公开(公告)号：DE112016000485T5

公开(公告)日：2017-11-02

申请号：DE112016000485

申请日：2016-03-02

Applicant: NISSHA PRINTING

Inventor： NADA HIDEAKI ,  OMOTE RYOMEI ,  SHIGENO HIROTAKA ,  SAKATA YOSHIHIRO ,  OKUMURA SHUZO

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/768 ,  H01L21/8238 ,  H01L23/522 ,  H01L27/092 ,  H01L29/786

Abstract: Es werden ein Verfahren zum Herstellen eines Dünnfilmtransistors und ein Dünnfilmtransistor angegeben, das/der eine Verschlechterung und Variation der Leistung verhindert. Ein Verfahren zum Herstellen eines Dünnfilmtransistors (1B) umfasst: das Bilden einer Oxidhalbleiterschicht 3 auf einer ersten Hauptfläche eines Substrats 2; das Bilden einer ersten leitenden Schicht auf der Oxidhalbleiterschicht 3, während eine zweite leitende Schicht auf einer zweiten Hauptfläche des Substrats 2 gebildet wird; das kollektive Bilden von Maskenschichten auf der ersten leitenden Schicht und der zweiten leitenden Schicht; und das kollektive Inkontaktbringen der ersten leitenden Schicht und der zweiten leitenden Schicht mit Ätzflüssigkeit, so dass Teilbereiche der ersten leitenden Schicht und der zweiten leitenden Schicht entfernt werden, um eine Source-Elektrode 6 und eine Drain-Elektrode 7 auf der Oxidhalbleiterschicht 3 zu bilden, während eine Gate-Elektrode 5 auf der zweiten Hauptfläche des Substrats 2 gebildet wird.

公开(公告)号：DE112016000497T5

公开(公告)日：2017-11-02

申请号：DE112016000497

申请日：2016-03-02

Applicant: NISSHA PRINTING

Inventor： NADA HIDEAKI ,  SAKATA YOSHIHIRO ,  NAKAMURA KAZUTO ,  OMOTE RYOMEI ,  SHIGENO HIROTAKA ,  NAKAYA HAYATO

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/768 ,  H01L21/8238 ,  H01L23/522 ,  H01L27/092 ,  H01L29/786

Abstract: Es werden ein Verfahren zum Herstellen eines Dünnfilmtransistors und ein Dünnfilmtransistor angegeben, das/der eine Verschlechterung und Variation der Leistung verhindert. Ein Verfahren zum Herstellen eines Dünnfilmtransistors (1B) umfasst: das Bilden einer organischen Halbleiterschicht 3 auf einer ersten Hauptfläche eines Substrats 2; das Bilden einer ersten leitenden Schicht auf der organischen Halbleiterschicht 3, während eine zweite Halbleiterschicht auf einer zweiten Hauptfläche des Substrats gebildet wird; das kollektive Bilden von Maskenschichten auf der ersten leitenden Schicht und der zweiten leitenden Schicht; und das Inkontaktbringen der ersten leitenden Schicht und der zweiten leitenden Schicht mit Ätzflüssigkeit, so dass Teilbereiche der ersten leitenden Schicht und der zweiten leitenden Schicht entfernt werden, um eine Source-Elektrode 6 und eine Drain-Elektrode 7 auf der organischen Halbleiterschicht 3 zu bilden, während eine Gate-Elektrode 5 auf der zweiten Hauptfläche des Substrats 2 gebildet wird.

公开(公告)号：JP2010173090A

公开(公告)日：2010-08-12

申请号：JP2009015288

申请日：2009-01-27

Applicant: Nissha Printing Co Ltd ,  日本写真印刷株式会社

Inventor： SAKANE MASAYASU ,  TERASAWA KAZUO ,  NADA HIDEAKI

IPC: B32B33/00 ,  B32B7/02 ,  B32B9/00 ,  H04M1/02

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a design sheet having a metallic-luster-finished window frame pattern that is a metallic-luster-finished in design, excellent in electric wave permeability, and improved in the visibility of a transparent window part, and to provide a method for manufacturing the same. SOLUTION: The design sheet 1 having the metallic-luster-finished window frame pattern includes: a metallic-luster-finished design layer 30 formed from a window frame pattern 3 on a transparent substrate sheet 7 and including at least one high refractive dielectric layer 10; and a concealing layer 40 formed so as to match the window frame pattern 3 of the metallic-luster-finished design layer 30. The method for manufacturing the design sheet 1 includes: a step of forming a metallic-luster-finished design layer 30 including at least one high refractive dielectric layer 10 on the entire transparent substrate sheet 7; a step of forming an etching resist layer on a surface opposite the substrate sheet 7 by means of a window frame pattern 3; and a step of forming a concealing layer 40 so as to match the window frame pattern 3 of the metallic-luster-finished design layer 30. COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT

Abstract translation: 要解决的问题：提供一种具有金属光泽的窗框架图案的设计片，其设计为金属光泽，电波通透性优异，并且提高透明窗部分的可见度 ，并提供其制造方法。 解决方案：具有金属光泽的窗框架图案的设计片材1包括：由透明基片7上的窗框图案3形成并包括至少一个高折射率的金属光泽成品设计层30 电介质层10; 以及形成为与金属光泽化设计层30的窗框图案3相匹配的隐蔽层40.制造设计片1的方法包括：形成金属光泽成形设计层30的步骤，包括 整个透明基片7上至少有一个高折射介电层10; 通过窗框图案3在与基板7相对的表面上形成抗蚀剂层的步骤; 以及形成隐蔽层40以匹配金属光泽设计层30的窗框图案3的步骤。（C）2010，JPO＆INPIT

公开(公告)号：JP2012194644A

公开(公告)日：2012-10-11

申请号：JP2011056508

申请日：2011-03-15

Applicant: Nissha Printing Co Ltd ,  日本写真印刷株式会社

Inventor： NADA HIDEAKI

IPC: G06F3/041 ,  B32B7/02 ,  B32B9/00 ,  B32B15/04 ,  B32B27/36 ,  G06F3/044

CPC classification number: G06F3/044 ,  B32B27/36 ,  B32B27/365 ,  B32B2255/20 ,  B32B2307/734 ,  G06F2203/04103

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a manufacturing method of a film with a one-side conductive film for an electrostatic sensor, which can give a film with a one-side conductive film for an electrostatic sensor, preventing occurrence of heat wrinkles even in deposition of a conductive layer by high power.SOLUTION: The manufacturing method of a film with a one-side conductive layer for an electrostatic sensor of the present invention comprises: a step of laminating a base film having light transmitting property with a heat wrinkle-preventing film through an adhesive agent to obtain a laminate where the above heat wrinkle-preventing film is temporarily adhered on one-side of the above base film; a step of laminating a conductive film having light transmitting property on the above base film side surface of the above laminate by the physical vapor deposition method; a step of laminating a conductive film having light shielding property on the above conductive film having light transmitting property by the physical vapor deposition method; and a step of peeling the above heat wrinkle-preventing film from the above laminate provided with the above conductive film having light transmitting property and the above conductive film having light shielding property.

Abstract translation: 要解决的问题：为了提供一种具有用于静电传感器的单面导电膜的膜的制造方法，其可以给具有用于静电传感器的单面导电膜的膜，防止发生热皱纹 甚至在通过高功率沉积导电层时也是如此。 解决方案：本发明的静电传感器用单面导电层的薄膜的制造方法包括：通过粘合剂层叠具有透光性的基膜与耐热皱纹防止膜的工序 得到上述耐热皱纹膜暂时粘附在上述基膜的一面上的层叠体; 通过物理气相沉积法在上述层压体的上述基膜侧表面层压具有透光性的导电膜的步骤; 通过物理气相沉积法在具有透光性的上述导电膜上层压具有遮光性的导电膜的步骤; 以及从具有透光性的上述导电膜的上述层叠体和具有遮光性的上述导电膜剥离上述耐热皱纹膜的工序。 版权所有（C）2013，JPO＆INPIT