中科微点-全球专利检索

  1. Login
  2. Sign Up

Search Results

56 records (took 0.026 seconds)

    Verfahren zum Herstellen eines Dünnfilmtransistors und Dünnfilmtransistor
    1.
    发明专利
    Verfahren zum Herstellen eines Dünnfilmtransistors und Dünnfilmtransistor 未知

    公开(公告)号：DE112016000485T5

    公开(公告)日：2017-11-02

    申请号：DE112016000485

    申请日：2016-03-02

    Applicant: NISSHA PRINTING

    Inventor： NADA HIDEAKI ,  OMOTE RYOMEI ,  SHIGENO HIROTAKA ,  SAKATA YOSHIHIRO ,  OKUMURA SHUZO

    IPC: H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/768 ,  H01L21/8238 ,  H01L23/522 ,  H01L27/092 ,  H01L29/786

    Abstract: Es werden ein Verfahren zum Herstellen eines Dünnfilmtransistors und ein Dünnfilmtransistor angegeben, das/der eine Verschlechterung und Variation der Leistung verhindert. Ein Verfahren zum Herstellen eines Dünnfilmtransistors (1B) umfasst: das Bilden einer Oxidhalbleiterschicht 3 auf einer ersten Hauptfläche eines Substrats 2; das Bilden einer ersten leitenden Schicht auf der Oxidhalbleiterschicht 3, während eine zweite leitende Schicht auf einer zweiten Hauptfläche des Substrats 2 gebildet wird; das kollektive Bilden von Maskenschichten auf der ersten leitenden Schicht und der zweiten leitenden Schicht; und das kollektive Inkontaktbringen der ersten leitenden Schicht und der zweiten leitenden Schicht mit Ätzflüssigkeit, so dass Teilbereiche der ersten leitenden Schicht und der zweiten leitenden Schicht entfernt werden, um eine Source-Elektrode 6 und eine Drain-Elektrode 7 auf der Oxidhalbleiterschicht 3 zu bilden, während eine Gate-Elektrode 5 auf der zweiten Hauptfläche des Substrats 2 gebildet wird.

    2.
    发明专利
    未知

    公开(公告)号：BRPI0810368A2

    公开(公告)日：2014-10-29

    申请号：BRPI0810368

    申请日：2008-04-09

    Applicant: NISSHA PRINTING

    Inventor： OKUMURA SHUZO ,  OMOTE RYOMEI ,  HASHIMOTO TAKAO ,  MATSUI YUKI

    IPC: H01Q1/44 ,  H01Q1/24 ,  H01Q1/38 ,  H04M1/00 ,  H04M1/02 ,  H05K9/00

    Abstract: Provided are a transparent cover 1 having a light transmittance of not less than 50%, in which transparent cover a circuit pattern of a conductive material is provided between two sheet-like transparent substrates 5a and 5b, a device main body 2 that couples the transparent cover 1 thereto in an openable/closable manner such that members 3 and 4 provided on a surface thereof are concealed or exposed by the transparent cover 1 being opened or closed, an open/close determination part 7 for determining whether the transparent cover is open or closed, and function switching parts 22 and 23 for switching functions of the circuit pattern based on the determination of the open/close determination part as to whether the transparent over is open or closed.

    Verfahren zum Herstellen eines Dünnfilmtransistors und Dünnfilmtransistor
    3.
    发明专利
    Verfahren zum Herstellen eines Dünnfilmtransistors und Dünnfilmtransistor 未知

    公开(公告)号：DE112016000497T5

    公开(公告)日：2017-11-02

    申请号：DE112016000497

    申请日：2016-03-02

    Applicant: NISSHA PRINTING

    Inventor： NADA HIDEAKI ,  SAKATA YOSHIHIRO ,  NAKAMURA KAZUTO ,  OMOTE RYOMEI ,  SHIGENO HIROTAKA ,  NAKAYA HAYATO

    IPC: H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/768 ,  H01L21/8238 ,  H01L23/522 ,  H01L27/092 ,  H01L29/786

    Abstract: Es werden ein Verfahren zum Herstellen eines Dünnfilmtransistors und ein Dünnfilmtransistor angegeben, das/der eine Verschlechterung und Variation der Leistung verhindert. Ein Verfahren zum Herstellen eines Dünnfilmtransistors (1B) umfasst: das Bilden einer organischen Halbleiterschicht 3 auf einer ersten Hauptfläche eines Substrats 2; das Bilden einer ersten leitenden Schicht auf der organischen Halbleiterschicht 3, während eine zweite Halbleiterschicht auf einer zweiten Hauptfläche des Substrats gebildet wird; das kollektive Bilden von Maskenschichten auf der ersten leitenden Schicht und der zweiten leitenden Schicht; und das Inkontaktbringen der ersten leitenden Schicht und der zweiten leitenden Schicht mit Ätzflüssigkeit, so dass Teilbereiche der ersten leitenden Schicht und der zweiten leitenden Schicht entfernt werden, um eine Source-Elektrode 6 und eine Drain-Elektrode 7 auf der organischen Halbleiterschicht 3 zu bilden, während eine Gate-Elektrode 5 auf der zweiten Hauptfläche des Substrats 2 gebildet wird.

    4.
    发明专利
    未知

    公开(公告)号：BRPI0810364A2

    公开(公告)日：2014-10-29

    申请号：BRPI0810364

    申请日：2008-04-09

    Applicant: NISSHA PRINTING

    Inventor： OKUMURA SHUZO ,  OMOTE RYOMEI ,  HASHIMOTO TAKAO ,  MATSUI YUKI

    IPC: H01B5/14 ,  B32B5/02 ,  B32B7/02 ,  H05K9/00

    Abstract: Provided is a transparent thin plate including a transparent substrate 10 in a sheet form, a mesh layer 11 formed on a surface of the transparent substrate 10 and made of an opaque material having a structure wherein an outline of meshes is made of bands that are very thin and have a substantially equal width, and having a light transmittance of 50% or more, and a colored layer 16 that is arranged in a state that the layer 16 is laminated in a partial area of the mesh layer and on the surface of the mesh layer, and has a color different from that of the opaque material constituting the mesh layer 11.

    METHOD FOR MANUFACTURING TOUCH SENSOR
    5.
    发明公开
    METHOD FOR MANUFACTURING TOUCH SENSOR 审中-公开

    公开(公告)号：EP3264237A4

    公开(公告)日：2018-04-18

    申请号：EP16802911

    申请日：2016-04-08

    Applicant: NISSHA PRINTING

    Inventor： OMOTE RYOMEI ,  HASHIMOTO TAKAO ,  NISHIMURA TAKESHI

    IPC: G06F3/041 ,  G06F3/044 ,  H05K3/06

    CPC classification number: G06F3/044 ,  G03F7/20 ,  G06F3/0416 ,  G06F2203/04103 ,  H05K3/0023 ,  H05K3/06 ,  H05K3/064 ,  H05K3/22 ,  H05K2203/0307

    Abstract: [Object] To provide a method for manufacturing a touch sensor capable of concurrently forming routed circuit patterns on both surfaces of a base film and capable of aligning the routed circuit patterns on the top and bottom surfaces with each other with high accuracy. [Solution] A method for manufacturing a touch sensor includes forming electrode patterns on both surfaces of a base film through concurrent light exposure on both surfaces and development using photosensitive electrically conductive films each including a support film, an electrically conductive layer disposed on the support film and containing an electrically conductive fiber, and a second photosensitive resin layer disposed on the electrically conductive layer. Routed circuit patterns obtained by patterning the light-shielding metal layers are formed in advance on both surfaces of the base film.

Patent Agency Ranking