公开(公告)号：DE112016000497T5

公开(公告)日：2017-11-02

申请号：DE112016000497

申请日：2016-03-02

Applicant: NISSHA PRINTING

Inventor： NADA HIDEAKI ,  SAKATA YOSHIHIRO ,  NAKAMURA KAZUTO ,  OMOTE RYOMEI ,  SHIGENO HIROTAKA ,  NAKAYA HAYATO

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/768 ,  H01L21/8238 ,  H01L23/522 ,  H01L27/092 ,  H01L29/786

Abstract: Es werden ein Verfahren zum Herstellen eines Dünnfilmtransistors und ein Dünnfilmtransistor angegeben, das/der eine Verschlechterung und Variation der Leistung verhindert. Ein Verfahren zum Herstellen eines Dünnfilmtransistors (1B) umfasst: das Bilden einer organischen Halbleiterschicht 3 auf einer ersten Hauptfläche eines Substrats 2; das Bilden einer ersten leitenden Schicht auf der organischen Halbleiterschicht 3, während eine zweite Halbleiterschicht auf einer zweiten Hauptfläche des Substrats gebildet wird; das kollektive Bilden von Maskenschichten auf der ersten leitenden Schicht und der zweiten leitenden Schicht; und das Inkontaktbringen der ersten leitenden Schicht und der zweiten leitenden Schicht mit Ätzflüssigkeit, so dass Teilbereiche der ersten leitenden Schicht und der zweiten leitenden Schicht entfernt werden, um eine Source-Elektrode 6 und eine Drain-Elektrode 7 auf der organischen Halbleiterschicht 3 zu bilden, während eine Gate-Elektrode 5 auf der zweiten Hauptfläche des Substrats 2 gebildet wird.