公开(公告)号：WO2019158401A1

公开(公告)日：2019-08-22

申请号：PCT/EP2019/052781

申请日：2019-02-05

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： KATZ, Simeon ,  WENDT, Mathias ,  HUPPMANN, Sophia ,  ZENGER, Marcus ,  MÜLLER, Jens

IPC: H01L33/00 ,  H01L33/62

Abstract: Es wird ein Verfahren zur Herstellung einer elektrischen Verbindung zwischen einem ersten Bauteil (1) und einem zweiten Bauteil (2) angegeben, bei dem das erste Bauteil mit einer ersten freiliegenden Isolationsschicht (1I) und das zweite Bauteil mit einer zweiten freiliegenden Isolationsschicht (2I) bereitgestellt werden, wobei die Isolationsschichten jeweils zumindest eine Öffnung (1IC, 2IC) aufweisen. Die Bauteile werden derart zusammengeführt, dass sich die Öffnung (1IC) der ersten Isolationsschicht und die Öffnung (2IC) der zweiten Isolationsschicht in Draufsicht überlappen, wobei in mindestens einer der Öffnungen (1IC, 2IC) eine Au-Schicht (S1, S2) und eine Sn-Schicht (S1, S2) übereinander angeordnet sind. Die Au-Schicht und die Sn-Schicht werden zur Bildung einer AuSn-Legierung aufgeschmolzen, wobei die AuSn-Legierung nach einer Abkühlung eine Durchkontaktierung (12) bildet, welche das erste Bauteil mit dem zweiten Bauteil elektrisch leitend verbindet. Des Weiteren wird ein Bauelement aus einem ersten Bauteil und einem zweiten Bauteil angegeben, wobei die Bauteile durch eine Durchkontaktierung aus einer AuSn-Legierung miteinander elektrisch leitend verbunden sind.

公开(公告)号：WO2020127264A1

公开(公告)日：2020-06-25

申请号：PCT/EP2019/085647

申请日：2019-12-17

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： KATZ, Simeon

IPC: H01L33/00

Abstract: Ein Verfahren zur Herstellung einer optoelektronischen Leuchtvorrichtung umfasst, dass ein erster Halbleiterwafer (10) bereitgestellt wird, der eine Vielzahl von ersten optoelektronischen Halbleiterbauelementen (11) aufweist, der erste Halbleiterwafer (10) über einem Träger (20) angeordnet wird, mehrere der ersten optoelektronischen Halbleiterbauelemente (11) mittels einer Laserstrahlung (30) von dem ersten Halbleiterwafer (10) getrennt werden und auf den Träger (20) fallen, und die von dem ersten Halbleiterwafer (10) getrennten ersten optoelektronischen Halbleiterbauelemente (11) an dem Träger (20) befestigt werden.

公开(公告)号：WO2019145435A1

公开(公告)日：2019-08-01

申请号：PCT/EP2019/051772

申请日：2019-01-24

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： KATZ, Simeon ,  MAUTE, Markus

IPC: H01L25/075 ,  H01L33/44 ,  H01L33/48

CPC classification number: H01L33/486 ,  H01L25/0753 ,  H01L33/44 ,  H01L2933/0033

Abstract: Es wird ein optoelektronisches Halbleiterbauelement angegeben, dass einen Halbleiterkörper (10) mit einer auf einer Hauptfläche des Halbleiterkörpers (10) aufgebrachten Kontaktmetallisierung (20) und eine Schutzschicht (30), die den Halbleiterkörper (10) und die Kontaktmetallisierung (20) teilweise bedeckt, ein an den Halbleiterkörper (10) seitens der Hauptfläche stoffschlüssig angefügtes Substrat (40), eine Aussparung (50) und eine innerhalb der Aussparung (50) angeordnete Anschlussschicht (60) aufweist. Die Aussparung (50) und die Anschlussschicht (60) erstrecken sich von einer dem Halbleiterkörper (10) abgewandten Seite des Substrats (40) durch das Substrat (40) und die Schutzschicht (30) bis zu der Kontaktmetallisierung (20), und die Anschlussschicht (60) kontaktiert die Kontaktmetallisierung (20) elektrisch.

公开(公告)号：WO2014019917A1

公开(公告)日：2014-02-06

申请号：PCT/EP2013/065638

申请日：2013-07-24

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  FRAUNHOFER-GESELLSCHAFT ZUR FÖRDERUNG DER ANGEWANDTEN FORSCHUNG E.V.

Inventor： PETER, Matthias ,  KATZ, Simeon ,  OFF, Jürgen ,  PERZLMAIER, Korbinian ,  GEHRKE, Kai ,  AIDAM, Rolf ,  DÄUBLER, Jürgen ,  PASSOW, Thorsten

IPC: H01L33/00 ,  H01L33/32 ,  H01L33/40 ,  H01L33/12

CPC classification number: H01L33/10 ,  H01L31/02002 ,  H01L31/02005 ,  H01L31/02161 ,  H01L31/02167 ,  H01L31/02168 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/022441 ,  H01L31/022475 ,  H01L31/0236 ,  H01L31/0304 ,  H01L31/054 ,  H01L31/056 ,  H01L31/184 ,  H01L33/0008 ,  H01L33/0062 ,  H01L33/007 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/12 ,  H01L33/30 ,  H01L33/32 ,  H01L33/325 ,  H01L33/36 ,  H01L33/405 ,  H01L33/42 ,  H01L33/46 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2933/0016 ,  H01L2933/0025 ,  H01L2933/0058 ,  Y02E10/52 ,  H01L2924/00

Abstract: Es wird ein reflektierendes Kontaktschichtsystem für ein optoelektronisches Bauelement (100) angegeben, umfassend: - eine erste p-dotierte Nitridverbindungshalbleiterschicht (1), - eine transparente leitfähige Oxidschicht (3), - eine Spiegelschicht (4), und - eine zwischen der ersten p-dotierten Nitridverbindungshalbleiterschicht (1) und der transparenten leitfähigen Oxidschicht (3) angeordnete zweite p-dotierte Nitridverbindungshalbleiterschicht (2), wobei die zweite p-dotierte Nitridverbindungshalbleiterschicht (2) an einer der transparenten leitfähigen Oxidschicht (3) zugewandten Grenzfläche (23) N-Face-Domänen (22) aufweist, und wobei die N-Face-Domänen (22) an der Grenzfläche (23) einen Flächenanteil von mindestens 95 % aufweisen. Weiterhin wird ein Verfahren zur Herstellung des Kontaktschichtsystems angegeben.

Abstract translation: 本发明公开了用于光电装置的反射接触层系统（100），包括： - 一个第一p掺杂氮化物半导体层（1）， - 一个透明导电氧化物层（3）， - 一个镜层（4），以及 - 所述p之间的第一 掺杂的氮化物半导体层（1）和所述透明导电氧化物层（3）设置在第二p-掺杂的氮化物半导体层（2），其中，所述第二p型掺杂的氮化物半导体层（2）上的透明导电氧化物层中的一个（3）的面向接口（23）N- 面结构域（22），并且其中在所述接口（23）的N面域（22）具有至少95％的面积比。 此外，被指定制造接触层系统的方法。

公开(公告)号：WO2020151963A1

公开(公告)日：2020-07-30

申请号：PCT/EP2020/050576

申请日：2020-01-10

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： KATZ, Simeon

IPC: H01L25/075 ,  H01L33/50

Abstract: Es wird ein Verfahren zur Herstellung eines strahlungsemittierenden Halbleiterbauteils (1) mit den folgenden Schritten angegeben: - Bereitstellen einer Trägerplatte (2), die Kontaktelemente (3) aufweist, - Aufbringen eines strahlungsemittierenden Halbleiterchips (5) auf die Trägerplatte (2), - epitaktisches Herstellen von ersten Konversionselementen (11), und - Aufbringen der ersten Konversionselemente (11) auf den Halbleiterchip (5), wobei - der Halbleiterchip (5) Emitterbereiche (7) umfasst, die jeweils elektromagnetische PrimärStrahlung von einer Strahlungsaustrittsfläche (8) aussenden, und - die ersten Konversionselemente (11) nach der epitaktischen Herstellung gleichzeitig auf zumindest manche der Emitterbereiche (7) aufgebracht werden. Weiterhin wird ein strahlungsemittierendes Halbleiterbauteil (1) angegeben.

公开(公告)号：WO2017129562A1

公开(公告)日：2017-08-03

申请号：PCT/EP2017/051423

申请日：2017-01-24

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： HUPPMANN, Sophia ,  SCHOLZ, Dominik ,  KATZ, Simeon

IPC: H01L21/78 ,  H01L27/146

CPC classification number: H01L21/78 ,  H01L27/14632 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14687

Abstract: Es wird ein Verfahren zur Herstellung einer Mehrzahl von Bauelementen (100) angegeben, bei dem ein Trägerverbund (10) mit einem zusammenhängenden Grundkörper (13) und ein Waferverbund (200) mit einem zusammenhängenden Halbleiterkörperverbund (20) undeinem Substrat (9) bereitgestellt werden. Der Waferverbund wird mit dem Trägerverbund zur Bildung eines gemeinsamen Verbunds verbunden. In einem nachfolgenden Verfahrensschritt wird eine Mehrzahl von Trenngräben (60) zumindest durch den Grundkörper (13) hindurch zur Bildung einer Rasterstruktur (6) erzeugt, welche die Dimensionen der herzustellenden Bauelemente (100) festlegt. Eine Passivierungsschicht (61) wird derart geformt, dass sie Seitenflächen der Trenngräben (60) bedeckt. Abschließend wird der gemeinsame Verbund vereinzelt, wobei das Substrat (9) von dem Halbleiterkörperverbund (20) abgelöst wird und der gemeinsame Verbund entlang der Trenngräben (60) zu einer Mehrzahl von Bauelementen (100) vereinzelt wird.

Abstract translation: 公开了一种用于制造多个部件（100）的方法，其中将具有粘合基体（13）和晶片复合体（200）的载体复合体（10）与 相干半导体复合物（20）和衬底（9）。 晶片复合材料粘合到载体复合材料上以形成复合材料。 在随后的方法步骤中，至少通过基体（13）产生多个分离梁（60）以形成限定待制造的部件（100）的尺寸的栅格结构（6）。 钝化层（61）形成为覆盖栅栏（60）的侧表面。 最后，复合材料被分离，其中衬底（9）与半导体复合物（20）分离，并且复合材料沿着分离棒（60）被分离成多个器件（100）。

公开(公告)号：WO2017055215A1

公开(公告)日：2017-04-06

申请号：PCT/EP2016/072854

申请日：2016-09-26

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： HARTMANN, Rainer ,  MANDL, Martin ,  KATZ, Simeon ,  RÜCKERL, Andreas

IPC: H01L31/00 ,  H01L33/00 ,  H01L33/38 ,  H01L33/44

CPC classification number: H01L33/0079 ,  H01L31/00 ,  H01L33/382 ,  H01L33/387 ,  H01L33/44 ,  H01L2933/0025

Abstract: Ein optoelektronischer Halbleiterchip (1), insbesondere in der Form eines Dünnfilmchips, umfasst einen Träger (5), sowie eine Chipvorderseite, eine Chiprückseite (52) und einen auf dem Träger (5) angeordneten Halbleiterkörper (2) mit einer Halbleiterschichtenfolge. Die Halbleiterschichtenfolge umfasst einen aktiven Bereich (20), der zwischen einer ersten Halbleiterschicht (21) und einer zweiten Halbleiterschicht (22) angeordnet ist. Dieser dient zur Erzeugung oder zum Empfangen von elektromagnetischer Strahlung. Die erste Halbleiterschicht (21) ist elektrisch leitend mit einem ersten Kontakt (41) verbunden, wobei der erste Kontakt (41) an der Chipvorderseite, insbesondere neben dem aktiven Bereich (20), ausgebildet ist. Die zweite Halbleiterschicht (22) ist elektrisch leitend mit einem zweiten Kontakt (42) verbunden und der zweite Kontakt (42) ist ebenfalls an der Chipvorderseite, insbesondere neben dem aktiven Bereich (20), ausgebildet. Eine elektrisch isolierende Trennschicht (6) ist zwischen elektrischer Anschlussschicht (31) und Träger (5) oder innerhalb des Trägers ausgebildet.

Abstract translation: 的光电子半导体芯片（1），特别是在薄膜芯片的形式，包括一个支撑件（5），和一个芯片前表面上，所述芯片（52）的背面和（2），其具有半导体层序列（5）半导体本体在载体上布置成一个。 半导体层序列包括第一半导体层（21）和被布置在第二半导体层（22）之间的有源区（20）。 这用于产生或接收电磁辐射。 在第一半导体层（21）是导电的第一触点（41），其中，在形成第一接触（41）在芯片前侧，特别是邻近于所述有源区（20）。 所述第二半导体层（22）导电地连接到一个第二触头（42）和第二接触（42）还对芯片前侧，特别是邻近于所述有源区（20）形成。 所述电连接层（31）和支撑件（5）或在载体内形成之间的电气绝缘隔离层（6）。

公开(公告)号：WO2020078740A1

公开(公告)日：2020-04-23

申请号：PCT/EP2019/076912

申请日：2019-10-04

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： KATZ, Simeon ,  WEIMAR, Andreas

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/683

Abstract: Haftstempel (30) zum Transfer von Halbleiterchips (40) mit einer Vielzahl von in einem Array angeordneten längenveränderbaren Stempelkörpern (32), wobei jeder Stempelkörper (32 eine Anhaftfläche (34) für einen Halbleiterchip (40) auf einem Kopfbereich (39) des Stempelkörpers (32) aufweist.

公开(公告)号：WO2018010883A1

公开(公告)日：2018-01-18

申请号：PCT/EP2017/062783

申请日：2017-05-26

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： HIRMER, Marika ,  HUPPMANN, Sophia ,  KATZ, Simeon

IPC: H01L33/08 ,  H01L33/00 ,  H01L33/22 ,  H01L33/10 ,  H01L27/15

Abstract: Es wird ein Bauelement mit einem Substrat (1), einem ersten Halbleiterkörper (2), einem zweiten Halbleiterkörper (4) und eine erster Übergangszone (3), wobei eine erste aktive Schicht (23) des ersten Halbleiterkörpers zur Erzeugung elektromagnetischer Strahlung erster Peakwellenlänge eingerichtet ist und eine zweite aktive Schicht (43) des zweiten Halbleiterkörpers zur Erzeugung elektromagnetischer Strahlung zweiter Peakwellenlänge eingerichtet ist. Die erste Übergangszone ist in vertikaler Richtung zwischen dem ersten Halbleiterkörper und dem zweiten Halbleiterkörper angeordnet und grenzt unmittelbar an den ersten sowie an den zweiten Halbleiterkörper an. Die erste Übergangszone weist ein strahlungsdurchlässiges und elektrisch leitfähiges Material auf, sodass der erste Halbleiterkörper über die erste Übergangszone mit dem zweiten Halbleiterkörper elektrisch leitend verbunden ist. Außerdem weist die erste Übergangszone eine strukturierte Hauptfläche (301, 302) und/oder eine erste teilweise transparente und teilweise wellenlängenselektiv reflektierende Spiegelstruktur (33) auf. Des Weiteren wird ein Verfahren angegeben, das zur Herstellung eines hier beschriebenen Bauelements besonders geeignet ist, bei dem der erste und der zweite Halbleiterkörper insbesondere mittels Direktbondens mechanisch und elektrisch miteinander verbunden werden.

Abstract translation:

这是具有一个基底（1），第一Halbleiterk＆OUML的装置;主体（2），第二Halbleiterk＆OUML;主体（4）和第一导航使用过渡区域（3），其中，第一活性 第一半导体本体的层（23）适于产生第一峰值波长的电磁辐射，并且第二半导体本体的第二有源层（43）配置成产生第二峰值波长的电磁辐射。 第一过渡区沿垂直方向布置在第一半导体本体和第二半导体本体之间并且直接邻接第一和第二半导体本体。 第一过渡区包括辐射透射且导电的材料，使得第一半导体本体经由第一过渡区导电地连接到第二半导体本体。 此外，第一过渡区具有结构化主表面（301,302）和/或第一部分透明且部分波长选择性反射镜结构（33）。 此外，规定了一种特别适用于制造这里描述的部件的方法，其中第一和第二半导体本体彼此机械和电连接，特别是通过直接键合

公开(公告)号：WO2017153123A1

公开(公告)日：2017-09-14

申请号：PCT/EP2017/053015

申请日：2017-02-10

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： HUPPMANN, Sophia ,  KATZ, Simeon ,  ZENGER, Marcus

IPC: H01L33/00 ,  H01L33/38 ,  H01L33/42 ,  H01L25/075 ,  H01L33/62

Abstract: Es wird ein optoelektronisches Bauelement (50) mit einem Halbleiterkörper (10a-c), der einen optisch aktiven Bereich (12) aufweist, weiter mit einem Träger (60) und einem Verbindungsschichtenpaar (30a-c), das eine erste Verbindungsschicht (32) und eine zweite Verbindungsschicht (34) aufweist, angegeben, wobei: der Halbleiterkörper auf dem Träger angeordnet ist, die erste Verbindungsschicht zwischen dem Halbleiterkörper und dem Träger angeordnet und mit dem Halbleiterkörper verbunden ist, die zweite Verbindungsschicht zwischen der ersten Verbindungsschicht und dem Träger angeordnet ist, zumindest eine Schicht ausgewählt aus der ersten Verbindungsschicht und der zweiten Verbindungsschicht ein strahlungsdurchlässiges und elektrisch leitfähiges Oxid enthält, und die erste Verbindungsschicht und die zweite Verbindungsschicht zumindest bereichsweise in einem oder mehreren Verbindungsbereichen direkt miteinander verbunden sind, so dass das Verbindungsschichtenpaar an der mechanischen Anbindung des Halbleiterkörpers an den Träger beteiligt ist. Die erste und/oder zweite Verbindungsschicht aufweist eine Mehrzahl von innerhalb der jeweiligen Schicht elektrisch voneinander isolierten, elektrisch leitfähigen Teilbereichen (80, 82), wobei zumindest zwei dieser Teilbereiche mit dem Halbleiterkörper auf verschiedenen Seiten des optisch aktiven Bereichs elektrisch leitfähig verbunden sind.

Abstract translation:

这是具有一个Halbleiterk＆OUML的光电子器件（50）;主体（10A-C）具有光学活性区域（12），还包括一个载体BEAR（GER（60）和连接层对 图30A-C），其具有所示的第一互连层（32）和第二连接层（34），其中：所述Halbleiterk＆oUML;布置GER，在载体＆AUML体Halbleiterk＆oUML ;;体和Tr的AUML之间的第一粘结层; GER 和连接到所述Halbleiterk＆oUML; GER被布置在至少一个层中选择＆AUML;从所述第一互连层和第二互连层HLT，一个strahlungsdurchl BEAR流动的和导电BEAR Higes氧化物含有＆AUML是主体，所述第一互连层和Tr的AUML之间，第二连接层 lt;并且第一连接层和第二连接层至少部分地直接连接在一个或多个连接区域中 使得连接层对涉及半导体本体与载体的机械连接。 具有彼此多个电隔离的各个层内，导电BEAR ELIGIBLE部分区域（80，82）的第一和/或第二粘结层，其中，至少两个与所述Halbleiterk＆OUML这些部分区域;主体上的光学活性区的导电＆AUML的不同侧; 已连接。