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    RADIATION-EMITTING COMPONENT
    2.
    发明申请
    RADIATION-EMITTING COMPONENT 审中-公开
    辐射分量

    公开(公告)号：WO2009036731A3

    公开(公告)日：2009-05-28

    申请号：PCT/DE2008001448

    申请日：2008-08-28

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  GROETSCH STEFAN ,  MARFELD JAN ,  SORG JOERG ERICH ,  ENGL MORITZ ,  KOEHLER STEFFEN

    Inventor： GROETSCH STEFAN ,  MARFELD JAN ,  SORG JOERG ERICH ,  ENGL MORITZ ,  KOEHLER STEFFEN

    IPC: H01L33/00

    CPC classification number: H01L33/60 ,  H01L33/44 ,  H01L33/58 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

    Abstract: The invention relates to a radiation-emitting component (8), which comprises a semiconductor layer stack (10) having an active region (12), which is configured for emitting electromagnetic radiation (R), and at least one surface (14, 15, 16, 17) of the semiconductor layer stack (10) or an optical element (18, 20), which is configured for transmitting the electromagnetic radiation (R), wherein the surface (14, 15, 16, 17) has a normal vector (N), wherein on the at least one surface (14, 15, 16, 17) of the semiconductor layer stack (10) or of the optical element (18, 20), the electromagnetic radiation (R) penetrating said surface, an anti-reflection layer (30) is disposed and configured such that it has minimum reflection for a predetermined wavelength at an observation angle (alpha) relative to the normal vector (N) of the surface (14, 15, 16, 17), at which angle the increase in a zonal light flux of the electromagnetic radiation (R) approximately has a maximum.

    Abstract translation: 发射辐射的装置（8），其具有具有有源区（12），其被设计用于将电磁辐射（R）的发光的半导体层堆叠（10），和半导体层堆叠中的至少一个表面（14，15，16，17）（10） 或形成于电磁辐射（R）的传输，所述光学元件（18，20），其中，所述表面（14，15，16，17）包括一法线向量（N），其中至少一个表面（14，15，16上 ，17）在半导体层堆叠（10）或通过该电磁辐射（R）通过，低于最小反射布置的防反射层（30），并且形成为使得它们对于给定的波长的光元件（18，20）的 一个所述表面（14，15，16，17）相关的视场角（阿尔法）的法线向量（N），其中，所述电磁辐射（R）的带状光束的增加大约是 有一个最大值。

    RING LIGHT MODULE AND METHOD FOR PRODUCING A RING LIGHT MODULE
    3.
    发明申请
    RING LIGHT MODULE AND METHOD FOR PRODUCING A RING LIGHT MODULE 审中-公开
    RING光源模组及其制造方法环形灯模块

    公开(公告)号：WO2014048798A3

    公开(公告)日：2014-05-30

    申请号：PCT/EP2013069274

    申请日：2013-09-17

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： ALBRECHT TONY ,  SCHLERETH THOMAS ,  SCHULZ ROLAND ,  GÄRTNER CHRISTIAN ,  BESTELE MICHAEL ,  MARFELD JAN ,  KIRSCH MARKUS ,  KAISER STEPHAN

    IPC: F21V7/00 ,  F21K99/00 ,  F21V9/40 ,  F21V13/04 ,  F21Y101/02 ,  F21Y113/00

    CPC classification number: F21V7/0008 ,  F21K9/62 ,  F21K9/64 ,  F21V7/048 ,  F21V13/04 ,  F21Y2103/33 ,  F21Y2113/13 ,  F21Y2115/10

    Abstract: In at least one embodiment, the ring light module (1) comprises a plurality of first and a plurality of second light-emitting optoelectronic semiconductor components (2), each having a main emission direction (20), wherein the first semiconductor components have a spectral emission which is different than that of the second semiconductor components. The ring light module (1) contains a reflector (3), which has a curved reflective surface (30). The semiconductor components (2) are fitted on a mount (4). The semiconductor components (2) are, when viewed in a plan view of the reflective surface (30), arranged in the form of a ring around the reflective surface (30) along an arrangement line (42). In a centre (44), the reflector (3) has a maximum height, in relation to a base side (40) of the ring light module (1). The centre (44) is located in a geometric centre of an inner face surrounded by the arrangement line (42). When viewed in a plan view of the reflective surface (30), the main emission directions (20) each point towards the centre (44) with a tolerance of at most 15°.

    Abstract translation: 在至少一个实施例中，环形光模块（1）包括多个第一和多个第二发光光电半导体部件（2）的每一个都具有一个主发光方向（20），其中所述第一半导体元件具有不同的第二半导体组件光谱发射。 环形光模块（1）包括：（3）具有弯曲的反射表面（30）的反射器。 上安装有半导体元件（2）的支撑件（4）。 半导体部件（2）是，在平面图中看到的在反射表面（30），沿着装配线（42）环形地围绕所述反射表面（42）布置成围绕。 在一个中心（44），反射器（3），以最大高度相对于所述环形发光模块的底侧（40）（1）。 中心（44）位于封闭的内部空间中的装配线（42）中的一个的几何中心。 在俯视观察到反射表面（30）朝向所述主发射方向（20），具有最大的每15°的向中心（44）有一个公差。

    Mischlichtquelle
    6.
    发明专利
    Mischlichtquelle 未知

    公开(公告)号：DE102009047789A1

    公开(公告)日：2011-03-31

    申请号：DE102009047789

    申请日：2009-09-30

    Applicant: OSRAM GMBH ,  OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： BERTRAM RALPH PETER ,  WIRTH RALPH ,  MARFELD JAN

    IPC: H01L25/075 ,  H01L33/50

    Abstract: Es wird eine Mischlichtquelle (1) angegeben, die eine erste Strahlungsquelle (2) umfasst, die Strahlung im roten Spektralbereich emittiert. Weiterhin umfasst die Mischlichtquelle eine Anregungsquelle (3), die ein III-V-Halbleitermaterial enthält und einen Konversionsstoff (4), der im Betrieb der Mischlichtquelle die Strahlung der Anregungsquelle zumindest teilweise in Strahlung umwandelt, deren Farbort im CIE-Farbdiagramm innerhalb eines Vielecks liegt, das durch die Koordinaten (0,1609; 0,497), (0,35; 06458), (0,558; 0,444) und (0,453; 0,415) aufgespannt ist.

    VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES ELEKTRONISCHEN BAUELEMENTS UND ELEKTRONISCHES BAUELEMENT
    7.
    发明专利
    VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES ELEKTRONISCHEN BAUELEMENTS UND ELEKTRONISCHES BAUELEMENT 未知

    公开(公告)号：DE102021116237A1

    公开(公告)日：2022-12-29

    申请号：DE102021116237

    申请日：2021-06-23

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： RAMCHEN JOHANN ,  SORG JOERG ERICH ,  MÜLLER KLAUS ,  MARFELD JAN ,  STRAUSS STEFFEN ,  WALTER JOHANN

    IPC: H01L21/52 ,  H01L23/043 ,  H01L23/10 ,  H01L33/48

    Abstract: Es wird ein Verfahren zur Herstellung eines elektronischen Bauelements mit den folgenden Schritten angegeben:- Bereitstellen eines Trägers (1) mit einer Montagefläche (2), auf der ein elektronischer Halbleiterchip (3) angeordnet ist,- Bereitstellen eines Verbindungselements (7) mit einer ersten Hauptfläche (8),- Aufbringen einer ersten rahmenförmigen Metallisierung (6) auf oder über den Träger (1) und Aufbringen eines ersten rahmenförmigen Lotreservoirs (10) über der ersten Hauptfläche (8) des Verbindungselements (7) oder Aufbringen der ersten rahmenförmigen Metallisierung (6) über der ersten Hauptfläche (8) des Verbindungselements (7) und Aufbringen des ersten rahmenförmigen Lotreservoirs (10) über oder auf den Träger (1), wobei eine Breite (BL) des ersten rahmenförmigen Lotreservoirs (10) kleiner ist als eine Breite (BM) der ersten rahmenförmigen Metallisierung (6),und- Verflüssigen des Lots des ersten rahmenförmigen Lotreservoirs (10), so dass sich eine erste rahmenförmige Lotschicht (16) ausbildet, die den Träger (1) und das Verbindungselement (7) stoffschlüssig miteinander verbindet.Außerdem wird ein elektronisches Bauelement angegeben.

    Halbleiterlaser
    9.
    发明专利
    Halbleiterlaser 未知

    公开(公告)号：DE102018128751A1

    公开(公告)日：2020-05-20

    申请号：DE102018128751

    申请日：2018-11-15

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： SORG JÖRG ERICH ,  MARFELD JAN ,  MORGOTT STEFAN

    IPC: H01S5/02

    Abstract: Es wird ein Halbleiterlaser (20) angegeben mit:- einer kantenemittierenden Laserdiode (21), die eine aktive Zone zur Erzeugung einer Laserstrahlung sowie eine Facette (22) mit einem Strahlungsaustrittsbereich (23) aufweist, und- mindestens einer Photodiode (24), wobei- die Facette (22) an einer Hauptemissionsseite der Laserdiode (21) angeordnet ist,- die Photodiode (24) derart angeordnet ist, dass zumindest ein Teil der an der Facette (22) austretenden Laserstrahlung zur Photodiode (24) gelangt, und- die Laserdiode (21) und die Photodiode (24) nicht zerstörungsfrei lösbar miteinander verbunden sind.

    Optoelektronischer Halbleiterchip
    10.
    发明专利
    Optoelektronischer Halbleiterchip 未知

    公开(公告)号：DE102016106951A1

    公开(公告)日：2017-10-19

    申请号：DE102016106951

    申请日：2016-04-14

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： MARFELD JAN ,  HOFMANN MARKUS ,  PLASS WERNER

    IPC: H01L27/15 ,  F21K9/23 ,  F21S4/28 ,  H01L33/62

    Abstract: In einer Ausführungsform beinhaltet der optoelektronische Halbleiterchip (1) ein mechanisch selbsttragendes, lichtdurchlässiges Aufwachssubstrat (2) mit einer Aufwachsoberfläche (20) sowie eine Halbleiterschichtenfolge (3) und mehrere elektrische Kontaktstege (4). Die Halbleiterschichtenfolge (3) befindet sich direkt an der Aufwachsoberfläche (20) und umfasst eine n-leitende n-Seite (31), eine p-leitende p-Seite (33) und eine dazwischenliegende aktive Zone (32) zur Lichterzeugung. Die Halbleiterschichtenfolge (3) ist in eine Vielzahl von Leuchteinheiten (5) strukturiert, die über die Kontaktstege (4) elektrisch in Serie geschaltet sind. Ein Verhältnis aus einer Länge entlang einer Längsachse (A) zu einer Breite des Aufwachssubstrats (2) beträgt mindestens 15, in Draufsicht auf die Aufwachsoberfläche (20) gesehen.

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