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公开(公告)号：CN101969739B
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201010522292.7
申请日：2007-11-22
Applicant: NEC东金株式会社
Abstract: 一种多层印刷电路板，包括主要由磁性材料组成的内磁性层。内磁性层可以通过化学键或范德华力的作用来形成。内磁性层可以包括多个磁性单元，每一个所述磁性单元提供磁力，以及可以通过使用强相互作用，将磁性单元彼此磁性地耦合，来形成所述内磁性层。内磁性层可以主要由铁氧体膜组成。可以通过化学浸镀方法将铁氧体膜直接形成于内导电层上。铁氧体膜可以主要由金属氧化物组成，其中金属成分由公式FeaNibZncCod来表示，其中：a+b+c+d＝3.0；2.1≤a≤2.7；0.1≤b≤0.3；0.1≤c≤0.7；以及0≤d≤0.15。
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公开(公告)号：CN101388378B
公开(公告)日：2011-01-26
申请号：CN200810149062.3
申请日：2001-04-04
Applicant: NEC东金株式会社
IPC: H01L23/552 , H01L23/66
CPC classification number: H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及电磁噪声抑制器、使用该抑制器的半导体器件及其制造方法。在半导体裸芯片(57)的前表面上形成集成电路，在半导体裸芯片的背侧表面上形成磁损耗薄膜55。
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公开(公告)号：CN101388378A
公开(公告)日：2009-03-18
申请号：CN200810149062.3
申请日：2001-04-04
Applicant: NEC东金株式会社
IPC: H01L23/552 , H01L23/66
CPC classification number: H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及电磁噪声抑制器、使用该抑制器的半导体器件及其制造方法。在半导体裸芯片(57)的前表面上形成集成电路，在半导体裸芯片的背侧表面上形成磁损耗薄膜(55)。
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公开(公告)号：CN1492452A
公开(公告)日：2004-04-28
申请号：CN03157969.8
申请日：2003-09-01
Applicant: NEC东金株式会社
IPC: H01F1/12 , H01F1/00 , H01F41/02 , H01L23/552
CPC classification number: H05K9/0083 , H01F1/14758 , H01F1/14791 , H01F1/37 , H01F41/0246 , Y10T428/12014 , Y10T428/25
Abstract: 一种包括有软磁粉末和粘合剂的磁损材料。在磁损材料中，虚部磁导率(μ”)的频散曲线具有至少两个不同的频散部分，其包括相对高频侧的第一频散部分(D1)和相对低频侧的第二频散部分(D2)。虚部磁导率具有分别在第一和第二频散部分内为最大的第一和第二最大值(μ”max(D1)和μ”max(D2))。第二最大值等于或大于第一最大值。第二频散部分可以是由磁共振引起的频散。第一频散部分可以是由涡流引起的频散。
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公开(公告)号：CN104789909A
公开(公告)日：2015-07-22
申请号：CN201510101184.5
申请日：2010-07-20
Applicant: NEC东金株式会社 , 国立大学法人东北大学
CPC classification number: C22C45/02 , B22F1/0044 , B22F1/0048 , C21D6/00 , C21D2201/03 , C22C33/003 , H01F1/15308 , H01F1/15333
Abstract: 一种组成式为Fe(100-X-Y-Z)BXPYCuZ的合金组成物，其中，4≤X≤14at％，0＜Y≤10at％，0.5≤Z≤2at％。本合金组成物是以非晶相为主相。将该合金组成物作为初始原料进行热处理时，可以析出含有25nm以下的bccFe的纳米结晶，并能得到具有良好磁特性的铁基纳米结晶合金。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1930643A
公开(公告)日：2007-03-14
申请号：CN200580007538.4
申请日：2005-03-08
CPC classification number: H05K9/0083 , B82Y25/00 , H01F1/28 , H01F10/007 , H05K1/0233
Abstract: 电磁噪声抑制薄膜具有如下的结构，即由Fe、Co、或Ni各自的纯金属或至少含有20重量％的所述纯金属的合金组成的柱状结构体埋入作为氧化物、氮化物或氟化物或它们的混合物的无机物质的绝缘性母体中。
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公开(公告)号：CN1199545C
公开(公告)日：2005-04-27
申请号：CN01116910.9
申请日：1995-01-18
Applicant: NEC东金株式会社
CPC classification number: H05K9/0088 , H01L23/552 , H01L2924/0002 , H05K1/0233 , H05K1/0373 , H05K3/284 , H05K2201/086 , H05K2201/10689 , H05K2201/2036 , Y10T428/12014 , H01L2924/00
Abstract: 为抑制非需要电磁波干扰的防干扰体。该物体包括导电支承元件和设在至少一面上的非导电软磁层。该防干扰体可用于包含电路板与装在其上的有源元件的电子装置中，并置于电路板与有源元件之间以防有源元件产生的感应噪声。该防干扰体还可用于有装在一电路板上的有源与无源元件的混合集成电路元件中。该集成电路元件被非导电层覆盖和密封，而该防干扰体覆盖住非导电层的外表面。
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公开(公告)号：CN1190804C
公开(公告)日：2005-02-23
申请号：CN01800621.3
申请日：2001-01-24
Applicant: NEC东金株式会社
Abstract: 提供了一种在准微波范围有复导磁率最大值的磁物质，用于压制小型电子装置中的高频噪声。该磁物质是由包含M、X和Y的磁合成物构成的，这里M是包含Fe、Co和/或Ni的金属磁性材料，X是不同于M和Y的一种或多种元素，Y是F、N和/或O。M-X-Y磁合成物中M的浓度使得所述M-X-Y磁合成物的饱和磁化强度为只含有M的金属磁性材料体的饱和磁化强度的35-80%。该磁合成物在频率0.1-10千兆赫(GHz)范围内有复导磁率μ″的最大值μ″max。
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公开(公告)号：CN1154125C
公开(公告)日：2004-06-16
申请号：CN97191121.5
申请日：1997-08-25
Applicant: NEC东金株式会社
CPC classification number: H01L23/552 , H01F1/24 , H01F1/26 , H01F1/33 , H01L2924/0002 , H01Q1/526 , H01Q17/00 , Y10T428/24372 , Y10T428/24413 , H01L2924/00
Abstract: 一种抗电磁干扰元件，对有源器件设置，不损害原有器件的功能，对向外辐射的电磁波的穿透具有屏蔽效果，而且可以抑制因与周围元件之间的相互干扰和对信号线的电磁感应引起的误动作。抗电磁干扰元件由包含表面具有氧化膜的软磁粉末和有机粘接剂的复合磁性体构成，因该复合磁性体具有复导磁系数的关系，所以，将不需要的高频电磁辐射转换成热，使之消灭。
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公开(公告)号：CN1097270C
公开(公告)日：2002-12-25
申请号：CN96112346.X
申请日：1996-09-20
Applicant: NEC东金株式会社
CPC classification number: H05K9/0083 , H01F1/28
Abstract: 一种用作电磁干扰抑制体的合成体磁颗粒，包括：软磁粉，其中至少一种软磁成分具有磁致伸缩常数，此粉末的每一颗粒是片状的；和有机粘结剂，用于粘结分散于其中的所述软磁粉。软磁粉在形成片状后进行退火处理。软磁粉的片状颗粒的平均厚度小于趋肤深度，在所述趋肤深度内会在采用所述合成磁颗粒的频带上产生趋肤效应，每一颗粒具有一个外氧化层。
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