公开(公告)号：WO2023036654A1

公开(公告)日：2023-03-16

申请号：PCT/EP2022/074101

申请日：2022-08-30

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： VARGHESE, Tansen ,  LEX, Andreas ,  AVRAMESCU, Adrian

IPC: H01L25/075 ,  H01L33/20 ,  H01L33/24 ,  H01L33/60

Abstract: An optoelectronic apparatus (20) comprises an array of optoelectronic semiconductor devices (10). The optoelectronic apparatus (20) comprises a semiconductor layer stack (105) comprising a first semiconductor layer (110) of a first conductivity type, an active zone (115), and a second semiconductor layer (120) of a second conductivity type. Adjacent optoelectronic semiconductor devices (10) are separated by separating elements (125) vertically extending through the semiconductor layer stack (105). The optoelectronic semiconductor devices (10) are configured to emit generated electromagnetic radiation (15) via a first main surface (111) of the first semiconductor layer (110). The optoelectronic apparatus (20) further comprises portions of a metal layer (130) arranged on a side of the first semiconductor layer (110) facing away from the active zone (115) and being arranged at positions of the separating elements (125).

公开(公告)号：WO2021110585A1

公开(公告)日：2021-06-10

申请号：PCT/EP2020/083888

申请日：2020-11-30

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： HECKELMANN, Stefan ,  LEX, Andreas

IPC: H01L33/02 ,  H01L33/04 ,  H01L33/30 ,  H01L33/06 ,  H01L33/20 ,  H01L33/38

Abstract: Es wird ein strahlungsemittierender Halbleiterchip mit einer epitaktischen Halbleiterschichtenfolge (7) angegeben, die die folgenden Merkmale umfasst: • - einen ersten dotierten Bereich (2) eines ersten Leitfähigkeitstyps, • - einen zweiten dotierten Bereich (3) eines zweiten Leitfähigkeitstyps, • - einen aktiven Bereich (1), der zwischen dem ersten dotierten Bereich (2) und dem zweiten dotierten Bereich (3) angeordnet und dazu eingerichtet ist, elektromagnetische Strahlung zu erzeugen, • - mindestens eine erste Blockadeschicht (5), die im ersten dotierten Bereich (2) angeordnet ist und entsprechend dem ersten Leitfähigkeitstyp dotiert ist, und/oder • - mindestens eine zweite Blockadeschicht (6), die im zweiten dotierten Bereich (3) angeordnet ist und entsprechend dem zweiten Leitfähigkeitstyp dotiert ist, wobei • - die erste Blockadeschicht (5) und/oder die zweite Blockadeschicht (6) eine Migration von Kristalldefekten (4) in den aktiven Bereich (1) zumindest verringern.

公开(公告)号：WO2023036543A1

公开(公告)日：2023-03-16

申请号：PCT/EP2022/072437

申请日：2022-08-10

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： VARGHESE, Tansen ,  AVRAMESCU, Adrian Stefan ,  LEX, Andreas

IPC: H01L33/20 ,  H01L33/40 ,  H01L33/54 ,  H01L33/00 ,  H01L33/08

Abstract: An optoelectronic component (1) is described comprising - at least one semiconductor body (2) including a first semiconductor region (3), a second semiconductor region (5) and an active region (4) therebetween, - a cover element (6), which laterally surrounds the at least one semiconductor body (2) and has at least one patterned side surface (6A) facing away from the at least one semiconductor body (2), - a reflection element (7), which at least partly covers the at least one patterned side surface (6A), wherein the active region (4) is at least partly laterally surrounded by the first semiconductor region (3). Moreover, a component unit (19) comprising at least two optoelectronic components (1) and a method for producing a plurality of optoelectronic components (1) or at least one component unit (19) are described.

公开(公告)号：WO2023030857A1

公开(公告)日：2023-03-09

申请号：PCT/EP2022/072576

申请日：2022-08-11

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： LEX, Andreas ,  AVRAMESCU, Adrian Stefan ,  MAHDAVI, Ali ,  VON MALM, Norwin ,  KÖNIG, Harald

IPC: H01L33/20 ,  H01L33/00 ,  H01L33/32

Abstract: In at least one embodiment, the optoelectronic semiconductor device (1) comprises at least one active semiconductor fin (2) which is configured to emit radiation by electroluminescence, wherein the at least one active semiconductor fin (2) starts from a base plane (20), and seen in top view of the base plane (20), the at least one active semiconductor fin (2) runs along at least two different directions (E).