷嘴(2)向基体(3)的正面侧供给，对反应液和所述氧化液施加由重力以外的因素引起的2～150m/s2的加速度。
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公开(公告)号：CN101183603B
公开(公告)日：2011-04-13
申请号：CN200710180112.X
申请日：2007-10-10
Applicant: NEC东金株式会社
CPC classification number: H01F17/062 , H01F27/40 , H01G4/00 , H03H7/427 , H03H2001/0057 , H03H2001/0092
Abstract: 一种电感器件，包括磁芯、线圈、导体和电介质部件。所述线圈由多匝绝缘导线组成。所述导体不同于线圈并且与所述磁芯绝缘。所述电介质部件布置在导体和线圈之间。所述电介质部件、导体和线圈构成电容。所述电感器件例如使用在过滤装置或噪音滤波器中。
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