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    Verfahren zum Ansteuern eines lichtemittierenden Bauelements beim Auslesen eines CMOS-Kamerasensors und Ansteuereinheit
    1.
    发明专利
    Verfahren zum Ansteuern eines lichtemittierenden Bauelements beim Auslesen eines CMOS-Kamerasensors und Ansteuereinheit 未知

    公开(公告)号：DE102016113443A1

    公开(公告)日：2018-01-25

    申请号：DE102016113443

    申请日：2016-07-21

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： QUEREN DÉSIRÉE ,  SCHULTEN DOMINIK

    IPC: H04N5/238 ,  H04N5/232 ,  H04N5/341

    Abstract: Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zum Ansteuern eines lichtemittierenden Bauelements beim Auslesen eines CMOS-Kamerasensors und eine Ansteuereinheit. Die Erfindung stellt ein effizientes technisches Konzept bereit, welches ein verbessertes Auslesen eines von einem lichtemittierenden Bauelement beleuchteten CMOS-Kamerasensors bereitstellt, indem das lichtemittierenden Bauelement (100) im PWM-Modus mit einem pulsweitenmodulierten Ansteuersignal betrieben wird. Durch das pulsweitenmodulierte Ansteuern des lichtemittierenden Bauelements kann in vorteilhafter Weise ferner eine Farbortverschiebung des Bildes des Kamerasensors vermieden werden. Eine Abbildungsqualität von mittels des Kamerasensors erfassten Bildern ist dadurch vorteilhaft erhöht.

    Halbleiterlichtquelle
    2.
    发明专利
    Halbleiterlichtquelle 未知

    公开(公告)号：DE102017112112B4

    公开(公告)日：2020-06-04

    申请号：DE102017112112

    申请日：2017-06-01

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： STREPPEL ULRICH ,  QUEREN DÉSIRÉE

    IPC: F21K9/69 ,  F21K9/62 ,  F21V5/00 ,  F21V5/02 ,  F21V5/04 ,  F21V33/00 ,  F21W131/40 ,  F21Y105/00 ,  F21Y115/10 ,  G03B15/02 ,  G03B15/05 ,  H01L25/075

    Abstract: Halbleiterlichtquelle (1) mit- mindestens einer ersten Emissionseinheit (21),- mindestens einer zweiten Emissionseinheit (22), und- einer Optik (3), wobei- die Optik (3) einen Innenbereich (31) zur Bündelung von Strahlung der ersten Emissionseinheit (21) aufweist,- die Optik (3) einen Außenbereich (32) zur Aufweitung oder Streuung von Strahlung der zweiten Emissionseinheit (21) aufweist,- ein erster Lichtabstrahlbereich (41) des Innenbereichs (31) in Draufsicht gesehen die erste Emissionseinheit (21) vollständig und die zweite Emissionseinheit (22) mindestens teilweise überdeckt,- ein zweiter Lichtabstrahlbereich (42) des Außenbereichs (32) in Draufsicht gesehen teilweise oder vollständig neben der zweiten Emissionseinheit (22) liegt,- der Innenbereich (31) und der Außenbereich (32) voneinander verschieden geformte Lichteintrittsbereiche (51, 52) aufweisen, und- die zweite Emissionseinheit (22) die erste Emissionseinheit (21) in Draufsicht gesehen ringsum umläuft und beide Emissionseinheiten (21, 22) zur Abstrahlung von Licht des gleichen Farborts eingerichtet sind.

    Optoelektronischer Halbleiterchip und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterchips
    4.
    发明专利
    Optoelektronischer Halbleiterchip und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterchips 未知

    公开(公告)号：DE102017124307A1

    公开(公告)日：2019-04-18

    申请号：DE102017124307

    申请日：2017-10-18

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： O'BRIEN DAVID ,  QUEREN DÉSIRÉE ,  RACZ DAVID ,  GÖÖTZ BRITTA ,  SCHUMANN MICHAEL

    IPC: H01L33/50 ,  H01L33/58

    Abstract: Es wird ein optoelektronischer Halbleiterchip (10) angegeben mit einem aktiven Bereich (11) in einem Halbleiterkörper (12) mit einer Haupterstreckungsebene, wobei der aktive Bereich (11) dazu ausgelegt ist im Betrieb des optoelektronischen Halbleiterchips (10) elektromagnetische Strahlung zu emittieren. Außerdem umfasst der optoelektronische Halbleiterchip (10) mindestens zwei Konversionselemente (13), welche dazu ausgelegt sind die Wellenlänge der vom aktiven Bereich (11) im Betrieb emittierten elektromagnetischen Strahlung zu konvertieren, und mindestens eine Barriere (14), welche zumindest teilweise undurchlässig für die vom aktiven Bereich (11) emittierte elektromagnetische Strahlung ist. Dabei ist die Barriere (14) in einer lateralen Richtung (x) zwischen den Konversionselementen (13) angeordnet, wobei die laterale Richtung (x) parallel zur Haupterstreckungsebene des Halbleiterkörpers (12) ist, und die Barriere (14) erstreckt sich quer zur lateralen Richtung (x). Der aktive Bereich (11) weist mindestens zwei Emissionsbereiche (15) auf, welche getrennt voneinander angesteuert werden können, und jedes der Konversionselemente (13) ist in einer Abstrahlrichtung der von einem der Emissionsbereiche (15) emittierten elektromagnetischen Strahlung angeordnet. Außerdem wird ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterchips (10) angegeben.

    Weißlichtquelle und Verfahren zur Herstellung einer Weißlichtquelle
    5.
    发明专利
    Weißlichtquelle und Verfahren zur Herstellung einer Weißlichtquelle 未知

    公开(公告)号：DE102016124873A1

    公开(公告)日：2018-06-21

    申请号：DE102016124873

    申请日：2016-12-19

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： BURGER MARKUS ,  QUEREN DÉSIRÉE

    IPC: H01L25/075 ,  F21K9/64 ,  F21K9/65 ,  H01L33/50

    Abstract: Die Erfindung betrifft eine Weißlichtquelle mit einer Anordnung von Leuchtdioden. Die Leuchtdioden sind in erste Leuchtdioden und zweite Leuchtdioden unterteilt. Ferner weist die Weißlichtquelle ein Konversionselement auf, das ausgebildet ist, um von den Leuchtdioden emittiertes Licht zu absorbieren und konvertiertes Licht mit einer größeren Wellenlänge als das emittierte Licht zu erzeugen. Dieses Konversionselement weist einen ersten Konversionsleuchtstoff in einem ersten Matrixmaterial auf, wobei das erste Matrixmaterial mit dem ersten Konversionsleuchtstoff flächig in einer durchgehenden Schicht oberhalb der ersten und der zweiten Leuchtdioden angeordnet ist. Außerdem weist das Konversionselement einen zweiten Konversionsleuchtstoff in einem zweiten Matrixmaterial auf, wobei das zweite Matrixmaterial mit dem zweiten Konversionsleuchtstoff nur oberhalb der zweiten Leuchtdioden angeordnet ist.

    Lichtemittierendes Halbleiterbauteil
    8.
    发明专利
    Lichtemittierendes Halbleiterbauteil 未知

    公开(公告)号：DE102018101786A1

    公开(公告)日：2019-08-01

    申请号：DE102018101786

    申请日：2018-01-26

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： STREPPEL ULRICH ,  CUI HAILING ,  QUEREN DÉSIRÉE ,  DURACH DAJANA

    IPC: H01L33/50 ,  H01L25/075 ,  H01L27/15 ,  H01L33/08 ,  H01L33/58

    Abstract: Lichtemittierendes Halbleiterbauteil (1), mit einer Vielzahl von einzeln und/oder gruppenweise getrennt betreibbaren nebeneinander angeordneten Emissionsbereichen (20) und einer Konversionsschicht (30), bei dem- die Konversionsschicht (30) den Emissionsbereichen (20) in Abstrahlrichtung der Emissionsbereiche (20) nachgeordnet ist,- die Emissionsbereiche (20) Primärstrahlung (L1) eines ersten Wellenlängenbereichs in die Konversionsschicht (30) hinein emittieren,- die Konversionsschicht (30) zumindest einen Teil der Primärstrahlung (L1) in Sekundärstrahlung (L2) eines zweiten Wellenlängenbereichs umwandelt,- das lichtemittierende Halbleiterbauteil (1) eine Abstrahlfläche (1a) aufweist, durch welche Mischstrahlung (L) aus dem lichtemittierenden Halbleiterbauteil (1) austritt, wobei- die Mischstrahlung (L) die Primärstrahlung (L1) und die Sekundärstrahlung (L2) umfasst, und- eine Wahrscheinlichkeit, mit der Primärstrahlung (L) auf dem Laufweg vom Emissionsbereich (20) zur Abstrahlfläche (1a) in Sekundärstrahlung (L2) umgewandelt wird, sich entlang der Abstrahlfläche maximal um den Faktor 2 ändert.

    Optoelektronisches Bauelement
    10.
    发明专利
    Optoelektronisches Bauelement 未知

    公开(公告)号：DE102016124866A1

    公开(公告)日：2018-06-21

    申请号：DE102016124866

    申请日：2016-12-19

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： STREPPEL ULRICH ,  QUEREN DÉSIRÉE

    IPC: H01L25/075 ,  F21K9/69 ,  G02B3/08 ,  H01L33/58

    Abstract: Ein optoelektronisches Bauelement umfasst einen Lichtemitter, der eine Mehrzahl von Bildpunkten aufweist, die dazu ausgebildet sind, Licht zu emittieren, und ein optisches Element, das ausgebildet ist, von dem Lichtemitter emittiertes Licht in einen Zielbereich zu lenken. Eine dem Lichtemitter zugewandte Unterseite des optischen Elements ist in vier Quadranten unterteilt. Jeder Quadrant weist eine Fresnelstruktur mit einer Mehrzahl von Stegen auf, die entlang konzentrischer Ringbögen verlaufen. Die Stege der Fresnelstruktur sind bei jedem Quadranten jeweils um ein Zentrum gekrümmt, das gegenüber einem Mittelpunkt der Unterseite des optischen Elements verschoben ist.

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