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1.发明申请
公开(公告)号：WO2020187570A1
公开(公告)日：2020-09-24
申请号：PCT/EP2020/055693
申请日：2020-03-04
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： VARGHESE, Tansen , JENTZSCH, Bruno
IPC: H01L27/15 , H01L33/00 , H01L33/44 , H01L33/46 , H01L33/60 , H01L33/24 , H01S5/028 , H01S5/10 , H01S5/42 , H01S5/02
Abstract: Es wird ein strahlungsemittierender Halbleiterchip (1) angegeben, mit: - einer Halbleiterschichtenfolge (2) mit einer Vielzahl von aktiven Bereichen (3) und einer Haupterstreckungsebene (4), wobei - jeder aktive Bereich (3) eine Haupterstreckungsrichtung (5) aufweist, - jeder aktive Bereich (3) im Betrieb elektromagnetische Strahlung von einem zur Haupterstreckungsebene (4) parallel verlaufenden Emitterbereich (6) aussendet, - die Emitterbereiche(6) an Gitterpunkten (7) eines regelmäßigen Gitters angeordnet sind, die durch zumindest eine Gitterlinie (8) verbunden sind, und - die Haupterstreckungsrichtung (5) zumindest eines aktiven Bereichs (3) einen Winkel (11) von mindestens 10° und höchstens 80° mit den Gitterlinien (8) des regelmäßigen Gitters einschließt. Weiterhin wird ein strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement mit einem solchen Halbleiterchip (1) angegeben.
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公开(公告)号：WO2020157149A1
公开(公告)日：2020-08-06
申请号：PCT/EP2020/052191
申请日：2020-01-29
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： BAUMHEINRICH, Thorsten , BEHRINGER, Martin , BIEBERSDORF, Andreas , BOSS, Ruth , BRANDL, Michael , BRICK, Peter , DROLET, Jean-Jaques , HALBRITTER, Hubert , KREINER, Laura , LANG, Erwin , LEBER, Andreas , MEYER, Tobias , PFEUFFER, Alexander , PHILIPPENS, Marc , RICHTER, Jens , SCHWARZ, Thomas , TA, Paul , VARGHESE, Tansen , WANG, Xue , WITTMANN, Sebastian , WUENSCHE, Julia , DIEKMANN, Karsten , ENGL, Karl , HERRMANN, Siegfried , HAHN, Berthold , ILLEK, Stefan , JENTZSCH, Bruno , PERZLMAIER, Korbinian , PIETZONKA, Ines , RAUSCH, Andreas , REGAU, Kilian , RUEGHEIMER, Tilman , SCHWALENBERG, Simon , SOELL, Christopher , STAUSS, Peter , SUNDGREN, Petrus , VU, Hoa , WIESMANN, Christopher , BOGNER, Georg , HOERNER, Patrick , KLEMP, Christoph , MUELLER, Jens , NEVELING, Kerstin , PARK, Jong , RAFAEL, Christine , SINGER, Frank , CHAND, Kanishk , FEIX, Felix , MUELLER, Christian , RUMMEL, Eva-Maria , HEITZER, Nicole , ASSMANN, Marie , BERGER, Christian , KANEVCE, Ana
Abstract: Die Erfindung betrifft verschiedene Aspekte zu einer µ-LED oder einer µ-LED Anordnung für Augmented Reality oder Licht Anwendungen, hier insbesondere im Automotive Bereich. Dabei zeichnet sich die µ-LED durch besonders kleine Abmessungen im Bereich weniger µm aus.
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公开(公告)号：WO2019002097A1
公开(公告)日：2019-01-03
申请号：PCT/EP2018/066644
申请日：2018-06-21
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： VARGHESE, Tansen
Abstract: Es wird ein Halbleiterchip (10) mit einem strahlungsdurchlässigen Träger (1), einem Halbleiterkörper (2) und einer transparenten Stromaufweitungsschicht (3) angegeben, wobei der Halbleiterkörper eine n-seitige Halbleiterschicht (21), eine p-seitige Halbleiterschicht (22) und eine dazwischenliegende optisch aktive Zone (23) aufweist. Der Halbleiterkörper ist mittels einer strahlungsdurchlässigen Verbindungsschicht (5) mit dem Träger befestigt. Die Stromaufweitungsschicht basiert auf Zinkselenid und grenzt an die n-seitige Halbleiterschicht an. Des Weiteren wird ein Verfahren zur Herstellung eines solchen Halbleiterchips angegeben.
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4.发明申请
公开(公告)号：WO2016120400A1
公开(公告)日：2016-08-04
申请号：PCT/EP2016/051830
申请日：2016-01-28
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , X-CELEPRINT LIMITED
Inventor： MEITL, Matthew , BOWER, Christopher , VARGHESE, Tansen
CPC classification number: H01L25/0753 , H01L21/7806 , H01L33/0066 , H01L33/0079 , H01L33/0095 , H01L33/22 , H01L33/382 , H01L33/44 , H01L33/502 , H01L33/505 , H01L33/507 , H01L33/508 , H01L33/56 , H01L33/60 , H01L2933/0016 , H01L2933/0025 , H01L2933/005 , H01L2933/0091
Abstract: A method for producing a plurality of semiconductor components is provided, wherein a semiconductor layer sequence having a first semiconductor layer, a second semiconductor layer and an active region is applied on a substrate. A contact structure is formed for electrically contacting the first semiconductor layer and the second semiconductor layer. The semiconductor layer sequence is structured into a plurality of semiconductor bodies by forming at least one trench separating the semiconductor bodies. An insulating layer is formed to cover the trench and vertical surfaces of the semiconductor bodies. A plurality of tethers is formed by structuring the insulating layer in regions covering the trench. The substrate is locally detached from the semiconductor bodies, wherein the tethers remain attached to the substrate. At least one semiconductor body is selectively picked up by separating the tethers from the substrate. Moreover, a semiconductor component produced by said method is provided.
Abstract translation: 提供一种用于制造多个半导体部件的方法，其中将具有第一半导体层，第二半导体层和有源区域的半导体层序列施加在基板上。 形成用于电接触第一半导体层和第二半导体层的接触结构。 通过形成分离半导体本体的至少一个沟槽，将半导体层序列构造成多个半导体本体。 形成绝缘层以覆盖半导体主体的沟槽和垂直表面。 通过在覆盖沟槽的区域中构造绝缘层来形成多个系绳。 衬底与半导体本体分离，其中系链保持附着于衬底。 通过从衬底分离系绳来选择性地拾取至少一个半导体体。 此外，提供了通过所述方法制造的半导体部件。
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5.发明申请
公开(公告)号：WO2015124551A1
公开(公告)日：2015-08-27
申请号：PCT/EP2015/053278
申请日：2015-02-17
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： VON MALM, Norwin , PFEUFFER, Alexander F. , VARGHESE, Tansen , KREUTER, Philipp
IPC: H01L33/38 , H01L31/0224
CPC classification number: H01L23/544 , H01L21/76898 , H01L31/02245 , H01L31/022466 , H01L31/03046 , H01L31/03048 , H01L31/035236 , H01L31/035281 , H01L31/056 , H01L31/0693 , H01L31/0735 , H01L31/186 , H01L31/1892 , H01L33/0079 , H01L33/0095 , H01L33/06 , H01L33/30 , H01L33/32 , H01L33/382 , H01L33/42 , H01L2223/5446 , H01L2933/0016 , Y02E10/52 , Y02E10/544 , Y02P70/521
Abstract: Es wird ein Verfahren zur Herstellung einer Mehrzahl von Halbleiterbauelementen (1) mit folgenden Schritten angegeben: a) Bereitstellen einer Halbleiterschichtenfolge (2) mit einer ersten Halbleiterschicht (21), einer zweiten Halbleiterschicht (22) und einem zwischen der ersten Halbleiterschicht und der zweiten Halbleiterschicht angeordneten, zur Erzeugung und/oder zum Empfangen von Strahlung vorgesehenen aktiven Bereich (25); b) Ausbilden einer ersten Anschlussschicht (31) auf der der ersten Halbleiterschicht abgewandten Seite der zweiten Halbleiterschicht; c) Ausbilden einer Mehrzahl von Aussparungen (29) durch die Halbleiterschichtenfolge hindurch; d) Ausbilden einer Leitungsschicht (4) in den Aussparungen zur Herstellung einer elektrisch leitenden Verbindung zwischen der ersten Halbleiterschicht und der ersten Anschlussschicht; und e) Vereinzeln in die Mehrzahl von Halbleiterbauelementen, wobei aus der Halbleiterschichtenfolge für jedes Halbleiterbauelement ein Halbleiterkörper (20) mit zumindest einer der Mehrzahl von Aussparungen hervorgeht und die zumindest eine Aussparung in Draufsicht auf den Halbleiterkörper vollständig von dem Halbleiterkörper umgeben ist. Weiterhin wird ein Halbleiterbauelement angegeben.
Abstract translation: 据说，包括以下步骤制造多个半导体器件（1）的方法：a）提供（2）具有第一半导体层（21），第二半导体层（22的半导体层序列）和一个所述第一半导体层和第二半导体层之间 布置，提供了一种用于产生和/或用于接收辐射有源区（25）; 第二半导体层b的侧）形成在其上背向所述第一半导体层的第一连接层（31）; c）形成的多个凹部（29）通过半导体层序列穿过其中; d）形成在凹部用于产生所述第一半导体层和第一连接层之间的导电连接的导体层（4）; 以及e）分离所述多个半导体器件，其中，对于每个半导体器件中的半导体层序列中，一个半导体主体（20）与所述多个凹部中的至少一个可以看到和其至少完全包围在半导体本体的半导体本体的平面图的凹部。 此外，半导体器件被提供。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：WO2023036654A1
公开(公告)日：2023-03-16
申请号：PCT/EP2022/074101
申请日：2022-08-30
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： VARGHESE, Tansen , LEX, Andreas , AVRAMESCU, Adrian
IPC: H01L25/075 , H01L33/20 , H01L33/24 , H01L33/60
Abstract: An optoelectronic apparatus (20) comprises an array of optoelectronic semiconductor devices (10). The optoelectronic apparatus (20) comprises a semiconductor layer stack (105) comprising a first semiconductor layer (110) of a first conductivity type, an active zone (115), and a second semiconductor layer (120) of a second conductivity type. Adjacent optoelectronic semiconductor devices (10) are separated by separating elements (125) vertically extending through the semiconductor layer stack (105). The optoelectronic semiconductor devices (10) are configured to emit generated electromagnetic radiation (15) via a first main surface (111) of the first semiconductor layer (110). The optoelectronic apparatus (20) further comprises portions of a metal layer (130) arranged on a side of the first semiconductor layer (110) facing away from the active zone (115) and being arranged at positions of the separating elements (125).
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公开(公告)号：WO2020127435A1
公开(公告)日：2020-06-25
申请号：PCT/EP2019/085866
申请日：2019-12-18
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： BEHRINGER, Martin , TONKIKH, Alexander , VARGHESE, Tansen
Abstract: Ein optoelektronisches Halbleiterbauelement (10) weist eine aktive Zone (120) auf, die Teilschichten (111, 112, 113) zur Ausbildung einer Quantentopfstruktur enthält. Dabei sind Energieniveauunterschiede innerhalb der Quantentopfstruktur in einem zentralen Bereich (14) des optoelektronischen Halbleiterbauelements (10) kleiner als in einem Randbereich (15) des optoelektronischen Halbleiterbauelements (10). Gemäß weiteren Ausführungsformen weist ein optoelektronisches Halbleiterbauelement (10) eine aktive Zone (120) auf, die eine Teilschicht, die zur Ausbildung einer Quantentopfstruktur geeignet ist, enthält. Dabei sind in der aktiven Zone (120) in einem zentralen Bereich (14) des optoelektronischen Halbleiterbauelements Quantendotstrukturen (122) ausgebildet. In einem Randbereich (15) des optoelektronischen Halbleiterbauelements (10) sind keine Quantendotstrukturen ausgebildet.
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公开(公告)号：WO2018184869A1
公开(公告)日：2018-10-11
申请号：PCT/EP2018/057452
申请日：2018-03-23
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： VARGHESE, Tansen , ROSSBACH, Georg
CPC classification number: H01L33/502 , C09K11/02 , C09K11/025 , C09K11/883
Abstract: Ein Wellenlängenkonverter (300) umfasst mindestens einen Quantenpunkt (400), der in eine optische Schale (500) eingehüllt ist.
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9.发明申请
公开(公告)号：WO2018138080A1
公开(公告)日：2018-08-02
申请号：PCT/EP2018/051568
申请日：2018-01-23
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： VARGHESE, Tansen
Abstract: An optoelectronic semiconductor component (20) described herein comprises a multiplicity of active regions (10), wherein the active regions (10) are arranged spaced apart from each other, have a core region (11), an active layer (12) covering the core region (11) and have a cover layer (13) which covers the active layer (12). Each active region (10) has a current spreading layer (4) at least partly covering sidewalls (15) of the respective active region (10), wherein each of the current spreading layers (4) comprises a transparent conductive oxide and is in electrical contact with the cover layer (13). A metal layer (6) directly adjoins part of the active regions (10) and part of the current spreading layers (4), wherein the metal layer (6) electrically interconnects the current spreading layers (4) of the active regions (10), and wherein the metal layer (6) comprises a metal that is suited to form an ohmic contact with the current spreading layers (4) and that is not suited to form an ohmic contact with the core regions (13). Further, a method for producing the optoelectronic semiconductor component (20) is described.
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10.发明申请VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG VON OPTOELEKTRONISCHEN HALBLEITERCHIPS UND OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERCHIP 审中-公开生产光电子半导体芯片和光电子半导体芯片的方法
公开(公告)号：WO2017097597A1
公开(公告)日：2017-06-15
申请号：PCT/EP2016/078663
申请日：2016-11-24
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： AVRAMESCU, Adrian Stefan , LUGAUER, Hans-Jürgen , VARGHESE, Tansen , SCHIMPKE, Tilman
Abstract: In einer Ausführungsform ist das Verfahren zur Herstellung von LEDs eingerichtet und umfasst die Schritte: A) Bereitstellen einer Aufwachsfläche (20), B) Wachsen einer Vielzahl von Halbleitersäulen (3) auf der Aufwachsfläche (20), wobei die Halbleitersäulen (3) quer zur Aufwachsfläche (20) orientierte Seitenflächen (32) und der Aufwachsfläche (20) abgewandte Oberseiten (33) aufweisen, C) Wachsen von Halbleiterumhüllungen (4) an den Halbleitersäulen (3), sodass die Halbleiterumhüllungen (4) die Seitenflächen (32) überwachsen, als Pyramiden geformt und eineindeutig den Halbleitersäulen (3) zugeordnet werden, D) Wachsen einer zur Strahlungserzeugung eingerichteten aktiven Zone (5) und einer dotierten Halbleiterschicht (6) auf die Halbleiterumhüllungen (4), sodass die aktive Zone (5) und die dotierte Halbleiterschicht (6) eine Oberseite (40) der Halbleiterumhüllungen (4) nachbilden, und E) Aufbringen einer lichtdurchlässigen Elektrodenschicht (7) auf die dotierte Halbleiterschicht (6).
Abstract translation:
在一个示例性导航用途货币形式，用于生产LED的方法被布置并包括以下步骤：A）提供Aufwachsfl BEAR表面（20），B）生长多个半导体BEAR柱（3）的 面向Seitenfl＆AUML枝（20）;所述Aufwachsfl BEAR表面（20），其中，所述半导体BEAR支柱（3）横向于Aufwachsfl BEAR包括表面（20）从上侧面背对（33），C）生长陈（32）和所述Aufwachsfl＆AUML Halbleiterumh导航用途馅料（4）到半导体BEAR支柱（3），使得Halbleiterumh导航用途馅料（4）Seitenfl＆AUML;陈（32）导航用途杂草丛生形状如金字塔和明确的半导体BEAR被分配柱（3），d ）生长用于产生辐射活性区（5），并且在Halbleiterumh导航用途馅料（6）的掺杂半导体层（4）成立，使得活性区（5）和（6），其具有Halbleiterumh导航用途馅料的顶部（40）的掺杂半导体层 （4）效仿，E）Aufbrin 在掺杂半导体层（6）上形成半透明电极层（7）
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