公开(公告)号：WO2018234159A1

公开(公告)日：2018-12-27

申请号：PCT/EP2018/065861

申请日：2018-06-14

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： KOSLOW, Ingrid ,  DRAGO, Massimo ,  HERTKORN, Joachim ,  FREY, Alexander

IPC: H01L33/02 ,  H01S5/30 ,  H01L33/04

Abstract: Die Erfindung betrifft einen Halbleiterkörper (1) umfassend ein III-V-Verbindungshalbleitermaterial mit einem p-leitenden Bereich (10), der mit einem p-Dotierstoff dotiert ist, wobei der p-leitende Bereich (10) zumindest einen ersten (101), einen zweiten (102) und einen dritten (103) Abschnitt umfasst, der zweite Abschnitt (102) zwischen dem ersten (101) und dem dritten Abschnitt (103) angeordnet ist, der zweite Abschnitt (102) direkt an den ersten (101) und den dritten (103) Abschnitt angrenzt, und die Indiumkonzentration (I) zumindest einer der Abschnitte (101, 102, 103) unterschiedlich von den Indiumkonzentrationen (I) der anderen beiden Abschnitte (101, 102, 103) ist.

公开(公告)号：WO2021165098A1

公开(公告)日：2021-08-26

申请号：PCT/EP2021/053077

申请日：2021-02-09

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： DRAGO, Massimo ,  HAIBERGER, Luca

IPC: H01L33/62 ,  H01L33/00 ,  H01L31/02 ,  H01L31/0224 ,  H01L23/485 ,  H01L23/488 ,  H01L21/60 ,  H01L23/00

Abstract: In mindestens einer Ausführungsform umfasst der optoelektronische Halbleiterchip (100) einen Träger (2) mit einer Vorderseite (20) und einer der Vorderseite gegenüberliegenden Rückseite (22) sowie eine Halbleiterschichtenfolge (1) mit einer aktiven Schicht (10) zur Erzeugung oder Absorption elektromagnetischer Strahlung auf der Vorderseite des Trägers. Ferner umfasst der Halbleiterchip eine erste (31a) und eine zweite (32a) Kontaktfläche an Außenflächen des Trägers zur externen elektrischen Kontaktierung des Halbleiterchips. Elektrisch leitende Verbindungen (31, 32) sind von den Kontaktflächen zur Vorderseite des Trägers geführt. Die Halbleiterschichtenfolge ist über ihre dem Träger zugewandte Seite elektrisch an die elektrisch leitenden Verbindungen an der Vorderseite angeschlossen. Zumindest die erste Kontaktfläche ist an einer quer zur Vorderseite verlaufenden Querseite (21) des Trägers ausgebildet.

公开(公告)号：WO2016202924A1

公开(公告)日：2016-12-22

申请号：PCT/EP2016/063891

申请日：2016-06-16

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： KATZ, Simeon ,  GEHRKE, Kai ,  DRAGO, Massimo ,  HERTKORN, Joachim

IPC: H01L33/42 ,  H01L33/44

CPC classification number: H01L33/42 ,  H01L31/022475 ,  H01L31/03044 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/12 ,  H01L33/32 ,  H01L33/44 ,  H01L2933/0016

Abstract: Es wird ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauelements angegeben, aufweisend die folgenden Schritte: - Bereitstellen einer Halbleiterschichtenfolge (1), aufweisend eine lichtemittierende und/oder - absorbierende aktive Zone (12) und eine der aktiven Zone (12) in einer senkrecht zu einer Haupterstreckungseben der Halbleiterschichtenfolge (1) verlaufenden Stapelrichtung (z) nachgeordnete Deckfläche (1a), - Aufbringen eines Schichtenstapels (2) auf die Deckfläche (1a), wobei der Schichtenstapel (2) eine Oxidschicht (20), die Indium enthält, und eine der Deckfläche (2a) in der Stapelrichtung (z) nachgeordnete Zwischenfläche (2a) umfasst, - Aufbringen einer Kontaktschicht (3), die mit Indiumzinnoxid gebildet ist, auf die Zwischenfläche (2a), wobei - der Schichtenstapel (2) im Rahmen der Herstellungstoleranzen frei von Zinn ist.

Abstract translation: 公开的是用于制造光电子半导体器件，包括以下步骤的方法： - 提供（1），包括光的半导体层序列发射和/或 - 在一个方向吸收有源区（12）和有源区（12）中的一个垂直于 延伸的层叠方向上的半导体层序列（1）（z）的下游顶面（1a）的主延伸平面， - 所述顶面（1a）中，其中，层的堆叠（2）包含氧化物层（20）含有铟上沉积层（2）的叠层，并且所述一个 顶面（2a）的在层叠方向（z）（2a）的下游接口， - 将接触层（3）中，用氧化铟锡形成的，到所述接口（2a）中，其中 - 层的堆叠（2）根据制造公差自由 是锡。

公开(公告)号：WO2019042894A1

公开(公告)日：2019-03-07

申请号：PCT/EP2018/072906

申请日：2018-08-24

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： DRAGO, Massimo ,  FREY, Alexander ,  HERTKORN, Joachim ,  KOSLOW, Ingrid

IPC: H01L33/00 ,  H01L33/06 ,  H01L33/14 ,  H01L33/32 ,  H01L33/02 ,  H01L33/04

Abstract: Halbleiterkörper (10) basierend auf einem Nitridverbindungshalbleitermaterial mit einem p-leitenden Bereich (100), bei dem - der p-leitende Bereich (100) eine Barrierezone (110) und eine Kontaktzone (120) aufweist, wobei - die Barrierezone (110) eine erste Magnesiumkonzentration (M110) und eine erste Aluminiumkonzentration (A110) aufweist, - die Kontaktzone (120) eine zweite Magnesiumkonzentration (M120) und eine zweite Aluminiumkonzentration (A120) aufweist, - die erste Aluminiumkonzentration (A110) größer als die zweite Aluminiumkonzentration (A120) ist, - die erste Magnesiumkonzentration (M110) kleiner als die zweite Magnesiumkonzentration (M120) ist, - die Kontaktzone (120) eine nach außen freiliegende Fläche (10a) des Halbleiterkörpers (10) bildet, und - die Barrierezone (110) an die Kontaktzone (120) angrenzt.

公开(公告)号：WO2018177764A1

公开(公告)日：2018-10-04

申请号：PCT/EP2018/056558

申请日：2018-03-15

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： DRAGO, Massimo ,  FREY, Alexander ,  HERTKORN, Joachim

IPC: H01L33/00 ,  H01L33/22 ,  H01L33/32

Abstract: Das Verfahren ist zur Herstellung von Leuchtdiodenchips eingerichtet und weist die folgenden Schritte auf: A) Bereitstellen eines Aufwachssubstrats (1), C) Erzeugen einer Strukturschicht (3), insbesondere mit einer Vielzahl von pyramidenförmigen Strukturelementen (33), wobei die Strukturschicht (3) aus A1 x1 Ga 1 - x1-y1 In y1 N ist mit yl ≥ 0,5, D) Erzeugen einer Deckschicht (4) auf der Strukturschicht (3), wobei die Deckschicht (4) die Strukturschicht (3) formtreu nachformt und aus A1 x2 Ga 1-x2-y2 In y2 N ist mit x2 ≥ 0, 6, E) Erzeugen einer Planarisierungsschicht (5) auf der Deckschicht (4), wobei eine dem Aufwachssubstrat (1) abgewandte Seite der fertigen Planarisierungsschicht (5) eben ist und die Planarisierungsschicht (5) aus A1 x3 Ga 1-x3-y3 ln y3 N ist mit x3 + y3 ≥ 0,2, und F) Wachsen einer Funktionsschichtenfolge (7) zur Strahlungserzeugung auf der Planarisierungsschicht (5).

公开(公告)号：WO2017125505A1

公开(公告)日：2017-07-27

申请号：PCT/EP2017/051104

申请日：2017-01-19

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： FREY, Alexander ,  DRAGO, Massimo ,  HERTKORN, Joachim

IPC: H01L33/00 ,  H01L33/06 ,  H01L33/32 ,  H01S5/343

CPC classification number: H01L33/06 ,  H01L33/007 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/32

Abstract: Es wird ein optoelektronischer Halbleiterchip (10) angegeben mit einer aktiven Zone (5), die als Mehrfach-Quantentopfstruktur (51, 52) ausgebildet ist, wobei: - die Mehrfach-Quantentopfstruktur (51, 52) einen ersten Bereich (51) mit abwechselnden ersten Quantentopfschichten (51A) und ersten Barriereschichten (51B) und einen zweiten Bereich (52) mit mindestens einer zweiten Quantentopfschicht (52A) und mindestens einer zweiten Barriereschicht (52B) aufweist, - die ersten Quantentopfschichten (51A) erste elektronische Bandlücken (E QW1 ) aufweisen, - die mindestens eine zweite Quantentopfschicht (52A) eine zweite elektronische Bandlücke (E QW2 ) aufweist, - die zweite elektronische Bandlücke (E QW2 ) der mindestens einen zweiten Quantentopfschicht (52A) größer als die ersten elektronischen Bandlücken (E QW1 ) der ersten Quantentopfschichten (51A) ist, und - der zweite Bereich (52) näher an einem p-Typ-Halbleiterbereich (4) als der erste Bereich (51) angeordnet ist. Ferner wird ein Verfahren zur Herstellung eines solchen Halbleiterchips (10) angegeben.

Abstract translation:

它与当形成多量子阱结构（51，52）的有源区（5）中规定，光电子半导体芯片（10），其中： - 所述多量子阱结构（51，52） 的第一区域（51）具有交替的第一量子阱层（51A）和第一阻挡层（51B）和第二区域（52）与至少一个第二量子阱层（52A）和至少一个第二势垒层（52B）， - 所述第一量子阱层（51A ）第一电子Bandl导航用途CKEN（E <子> QW1 ），其： - 至少一个第二量子阱层（52A）的第二电子Bandl桥（例如<子> QW2 ）， - 所述第二 电子Bandl桥（例如<子> QW2 ）所述至少一个第二量子阱层的（52A）GR＆ouml;大街他称为第一电子Bandl导航用途CKEN（E <子> QW 1 ）所述第一量子阱层（ 51A），并且 - 第二区域（52）更接近于p型H 布置为第一区域（51）。 此外，给出了用于制造这种半导体芯片（10）的方法