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    OPTOELECTRONIC APPARATUS AND OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR DEVICE
    1.
    发明申请
    OPTOELECTRONIC APPARATUS AND OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR DEVICE 审中-公开

    公开(公告)号：WO2023036654A1

    公开(公告)日：2023-03-16

    申请号：PCT/EP2022/074101

    申请日：2022-08-30

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： VARGHESE, Tansen ,  LEX, Andreas ,  AVRAMESCU, Adrian

    IPC: H01L25/075 ,  H01L33/20 ,  H01L33/24 ,  H01L33/60

    Abstract: An optoelectronic apparatus (20) comprises an array of optoelectronic semiconductor devices (10). The optoelectronic apparatus (20) comprises a semiconductor layer stack (105) comprising a first semiconductor layer (110) of a first conductivity type, an active zone (115), and a second semiconductor layer (120) of a second conductivity type. Adjacent optoelectronic semiconductor devices (10) are separated by separating elements (125) vertically extending through the semiconductor layer stack (105). The optoelectronic semiconductor devices (10) are configured to emit generated electromagnetic radiation (15) via a first main surface (111) of the first semiconductor layer (110). The optoelectronic apparatus (20) further comprises portions of a metal layer (130) arranged on a side of the first semiconductor layer (110) facing away from the active zone (115) and being arranged at positions of the separating elements (125).

    OPTOELEKTRONISCHES BAUELEMENT MIT EINER VIELZAHL VON STEGEN UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG DES OPTOELEKTRONISCHEN BAUELEMENTS
    2.
    发明申请
    OPTOELEKTRONISCHES BAUELEMENT MIT EINER VIELZAHL VON STEGEN UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG DES OPTOELEKTRONISCHEN BAUELEMENTS 审中-公开

    公开(公告)号：WO2019185641A1

    公开(公告)日：2019-10-03

    申请号：PCT/EP2019/057612

    申请日：2019-03-26

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： AVRAMESCU, Adrian ,  LUGAUER, Hans-Jürgen

    IPC: H01L33/00 ,  H01L27/15

    Abstract: Ein optoelektronisches Bauelement (10, 20) umfasst ein Substrat (100) und eine auf dem Substrat (100) angeordnete Halbleiter-Schichtstruktur (129). Die Halbleiter-Schichtstruktur (129) weist eine p-dotierte Schicht (124, 125, 156, 157, 192, 203, 204), eine erste leuchtaktive Schicht (123, 158) sowie eine n-dotierte Schicht (121, 122, 154, 155, 189) auf, wobei die n-dotierte Schicht (121, 122, 154, 155, 189) bei einem größerem Abstand zu einer Hauptoberfläche (110) des Substrats (100) angeordnet ist als die p-dotierte Schicht. Die Halbleiter-Schichtstruktur (129) ist zu einer Vielzahl von Stegen (130) strukturiert, deren laterale Abmessung jeweils kleiner als eine laterale Abmessung des Substrats (100) ist.

    OPTOELEKTRONISCHES HALBLEITERBAUELEMENT
    4.
    发明申请
    OPTOELEKTRONISCHES HALBLEITERBAUELEMENT 审中-公开
    光电半导体器件

    公开(公告)号：WO2007124723A1

    公开(公告)日：2007-11-08

    申请号：PCT/DE2007/000741

    申请日：2007-04-25

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  ZEHNDER, Ulrich ,  AVRAMESCU, Adrian ,  BADER, Stefan

    Inventor： ZEHNDER, Ulrich ,  AVRAMESCU, Adrian ,  BADER, Stefan

    IPC: H01L33/00

    CPC classification number: H01L33/025 ,  H01L33/02 ,  H01L33/32 ,  H01L2924/0002 ,  H01S5/3063 ,  H01S5/3072 ,  H01L2924/00

    Abstract: Es wird ein optoelektronisches Halbleiterbauelement angegeben mit: - einer aktiven Schicht (3), die zur Strahlungserzeugung vorgesehen ist, - einer Diffusionskontrollschicht (4), die auf der aktiven Schicht angeordnet ist, und - einer p-leitenden Schicht (5), die mit einem p-Dotierstoff (11) dotiert ist und die auf der Diffusionskontrollschicht (4) angeordnet ist, wobei - die Diffusionskontrollschicht (4) einen Gradienten in der Konzentration des p-Dotierstoffs (11) aufweist und - die Konzentration des p-Dotierstoffs (11) in der Diffusionskontrollschicht (4) in Richtung (10) der aktiven Schicht (3) abnimmt. Darüber hinaus wird ein Verfahren zur Herstellung eines solchen Halbleiterbauelements angegeben.

    Abstract translation: 它的光电子半导体器件是由下式给出： - （3）设置用于产生辐射的有源层， - 一个扩散控制层（4）设置在所述有源层上，以及 - 一个p型层（5）设置有 一个p型掺杂剂（11）被掺杂和扩散控制层（4）被布置，其特征在于， - 所述扩散控制层（4）具有在所述p型掺杂剂（11）的浓度梯度，以及 - 所述p型掺杂剂的浓度（11 ）（在活性层的扩散控制层4）减小（在方向10）（3）。 此外，提供了一种制造这种半导体器件的方法。

    VERBUNDSUBSTRAT UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES VERBUNDSUBSTRATS
    5.
    发明申请
    VERBUNDSUBSTRAT UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES VERBUNDSUBSTRATS 审中-公开
    复合基板及其制造方法的复合基板

    公开(公告)号：WO2007121735A2

    公开(公告)日：2007-11-01

    申请号：PCT/DE2007/000725

    申请日：2007-04-20

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  HÄRLE, Volker ,  STRAUSS, Uwe ,  BRÜDERL, Georg ,  EICHLER, Christoph ,  AVRAMESCU, Adrian

    Inventor： HÄRLE, Volker ,  STRAUSS, Uwe ,  BRÜDERL, Georg ,  EICHLER, Christoph ,  AVRAMESCU, Adrian

    IPC: H01L21/18 ,  H01L21/20 ,  H01L21/762 ,  H01L31/0248

    CPC classification number: H01L31/184 ,  H01L21/76254 ,  H01L31/1852 ,  H01L33/007 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/0079 ,  Y02E10/544

    Abstract: Es wird ein Verbundsubstrat (1) mit einem Substratkörper (2) und einer auf dem Substratkörper (2) befestigten Nutzschicht (31) angegeben, wobei zwischen der Nutzschicht (31) und dem Substratkörper (2) eine Planarisierungsschicht (4) angeordnet ist. Weiterhin wird ein Verfahren zur Herstellung eines Verbundsubstrats (1) angegeben, bei dem auf einem bereitgestellten Nutzsubstrat (3) eine Planarisierungsschicht (4) aufgebracht wird. Das Nutzsubstrat (3) wird auf einem Substratkörper (2) für das Verbundsubstrat (1) befestigt. Nachfolgend wird das Nutzsubstrat (3) abgetrennt, wobei eine Nutzschicht (31) des Nutzsubstrats (3) für das Verbundsubstrat (1) auf dem Substratkörper (2) verbleibt.

    Abstract translation: 本发明提供一种复合衬底（1），具有基板主体（2）和一个在基板主体（2）固定到穿层（31），其中，所述耐磨层（31）和所述基板主体（2）之间被布置在平坦化层上（4）。 此外，在其中设置（3）提供的平坦化层（4）施加一个有用的基片上制造的复合基板（1）的方法。 有用的基片（3）被用于复合基板安装在基板主体（2）（1）。 随后，将有用的衬底（3）分离出，其中，对于所述基板主体上的复合衬底（1）有用的衬底（3）的耐磨层（31）保持（2）。

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