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公开(公告)号：WO2011148778A8
公开(公告)日：2012-02-23
申请号：PCT/JP2011060714
申请日：2011-05-10
Applicant: OMRON TATEISI ELECTRONICS CO , ST MICROELECTRONICS SRL , KASAI TAKASHI , UCHIDA YUKI , HORIMOTO YASUHIRO , CONTI SEBASTIANO
Inventor： KASAI TAKASHI , UCHIDA YUKI , HORIMOTO YASUHIRO , CONTI SEBASTIANO
IPC: H04R19/04
CPC classification number: H04R3/00 , H04R19/016
Abstract: In an acoustic sensor (11), a vibrating membrane (22) and a fixed membrane (23) are formed on the upper face of a semiconductor substrate, and an acoustic wave is detected by the change of capacitance between a vibration electrode (22a) of the vibrating membrane (22) and a fixed electrode (23a) of the fixed membrane (23). The fixed membrane(23) is provided with a plurality of sound holes (32) for delivering the acoustic wave from the outside to the vibrating membrane (22), and the fixed electrode (23a) is formed so that the boundary of the edge portion (40) does not intersect the sound holes (32).
Abstract translation: 在声学传感器（11）中，在半导体衬底的上表面上形成振动膜（22）和固定膜（23），并且通过振动电极（22a） 的振动膜（22）和固定膜（23）的固定电极（23a）。 固定膜（23）设有多个用于将声波从外部输送到振动膜（22）的声孔（32），并且固定电极（23a）形成为使得边缘部分 （40）不与声孔（32）相交。
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公开(公告)号：DE112020001358T5
公开(公告)日：2021-12-09
申请号：DE112020001358
申请日：2020-03-17
Applicant: OMRON TATEISI ELECTRONICS CO
Inventor： KAMIYAMA SUSUMU , KANO HAJIME , NAKAGAWA SHINYA , NAKAO HIDEYUKI , HANDA KENICHI , KASAI TAKASHI
Abstract: Es ist möglich, eine Abnahme der Genauigkeit der Messung der Konzentration eines Messzielgases selbst dann zu reduzieren, wenn in einem Gasgemisch ein Gas vorhanden ist, das sich von einem anderen Gas hinsichtlich einer Änderungsrate der Wärmeleitfähigkeit in Bezug auf die Temperatur stark unterscheidet. Die Konzentrationsmessvorrichtung umfasst einen Sensor, der dafür eingerichtet ist, die Konzentration eines Messzielgases in einem Gasgemisch auf der Grundlage der Wärmeleitfähigkeit des Messzielgases zu messen, wobei das Gasgemisch zwei oder mehr Komponenten enthält, und eine Heizeinheit, die dafür eingerichtet ist, das Gasgemisch zu erwärmen, so dass eine Konzentration des Messzielgases eindeutig in Bezug auf die Wärmeleitfähigkeit bestimmt werden kann.
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公开(公告)号：DE112013003536T5
公开(公告)日：2015-04-09
申请号：DE112013003536
申请日：2013-08-12
Applicant: OMRON TATEISI ELECTRONICS CO
Inventor： UCHIDA YUKI , KASAI TAKASHI
Abstract: Über einem Siliziumsubstrat 12 sind Membranen 13a, 13b, die durch einen Schlitz 17 abgeteilt wurden, angeordnet. An der Oberseite des Substrats 12 ist eine Rückplatte 18 so ausgebildet, dass sie die Membranen 13a, 13b abdeckt, und an ihrer Unterseite ist eine feste Elektrodenplatte 19 den Membranen 13a, 13b gegenüberliegend angeordnet. Die feste Elektrodenplatte 19 ist in zwei Bereiche unterteilt und bildet eine erste feste Elektrodenplatte 19a und eine zweite feste Elektrodenplatte 19b. Zwischen der ersten festen Elektrodenplatte 19a und der zweiten festen Elektrodenplatte 19b ist eine Barriereelektrode 34 so ausgebildet, dass sie eine Abteilung zwischen den beiden festen Elektrodenplatten 19a, 19b vornimmt. In der Rückplatte 18 und in den festen Elektrodenplaten 19a, 19b sind mehrere Akustiklöcher 24 ausgebildet.
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公开(公告)号：DE112013002734B4
公开(公告)日：2019-06-27
申请号：DE112013002734
申请日：2013-05-22
Applicant: OMRON TATEISI ELECTRONICS CO
Inventor： UCHIDA YUKI , KASAI TAKASHI
Abstract: Kapazitanzsensor (11), umfassendeine schwingende Elektrodenplatte (13), die über einem Substrat (12) gebildet ist,eine Rückplatte (18), die so über dem Substrat (12) gebildet ist, dass sie die schwingende Elektrodenplatte (13) abdeckt, undeine feste Elektrodenplatte (19), die so an der Rückplatte (18) bereitgestellt ist, dass sie der schwingenden Elektrodenplatte (13) gegenüberliegt,wobeiwenigstens eines aus der schwingenden Elektrodenplatte (13) und der festen Elektrodenplatte (19) in mehrere Bereiche unterteilt ist, und in jedem einzelnen der abgeteilten Bereiche jeweils ein Erfassungsteil aus der schwingenden Elektrodenplatte (13) und der festen Elektrodenplatte (19) gebildet ist,von den mehreren Erfassungsteilen mehrere Signale mit unterschiedlicher Empfindlichkeit ausgegeben werden,sich die Fläche der schwingenden Elektrodenplatte (13) wenigstens eines Teils der Erfassungsteile aus den mehreren Erfassungsteilen von der Fläche der schwingenden Elektrodenplatte (13) der anderen Erfassungsteile unterscheidet, unddie Starrheit der Rückplatte (18) in dem Bereich jenes Teils der Erfassungsteile mit einer kleinflächigen schwingenden Elektrodenplatte (13) unter den Erfassungsteilen höher als die Starrheit der Rückplatte (18) bei den anderen Erfassungsteilen mit einer großflächigen schwingenden Elektrodenplatte (13) ist, so dass bei einem auf den Kapazitanzsensor (11) wirkenden Stoß, der bewirkt, dass sich die schwingende Elektrodenplatte (13) so verformt, dass die schwingende Elektrodenplatte (13) mit der Rückplatte (18) zusammenstößt, die Deformation in dem Bereich der Rückplatte (18) mit höherer Starrheit geringer ist, wenn die schwingende Elektrodenplatte (13) mit dem Bereich der Rückplatte (18) mit höherer Starrheit zusammenstößt, als eine Deformation in dem Bereich der Rückplatte (18) mit geringerer Starrheit, wenn die schwingende Elektrodenplatte (13) mit dem Bereich der Rückplatte (18) mit geringerer Starrheit zusammenstößt.
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公开(公告)号：DE112012005792B4
公开(公告)日：2021-03-25
申请号：DE112012005792
申请日：2012-11-14
Applicant: OMRON TATEISI ELECTRONICS CO
Inventor： KASAI TAKASHI , INOUE TADASHI
Abstract: Kapazitiver Sensor, welcher aufweist:ein Substrat (32);eine über dem Substrat vorgesehene bewegliche Elektrode (33);eine Schutzdünnschicht (39), die an einer Oberseite des Substrats (32) so angebracht ist, dass sie die bewegliche Elektrode (33) unter Einhaltung eines Zwischenraums überdeckt, wobei die Schutzdünnschicht (39) aus einem isolierenden Material gebildet ist; undeine Festelektrode (40), die auf der Schutzdünnschicht (39) an einer Stelle vorgesehen ist, die der beweglichen Elektrode (33) gegenüber liegt,wobei der kapazitive Sensor eine physikalische Größe in eine elektrostatische Kapazität zwischen der beweglichen Elektrode (33) und der Festelektrode (40) umwandelt,ein gesamter äußerer Umfangsrand der Oberseite des Substrats (32) Luft ausgesetzt ist und nicht von der Schutzdünnschicht (39) bedeckt ist,eine Isolationslage (47) aus einem isolierenden Material in einem Teil gebildet ist, der Luft ausgesetzt ist und nicht von der Schutzdünnschicht (39) auf der Oberseite des Substrats (32) bedeckt ist, wobei der gesamte äußere Umfangsrand der Oberseite des Substrats (32), der Luft ausgesetzt ist, sich außerhalb der Isolationslage (47) befindet, und eine mit der beweglichen Elektrode (33) elektrisch verbundene Elektrodenanschlussfläche (48) und/oder eine mit der Festelektrode (40) elektrisch verbundene Elektrodenanschlussfläche (49) auf einer Oberseite der Isolationslage (47) vorgesehen ist.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：DE112013003536B4
公开(公告)日：2019-06-27
申请号：DE112013003536
申请日：2013-08-12
Applicant: OMRON TATEISI ELECTRONICS CO
Inventor： UCHIDA YUKI , KASAI TAKASHI
Abstract: Kapazitiver Sensor, dadurch gekennzeichnet, dass er Folgendes umfasst:ein Substrat,eine schwingende Elektrodenplatte, die über dem Substrat gebildet ist,eine Rückplatte, die so über dem Substrat gebildet ist, dass sie die schwingende Elektrodenplatte abdeckt,eine feste Elektrodenplatte, die so an der Rückplatte ausgebildet ist, dass sie der schwingenden Elektrodenplatte gegenüberliegt,Erfassungsteile, die jeweils in einzelnen abgeteilten Bereichen, wofür wenigstens eines aus der schwingenden Elektrodenplatte und der festen Elektrodenplatte in mehrere Bereiche unterteilt ist, gebildet sind und aus der schwingenden Elektrodenplatte und der festen Elektrodenplatte bestehen, undeine Barriereelektrode, die wenigstens zwischen einem Paar von benachbarten Erfassungsteilen der mehreren Erfassungsteile ausgebildet ist, um Interferenzen von Signalen zwischen den Erfassungsteilen zu verhindern.
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公开(公告)号：DE112013002734T5
公开(公告)日：2015-03-19
申请号：DE112013002734
申请日：2013-05-22
Applicant: OMRON TATEISI ELECTRONICS CO
Inventor： UCHIDA YUKI , KASAI TAKASHI
Abstract: Mittel zur Lösung: Eine Membran 13 ist über einem Siliziumsubstrat 12 angeordnet. An der oberen Fläche des Substrats 12 ist eine Rückplatte 18 so ausgebildet, dass sie die Membran 13 abdeckt, und an deren Unterseite ist eine feste Elektrodenplatte 19 angeordnet. Die Membran 13 ist in eine erste und eine zweite Membran 13a, 13b unterteilt. Ebenso ist die feste Elektrodenplatte 19 in eine erste und eine zweite feste Elektrodenplatte 19a, 19b unterteilt. Bei einem durch die zweite Membran 13b und die zweite feste Elektrodenplatte 19b gebildeten Schallerfassungsteil sind in der Rückplatte 18 Akustiklöcher 24b mit einem kleinen Öffnungsdurchmesser ausgebildet, und bei einem durch die erste Membran 13a und die erste feste Elektrodenplatte 19a gebildeten Schallerfassungsteil sind in der Rückplatte 18 Akustiklöcher 24a mit einem großen Öffnungsdurchmesser ausgebildet.
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公开(公告)号：DE112012005792T5
公开(公告)日：2014-10-09
申请号：DE112012005792
申请日：2012-11-14
Applicant: OMRON TATEISI ELECTRONICS CO
Inventor： KASAI TAKASHI , INOUE TADASHI
Abstract: Eine Membran 33 ist auf einer Oberseite eines Siliziumsubstrats 32 vorgesehen, und eine Platteneinheit 39 ist an der Oberseite des Siliziumsubstrats 32 eine Beweglichelektroden-Dünnschicht unter Einhaltung eines Zwischenraums abdeckend vorgesehen. Eine Platteneinheit 39 besteht aus einem isolierenden Material. Eine Festelektroden-Dünnschicht 40 ist an einer Unterseite der Platteneinheit 39 ausgebildet und die Membran 33 und die Festelektroden-Dünnschicht 40 bilden einen Kondensator. In einem Bereich um die Platteneinheit 39 herum liegt ein gesamter äußerer Umfangsrand der Oberseite des Siliziumsubstrats 32 aus der Platteneinheit 39 frei. Auf der Oberseite des Substrats 32 ist eine Isolationslage 47 aus einem isolierenden Material in einem Teil eines Bereichs ausgebildet, der aus der Platteneinheit 39 freiliegt, und eine Elektrodenanschlussfläche 48, die mit der Membran 33 elektrisch verbunden ist, und eine Elektrodenanschlussfläche 49, die mit der Festelektroden-Dünnschicht 40 elektrisch verbunden ist, sind auf einer Oberseite der Isolationslage 47 vorgesehen.
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公开(公告)号：EP2315457A4
公开(公告)日：2014-07-02
申请号：EP09800160
申请日：2009-02-19
Applicant: OMRON TATEISI ELECTRONICS CO
Inventor： KASAI TAKASHI , TSURUKAME YOSHITAKA
CPC classification number: H04R19/04 , H04R19/005 , H04R31/006
Abstract: A vibration electrode plate (34), which performs film vibration upon receiving vibration, is arranged on an upper surface of a silicon substrate (32) including a hollow portion (37). A fixed electrode plate (36) in which a plurality of acoustic perforations (43) passing therethrough in the thickness direction is opened is arranged on an upper side of the vibration electrode plate (34), and the vibration electrode plate (34) and the fixed electrode plate (36) are faced to each other. A vent hole (45) for communicating an air gap (35), which is between the vibration electrode plate (34) and the fixed electrode plate (36), to the hollow portion (37) is arranged between the upper surface of the silicon substrate (32) and the lower surface of the vibration electrode plate (34) at the periphery of the hollow portion (37). An air escape portion (42) in the form of a plurality of through-holes is opened in the vibration electrode plate (34) in the region corresponding to the vent hole (45).
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公开(公告)号：EP2182738A4
公开(公告)日：2013-03-27
申请号：EP09712468
申请日：2009-02-18
Applicant: OMRON TATEISI ELECTRONICS CO
Inventor： KASAI TAKASHI , ONO KAZUYUKI , TSURUKAME YOSHITAKA
CPC classification number: H04R19/005 , H04R2201/003
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