Optoelektronisches Bauteil
    1.
    发明专利

    公开(公告)号:DE102018106465A1

    公开(公告)日:2019-09-26

    申请号:DE102018106465

    申请日:2018-03-20

    Abstract: In mindestens einer Ausführungsform umfasst das optoelektronische Bauteil (100) einen optoelektronischen Halbleiterchip (1), der im bestimmungsgemäßen Betrieb Primärstrahlung erzeugt, die über eine Emissionsseite (10) des Halbleiterchips aus dem Halbleiterchip ausgekoppelt wird. Das optoelektronische Bauteil umfasst weiter ein erstes Konversionselement (21) auf der Emissionsseite. Das erste Konversionselement umfasst ein erstes Matrixmaterial (211) und erste Leuchtstoffpartikel (210) in Form von Quantenpunkten. Die ersten Leuchtstoffpartikel sind in dem ersten Matrixmaterial verteilt und eingebettet. Das erste Matrixmaterial ist durch ein Polysiloxan gebildet, bei dem der Atomprozent-Anteil von Kohlenstoff kleiner als der Atomprozent-Anteil von Sauerstoff ist.

    Lichtemittierendes Halbleiterbauteil

    公开(公告)号:DE102018101786A1

    公开(公告)日:2019-08-01

    申请号:DE102018101786

    申请日:2018-01-26

    Abstract: Lichtemittierendes Halbleiterbauteil (1), mit einer Vielzahl von einzeln und/oder gruppenweise getrennt betreibbaren nebeneinander angeordneten Emissionsbereichen (20) und einer Konversionsschicht (30), bei dem- die Konversionsschicht (30) den Emissionsbereichen (20) in Abstrahlrichtung der Emissionsbereiche (20) nachgeordnet ist,- die Emissionsbereiche (20) Primärstrahlung (L1) eines ersten Wellenlängenbereichs in die Konversionsschicht (30) hinein emittieren,- die Konversionsschicht (30) zumindest einen Teil der Primärstrahlung (L1) in Sekundärstrahlung (L2) eines zweiten Wellenlängenbereichs umwandelt,- das lichtemittierende Halbleiterbauteil (1) eine Abstrahlfläche (1a) aufweist, durch welche Mischstrahlung (L) aus dem lichtemittierenden Halbleiterbauteil (1) austritt, wobei- die Mischstrahlung (L) die Primärstrahlung (L1) und die Sekundärstrahlung (L2) umfasst, und- eine Wahrscheinlichkeit, mit der Primärstrahlung (L) auf dem Laufweg vom Emissionsbereich (20) zur Abstrahlfläche (1a) in Sekundärstrahlung (L2) umgewandelt wird, sich entlang der Abstrahlfläche maximal um den Faktor 2 ändert.

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