公开(公告)号：WO2019042894A1

公开(公告)日：2019-03-07

申请号：PCT/EP2018/072906

申请日：2018-08-24

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： DRAGO, Massimo ,  FREY, Alexander ,  HERTKORN, Joachim ,  KOSLOW, Ingrid

IPC: H01L33/00 ,  H01L33/06 ,  H01L33/14 ,  H01L33/32 ,  H01L33/02 ,  H01L33/04

Abstract: Halbleiterkörper (10) basierend auf einem Nitridverbindungshalbleitermaterial mit einem p-leitenden Bereich (100), bei dem - der p-leitende Bereich (100) eine Barrierezone (110) und eine Kontaktzone (120) aufweist, wobei - die Barrierezone (110) eine erste Magnesiumkonzentration (M110) und eine erste Aluminiumkonzentration (A110) aufweist, - die Kontaktzone (120) eine zweite Magnesiumkonzentration (M120) und eine zweite Aluminiumkonzentration (A120) aufweist, - die erste Aluminiumkonzentration (A110) größer als die zweite Aluminiumkonzentration (A120) ist, - die erste Magnesiumkonzentration (M110) kleiner als die zweite Magnesiumkonzentration (M120) ist, - die Kontaktzone (120) eine nach außen freiliegende Fläche (10a) des Halbleiterkörpers (10) bildet, und - die Barrierezone (110) an die Kontaktzone (120) angrenzt.

公开(公告)号：WO2018177764A1

公开(公告)日：2018-10-04

申请号：PCT/EP2018/056558

申请日：2018-03-15

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： DRAGO, Massimo ,  FREY, Alexander ,  HERTKORN, Joachim

IPC: H01L33/00 ,  H01L33/22 ,  H01L33/32

Abstract: Das Verfahren ist zur Herstellung von Leuchtdiodenchips eingerichtet und weist die folgenden Schritte auf: A) Bereitstellen eines Aufwachssubstrats (1), C) Erzeugen einer Strukturschicht (3), insbesondere mit einer Vielzahl von pyramidenförmigen Strukturelementen (33), wobei die Strukturschicht (3) aus A1 x1 Ga 1 - x1-y1 In y1 N ist mit yl ≥ 0,5, D) Erzeugen einer Deckschicht (4) auf der Strukturschicht (3), wobei die Deckschicht (4) die Strukturschicht (3) formtreu nachformt und aus A1 x2 Ga 1-x2-y2 In y2 N ist mit x2 ≥ 0, 6, E) Erzeugen einer Planarisierungsschicht (5) auf der Deckschicht (4), wobei eine dem Aufwachssubstrat (1) abgewandte Seite der fertigen Planarisierungsschicht (5) eben ist und die Planarisierungsschicht (5) aus A1 x3 Ga 1-x3-y3 ln y3 N ist mit x3 + y3 ≥ 0,2, und F) Wachsen einer Funktionsschichtenfolge (7) zur Strahlungserzeugung auf der Planarisierungsschicht (5).

公开(公告)号：WO2017125505A1

公开(公告)日：2017-07-27

申请号：PCT/EP2017/051104

申请日：2017-01-19

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： FREY, Alexander ,  DRAGO, Massimo ,  HERTKORN, Joachim

IPC: H01L33/00 ,  H01L33/06 ,  H01L33/32 ,  H01S5/343

CPC classification number: H01L33/06 ,  H01L33/007 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/32

Abstract: Es wird ein optoelektronischer Halbleiterchip (10) angegeben mit einer aktiven Zone (5), die als Mehrfach-Quantentopfstruktur (51, 52) ausgebildet ist, wobei: - die Mehrfach-Quantentopfstruktur (51, 52) einen ersten Bereich (51) mit abwechselnden ersten Quantentopfschichten (51A) und ersten Barriereschichten (51B) und einen zweiten Bereich (52) mit mindestens einer zweiten Quantentopfschicht (52A) und mindestens einer zweiten Barriereschicht (52B) aufweist, - die ersten Quantentopfschichten (51A) erste elektronische Bandlücken (E QW1 ) aufweisen, - die mindestens eine zweite Quantentopfschicht (52A) eine zweite elektronische Bandlücke (E QW2 ) aufweist, - die zweite elektronische Bandlücke (E QW2 ) der mindestens einen zweiten Quantentopfschicht (52A) größer als die ersten elektronischen Bandlücken (E QW1 ) der ersten Quantentopfschichten (51A) ist, und - der zweite Bereich (52) näher an einem p-Typ-Halbleiterbereich (4) als der erste Bereich (51) angeordnet ist. Ferner wird ein Verfahren zur Herstellung eines solchen Halbleiterchips (10) angegeben.

Abstract translation:

它与当形成多量子阱结构（51，52）的有源区（5）中规定，光电子半导体芯片（10），其中： - 所述多量子阱结构（51，52） 的第一区域（51）具有交替的第一量子阱层（51A）和第一阻挡层（51B）和第二区域（52）与至少一个第二量子阱层（52A）和至少一个第二势垒层（52B）， - 所述第一量子阱层（51A ）第一电子Bandl导航用途CKEN（E <子> QW1 ），其： - 至少一个第二量子阱层（52A）的第二电子Bandl桥（例如<子> QW2 ）， - 所述第二 电子Bandl桥（例如<子> QW2 ）所述至少一个第二量子阱层的（52A）GR＆ouml;大街他称为第一电子Bandl导航用途CKEN（E <子> QW 1 ）所述第一量子阱层（ 51A），并且 - 第二区域（52）更接近于p型H 布置为第一区域（51）。 此外，给出了用于制造这种半导体芯片（10）的方法

公开(公告)号：WO2016184752A1

公开(公告)日：2016-11-24

申请号：PCT/EP2016/060575

申请日：2016-05-11

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： HERTKORN, Joachim ,  ZINI, Lorenzo ,  FREY, Alexander

IPC: H01L21/20 ,  C30B29/40

CPC classification number: H01L21/02458 ,  C30B25/04 ,  C30B25/18 ,  C30B29/403 ,  C30B33/10 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02647

Abstract: Es wird ein Verfahren zur Herstellung eines Nitridverbindungshalbleiter-Bauelements beschrieben, umfassend die Schritte: - Aufwachsen einer ersten Nitridverbindungshalbleiter-Schicht (1) auf ein Aufwachssubstrat (10), - Abscheiden einer Maskenschicht (11), - Aufwachsen einer zweiten Nitridverbindungshalbleiter-Schicht (2) über der Maskenschicht (11), - Aufwachsen einer dritten Nitridverbindungshalbleiter-Schicht (3) derart, dass sie nicht-planare Strukturen (3a) aufweist, - Aufwachsen einer vierten Nitridverbindungshalbleiter-Schicht (4) derart, dass sie eine im Wesentlichen planare Oberfläche aufweist, - Aufwachsen einer funktionellen Schichtenfolge (8) des Nitridverbindungshalbleiter-Bauelements, - Verbinden der funktionellen Schichtenfolge (8) mit einem Träger (13), - Ablösen des Aufwachssubstrats (10), und - Erzeugen von Auskoppelstrukturen (14) durch einen Ätzprozess, bei dem die erste, zweite und dritte Nitridverbindungshalbleiter-Schicht (1, 2, 3) zumindest teilweise abgetragen werden.

Abstract translation: 一种用于生产所述的氮化物半导体器件，其包括以下步骤的方法： - 生长第一氮化物半导体层（1）在生长衬底（10），上 - 沉积掩模层（11）， - 生长第二氮化物半导体层（2 包括生长第三族氮化物化合物半导体层（3），使得它们非平面结构（图3a）， - - ）（掩模层11）上，生长第四氮化物化合物半导体层（4），使得其具有一个基本上平面的表面 包括， - 生长氮化物化合物半导体装置的功能的层序列（8）， - 连接所述功能层序列（8）与载体（13）， - 所述生长衬底的分离（10），以及 - 通过蚀刻工艺产生输出耦合结构（14）， 其中，第一，第二和第三氮化物半导体层（1，2，3）至少部分地abgetr 会背诵。

公开(公告)号：WO2016016098A1

公开(公告)日：2016-02-04

申请号：PCT/EP2015/066919

申请日：2015-07-23

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： ZINI, Lorenzo ,  FREY, Alexander ,  HERTKORN, Joachim ,  HAHN, Berthold

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/0079 ,  H01L33/32 ,  H01L33/62 ,  H01L2933/0066 ,  H01S5/0201 ,  H01S5/0217

Abstract: Das Verfahren ist zur Herstellung von optoelektronischen Halbleiterchips (1) eingerichtet und umfasst die Schritte: - Aufwachsen einer Halbleiterschichtenfolge (3) auf einem Aufwachssubstrat (2), - Aufbringen zumindest einer Metallisierung (4) an einer dem Aufwachssubstrat (2) abgewandten Kontaktseite (34) der Halbleiterschichtenfolge (3), - Anbringen eines Zwischenträgers (6) an der Halbleiterschichtenfolge (3), wobei eine Opferschicht (5) zwischen dem Zwischenträger (6) und der Halbleiterschichtenfolge (3) angebracht wird, - Ablösen des Aufwachssubstrats (2) von der Halbleiterschichtenfolge (3), - Strukturieren der Halbleiterschichtenfolge (3) zu einzelnen Chipbereichen (33), - mindestens teilweises Auflösen der Opferschicht (5), und - nachfolgend Entfernen des Zwischenträgers (6)..

Abstract translation: 该方法是用于光电子半导体芯片（1）被布置的制备和包括以下步骤： - 在生长衬底上生长半导体层序列（3）（2）， - 将至少一个金属化（4）在（2）的面向从接触侧远离生长衬底（34 ）半导体层序列（3）中， - 将中间载体（6）在该半导体层序列（3），其中，所述中间支架（6）和半导体层序列（3）之间的牺牲层（5）被附着， - 从生长衬底（2）的脱离 半导体层序列（3）， - 图案化该半导体层序列（3）成单独的芯片区域（33）， - 所述牺牲层（5）中的至少部分溶解，以及 - 随后除去中间载体（6）..

公开(公告)号：WO2014048805A1

公开(公告)日：2014-04-03

申请号：PCT/EP2013/069356

申请日：2013-09-18

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： HERTKORN, Joachim ,  AHL, Jan-Philipp ,  ZINI, Lorenzo ,  PETER, Matthias ,  MEYER, Tobias ,  FREY, Alexander

IPC: H01L33/00 ,  H01L21/02 ,  H01L33/02

CPC classification number: H01L33/0075 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02647 ,  H01L33/007 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/025 ,  H01L33/14 ,  H01L33/22 ,  H01L33/32

Abstract: Es wird ein Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements angegeben, das Schritte umfasst zum Bereitstellen eines Substrats, zum Aufbringen einer Nukleationsschicht auf einer Oberfläche des Substrats, zum Aufbringen und Strukturieren einer Maskenschicht auf der Nukleationsschicht, zum Aufwachsen eines Nitridhalbleiters in einem ersten Wachstumsschritt, wobei Stege angelegt werden, die ein laterales Gitter bilden, wobei die Stege in Wachstumsrichtung abschnittsweise trapezförmige Querschnittsflächen aufweisen, und zum lateralen Überwachsen der Stege mit einem Nitridhalbleiter in einem zweiten Wachstumsschritt, um Freiräume zwischen den Stegen zu schließen.

Abstract translation: 它用于制造光电子组件被说明，包括对所述基板的表面上沉积成核层，用于施加和在成核层上图案化在第一生长步骤生长氮化物半导体的一个掩模层，提供一基底的步骤的方法，所述纤维网 被创建，其形成侧格，腹板部分具有梯形的横截面面积在生长的方向，并以纤维网，其包括在第二生长步骤中的氮化物半导体，的横向过生长来关闭腹板之间的间隙。

公开(公告)号：WO2014019752A1

公开(公告)日：2014-02-06

申请号：PCT/EP2013/062022

申请日：2013-06-11

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： HERTKORN, Joachim ,  ZINI, Lorenzo ,  AHL, Jan-Philipp ,  FREY, Alexander

IPC: H01L33/00 ,  H01L33/32 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L33/007 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02645 ,  H01L21/02647 ,  H01L33/10 ,  H01L33/32

Abstract: In mindestens einer Ausführungsform ist das Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterchips (1) eingerichtet. Das Verfahren umfasst zumindest die folgenden Schritte in der angegebenen Reihenfolge: A) Bereitstellen eines Aufwachssubstrats (2) mit einer Aufwachsseite (20), B) Abscheiden mindestens einer auf Al x Ga 1-x OyN 1-y basierenden Nukleationsschicht (3) an der Aufwachsseite (20), C) Abscheiden und Strukturieren einer Maskierungsschicht (4), D) optionales Aufwachsen einer auf GaN basierenden Anwachsschicht (5) in nicht von der Maskierungsschicht (4) bedeckten Bereichen an der Nukleationsschicht (3), E) teilweises Entfernen der Nukleationsschicht (3) und/oder der Anwachsschicht (5) in nicht von der Maskierungsschicht (4) bedeckten Bereichen oder Aufbringen einer zweiten Maskierungsschicht (7) auf der Nukleationsschicht (3) oder auf der Anwachsschicht (5) in den nicht von der Maskierungsschicht (4) bedeckten Bereichen, und F) Aufwachsen einer auf AlInGaN basierenden Halbleiterschichtenfolge (6) mit mindestens einer aktiven Schicht (65).

Abstract translation: 在至少一个实施例中，当建立用于制造光电子半导体芯片（1）的方法。 该方法包括至少在给定的顺序执行以下步骤：A）提供（2）具有Aufwachsseite（20）的生长衬底，B）上沉积至少一个（在的AlxGa1-xOyN1-γ基于成核3）（在Aufwachsseite 20） C）沉积和任选图案化掩模层（4），D），在没有（通过掩模层4）覆盖的区域中的核层（3）中，e（5）上生长的GaN基Anwachsschicht）部分地除去所述成核层（3）和 或Anwachsschicht（5）覆盖在未被掩蔽层（4）的区域或沉积成核层（3）或在Anwachsschicht上的第二掩模层（7）/（5）在从所述掩模层（4）覆盖的区域的非， 和F）生长（在基于由AlInGaN半导体层序列6）（具有至少一个活性层65）。

公开(公告)号：WO2013160343A1

公开(公告)日：2013-10-31

申请号：PCT/EP2013/058477

申请日：2013-04-24

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： HERTKORN, Joachim ,  FREY, Alexander ,  SCHMID, Christian

IPC: H01L21/02

CPC classification number: H01L33/0066 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/0251 ,  H01L21/02513 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02661 ,  H01L31/03044 ,  H01L31/1852 ,  H01L31/1856 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/32 ,  Y10T428/24355

Abstract: Es wird ein Epitaxiesubstrat (11, 12, 13) für ein Nitrid- Verbindungshalbleitermaterial angegeben, das eine Nukleationsschicht (2) direkt auf einem Substrat (1) aufweist, wobei die Nukleationsschicht (2) zumindest eine erste Schicht (21) aus AlON mit einer Säulenstruktur aufweist. Weiterhin werden ein Verfahren zur Herstellung eines Epitaxiesubstrats und ein optoelektronischer Halbleiterchip mit einem Epitaxiesubstrat

Abstract translation: 它是用于具有成核的氮化物化合物半导体材料中指定的外延衬底（11，12，13）（2）直接在基板上（1），所述核层（2）至少AlON构成的第一层（21）配有一个 具有柱状结构。 此外，制造外延衬底的方法，并用外延基板的光电子半导体芯片

公开(公告)号：WO2018234159A1

公开(公告)日：2018-12-27

申请号：PCT/EP2018/065861

申请日：2018-06-14

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： KOSLOW, Ingrid ,  DRAGO, Massimo ,  HERTKORN, Joachim ,  FREY, Alexander

IPC: H01L33/02 ,  H01S5/30 ,  H01L33/04

Abstract: Die Erfindung betrifft einen Halbleiterkörper (1) umfassend ein III-V-Verbindungshalbleitermaterial mit einem p-leitenden Bereich (10), der mit einem p-Dotierstoff dotiert ist, wobei der p-leitende Bereich (10) zumindest einen ersten (101), einen zweiten (102) und einen dritten (103) Abschnitt umfasst, der zweite Abschnitt (102) zwischen dem ersten (101) und dem dritten Abschnitt (103) angeordnet ist, der zweite Abschnitt (102) direkt an den ersten (101) und den dritten (103) Abschnitt angrenzt, und die Indiumkonzentration (I) zumindest einer der Abschnitte (101, 102, 103) unterschiedlich von den Indiumkonzentrationen (I) der anderen beiden Abschnitte (101, 102, 103) ist.

公开(公告)号：WO2015154922A1

公开(公告)日：2015-10-15

申请号：PCT/EP2015/054641

申请日：2015-03-05

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： HIRMER, Marika ,  HERTKORN, Joachim ,  FREY, Alexander ,  WEIMAR, Andreas ,  LAUX, Harald ,  BAUER, Adam ,  WALTER, Alexander

IPC: H01L21/268 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L33/0079 ,  H01L21/7813 ,  H01L33/0095

Abstract: Es wird ein Verfahren zum Ablösen einer Halbleiterschichtenfolge (2) von einem Substrat (1) angegeben, bei dem die Halbleiterschichtenfolge auf dem Substrat bereitgestellt wird, wobei die Halbleiterschichtenfolge eine Trennschicht (4) und zwischen dem Substrat und der Trennschicht eine Wärmeisolationsschicht (3) aufweist und wobeidie Wärmeisolationsschicht eine geringere Wärmeleitfähigkeit aufweist als ein auf einer dem Substrat zugewandten Seite angrenzendes Material. Die Trennschicht wird mit kohärenter Strahlung bestrahlt, wobei die Wärmeisolationsschicht für die Strahlung durchlässig ist und Material der Trennschicht durch die in der Trennschicht absorbierte Strahlung zumindest bereichsweise zersetzt wird.

Abstract translation: 提供了一种方法，用于分离的半导体层序列（2）的基板（1），其中，所述半导体层序列被设置在基板上，其中所述半导体层序列具有分离层（4）和所述基板和所述分离层的热绝缘层（3）之间 且其中所述绝热层具有比在所述衬底相邻的材料的一侧上的面向下的热传导率。 分离层照射相干辐射，其中，所述绝热层是透明的辐射和分离层的材料是通过在分离层中所吸收的辐射至少部分地分解。