公开(公告)号：DE102018118697A1

公开(公告)日：2019-02-07

申请号：DE102018118697

申请日：2018-08-01

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： WONG TEIK YEE ,  SOONG CHEE WENG ,  PRAKASH RAJAH ,  BETTHAUSEN CHRISTIAN ,  OOI CHEE-ENG ,  ITHNAIN ISMAIL ,  LIM CHOO KEAN ,  CHAN WENG HENG

IPC: H01L33/48 ,  H01L25/075 ,  H01L25/16

Abstract: Es wird ein Bauelement (10) mit einem Halbleiterchip (1), einem Gehäuse (9) und einer reflektierenden Schicht (2) angegeben, wobei das Gehäuse einen Formkörper (90) und einen Grundkörper (91) aufweist, wobei der Formkörper den Grundkörper oder eine Kavität (8) des Gehäuses lateral umschließt und verschieden von der reflektierenden Schicht ist. Der Hauptkörper weist eine in Draufsicht von dem Formkörper unbedeckte Freifläche (80A) auf. Die Freifläche oder eine Bodenfläche (80) der Kavität umfasst eine Montagefläche (81) für den Halbleiterchip, wobei der Halbleiterchip auf der Montagefläche angeordnet ist. Die Bodenfläche oder die Freifläche ist bereichsweise von der reflektierenden Schicht bedeckt, wobei die Montagefläche von einem Begrenzungselement (3) zumindest bereichsweise umschlossen ist, das an die reflektierende Schicht angrenzt und dazu eingerichtet ist, eine Bedeckung des Halbleiterchips durch die reflektierende Schicht zu verhindern.

公开(公告)号：DE102021116242A1

公开(公告)日：2022-12-29

申请号：DE102021116242

申请日：2021-06-23

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： DIETZE DANIEL ,  BETTHAUSEN CHRISTIAN ,  HAUSHALTER MARTIN

IPC: H01L21/50 ,  H01L23/50 ,  H01L25/075 ,  H01L25/16 ,  H01L31/12

Abstract: Ein Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements umfasst Schritte zum Anordnen einer ersten optoelektronischen Halbleiterstruktur, die einen ersten Strukturträger und eine epitaktisch gewachsene erste Halbleiterschichtenfolge umfasst, an einer Unterseite einer Glasscheibe, wobei die erste Halbleiterschichtenfolge zu der Glasscheibe orientiert wird, zum Anordnen eines Formmaterials an der Unterseite der Glasscheibe, wobei die erste optoelektronische Halbleiterstruktur in das Formmaterial eingebettet wird, zum Entfernen eines Teils des Formmaterials und des ersten Strukturträgers, um die erste Halbleiterschichtenfolge freizulegen, zum Ausbilden elektrischer Kontakte an der ersten Halbleiterschichtenfolge, zum Verbinden eines Halbleiterelements mit einem an einer Vorderseite integrierten Schaltkreis mit der ersten Halbleiterschichtenfolge, wobei elektrische Schaltkreiskontakte des Schaltkreises mit den elektrischen Kontakten der ersten Halbleiterschichtenfolge verbunden werden, zum Ausbilden elektrischer Bauelementekontakte an einer Rückseite des Halbleiterelements und zum Vereinzeln des optoelektronischen Bauelements durch Zerteilen der Glasscheibe.

公开(公告)号：DE102017217340A1

公开(公告)日：2018-03-29

申请号：DE102017217340

申请日：2017-09-28

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： MARFELD JAN ,  BETTHAUSEN CHRISTIAN ,  SCHLERETH THOMAS ,  TANGRING IVAR

IPC: F21K9/64 ,  F21S4/20 ,  H01L33/50

Abstract: Die Erfindung betrifft ein lichtemittierendes Bauteil (1) mit einer Mehrzahl von lichtemittierenden Halbleiterchips (14). Die Halbleiterchips (14) sind auf wenigstens einem Träger (12) angeordnet und elektrisch kontaktiert. Ein Konvertermittel (22; 22A, 22B; 222, 224, 226; 228), ist eingerichtet, Licht eines ersten Wellenlängenbereichs, das von wenigstens einem Teil der lichtemittierenden Halbleiterchips (14) emittiert wird, zumindest teilweise in Licht eines zweiten Wellenlängenbereichs zu konvertieren, wobei das Konvertermittel (22; 22A, 22B; 222, 224, 226; 228) separat von dem wenigstens einen Träger (12) ausgebildet ist.