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公开(公告)号：WO2013174761A3
公开(公告)日：2014-01-16
申请号：PCT/EP2013060293
申请日：2013-05-17
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： SCHMIDTKE KATHY , KRUPPA MICHAEL , BRAUNE BERT
IPC: C07F7/08 , C07F7/21 , C08L83/04 , C08L83/05 , C08L83/07 , C08L83/14 , H01L31/0203 , H01L31/0232 , H01L33/50 , H01L33/56 , H01L33/58 , H01L33/60
CPC classification number: H01L33/56 , C07F7/084 , C07F7/0878 , C07F7/21 , C08G77/50 , C08L83/14 , H01L31/0203 , H01L31/02322 , H01L31/02327 , H01L31/18 , H01L33/486 , H01L33/60 , H01L2224/48091 , H01L2224/73265 , H01L2933/0033 , H01L2933/0041 , H01L2933/005 , H01L2933/0058 , H01L2924/00014
Abstract: An optoelectronic component is specified. According to at least one embodiment of the invention, the optoelectronic component comprises a housing (20) and a radiation-emitting or radiation-receiving semiconductor chip (10) arranged in the housing (20). Furthermore, the component comprises an optical element (50), which contains a polymer material comprising a silicone. The silicone contains at least 40% by weight of cyclic siloxanes, and at least 40% of the silicon atoms of the cyclic siloxanes are crosslinked with a further silicon atom of the silicon via alkylene and/or alkylarylene groups.
Abstract translation: 它被赋予的光电子器件。 本发明的至少一个实施例之后，光电子器件，其包括壳体（20）和被布置在所述壳体（20）发射辐射的或辐射接收半导体芯片（10）。 此外，该装置包括含有包含有机硅的聚合物材料的光学元件（50）。 该有机硅含有按重量计环状硅氧烷至少40％，和环状硅氧烷中的硅原子的至少40％是通过亚烷基和/或烷基亚芳基与硅树脂的另一硅原子连接。
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公开(公告)号：DE102019100646A1
公开(公告)日：2020-07-16
申请号：DE102019100646
申请日：2019-01-11
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： BAUMGARTNER ALEXANDER , LEOW T'ING QI'AO , LIU TOMIN , SCHMIDTKE KATHY
Abstract: Es wird ein strahlungsemittierendes Bauelement (1) angegeben, mit:- einem Halbleiterchip (2), der im Betrieb elektromagnetische Strahlung eines ersten Wellenlängenbereichs von einer Strahlungsaustrittsfläche (3) emittiert, und- einem Verguss (4), der ein Matrixmaterial (5) und eine Vielzahl an Nanopartikel (6) umfasst, wobei- eine Konzentration der Nanopartikel (6) in dem Matrixmaterial (5) von der Strahlungsaustrittsfläche (3) des Halbleiterchips (2) ausgehend abnimmt, so dass ein Brechungsindex des Vergusses (4) ausgehend von der Strahlungsaustrittsfläche (3) des Halbleiterchips (2) abnimmt.Darüber hinaus wird ein Verfahren zur Herstellung eines strahlungsemittierenden Bauelements (1) angegeben.
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3.发明专利
公开(公告)号：DE102018125506A1
公开(公告)日：2020-04-16
申请号：DE102018125506
申请日：2018-10-15
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： SCHNEIDER ALBERT , SCHMIDTKE KATHY , RACZ DAVID
Abstract: Eine optoelektronische Vorrichtung (10) umfasst ein optoelektronisches Bauelement (11) und ein auf einer ersten Hauptoberfläche (21) des optoelektronischen Bauelements (11) aufgebrachtes Konversionselement (12), wobei das Konversionselement (12) einen Rahmen (13) aus einem reflektierenden Material und Konversionsmaterial (14), das sich in dem Rahmen (13) befindet, aufweist, und wobei der Rahmen (13) seitlich über einen Licht emittierenden Bereich der ersten Hauptoberfläche (21) des optoelektronischen Bauelements (11) übersteht.
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公开(公告)号：DE102018121324A1
公开(公告)日：2020-03-05
申请号：DE102018121324
申请日：2018-08-31
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： MÜLLER VESNA , SCHMIDTKE KATHY , O'BRIEN DAVID
IPC: H01L33/50 , C03B8/02 , C04B35/624 , C09D183/02
Abstract: Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf eine Verwendung eines Sol-Gels für die Herstellung eines Konversionselements, wobei das Sol-Gel umfasst:- mindestens einen Metallpräkursor,- mindestens ein Lösungsmittel und- gegebenenfalls mindestens einen Zusatzstoff.Ferner ist Gegenstand der Erfindung ein neues Verfahren zur Herstellung eines Konversionselements, ein neues Konversionselement, ein optoelektronisches Halbleiterbauelement, sowie die Verwendung eines neuen Konversionselements.
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公开(公告)号：DE102018119314A1
公开(公告)日：2020-02-13
申请号：DE102018119314
申请日：2018-08-08
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： SCHMIDTKE KATHY , MALM NORWIN VON
Abstract: Verfahren zur Herstellung von Auskoppelelementen (100) mit den folgenden Verfahrensschritten:a) Bereitstellen einer Trägerfolie (200) mit einer Negativstruktur (250);b) Ausbilden einer optischen Schicht (110) mit Auskoppelstrukturen (115), wobei- flüssiges Polysiloxan auf die Trägerfolie (200) aufgebracht wird, und- mittels der Negativstruktur (250) die Form der Auskoppelstrukturen (115) vorgegeben wird;c) Aushärten der optischen Schicht (110);d) Ablösen der optischen Schicht (110) von der Trägerfolie (200) und Vereinzeln der optischen Schicht (110) in Auskoppelelemente (100).
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Patent Agency Ranking6.发明专利
公开(公告)号：DE102016111566A1
公开(公告)日：2017-12-28
申请号：DE102016111566
申请日：2016-06-23
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： REESWINKEL THOMAS , SCHMIDTKE KATHY
Abstract: Die Erfindung betrifft ein optoelektronisches Bauelement, umfassend: einen Träger aufweisend eine Chipmontagefläche, wobei die Chipmontagefläche eine Reflexionsbeschichtung aufweist, wobei die Reflexionsbeschichtung zumindest teilweise mit einer Thiolatbeschichtung versehen ist, wobei ein optoelektronischer Halbleiterchip mittels eines Klebstoffs auf der Thiolatbeschichtung geklebt ist, wobei eine die Reflexionsbeschichtung zumindest mittelbar bedeckende, von der Thiolatbeschichtung verschiedene Korrosionsschutzschicht gebildet ist. Die Erfindung betrifft ferner ein Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements.
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7.发明专利
公开(公告)号：DE102015101748A1
公开(公告)日：2016-08-11
申请号：DE102015101748
申请日：2015-02-06
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： KEITH CHRISTINA , SCHMIDTKE KATHY , HÖHN KLAUS
IPC: H01L33/56 , C08L83/04 , C08L83/05 , C08L83/06 , C08L83/07 , H01L31/0203 , H01L51/44 , H01L51/52
Abstract: Die vorliegende Erfindung betrifft ein optoelektronisches Bauelement mit einem Halbleiter (1) und einem Polyorganosiloxan. Das Polyorganosiloxan ist erhältlich durch Vernetzung einer Zusammensetzung umfassend ein erstes Organosiloxan mit wenigstens einer endständigen Vinylgruppe, ein zweites Organosiloxan mit wenigstens einer Silizium-Wasserstoff-Bindung und ein Alkoxysilan mit wenigstens einer Epoxygruppe. Weiterhin wird ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements angegeben.
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8.发明专利
公开(公告)号：DE112016000633A5
公开(公告)日：2017-11-02
申请号：DE112016000633
申请日：2016-02-04
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： SCHMIDTKE KATHY , KEITH CHRISTINA , HÖHN KLAUS
IPC: C08L83/04
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9.发明专利
公开(公告)号：DE112013004651A5
公开(公告)日：2015-06-03
申请号：DE112013004651
申请日：2013-09-06
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： STREITEL REINHARD , SCHMIDTKE KATHY
IPC: H01L33/64 , H01L23/373
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公开(公告)号：DE102012106984A1
公开(公告)日：2014-02-06
申请号：DE102012106984
申请日：2012-07-31
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： STOLL ION , SCHMIDTKE KATHY
Abstract: Es wird ein optoelektronisches Halbleiterbauelement (1) beschrieben, welches wenigstens einen Halbleiterchip (2) zur Abstrahlung elektromagnetischer Strahlung, insbesondere Licht, und eine den wenigstens einen Halbleiterchip (2) umgebende Vergussmasse (3) aufweist. Die Vergussmasse (3) ist im Strahlengang der emittierten Strahlung angeordnet. Die Vergussmasse (3) weist ein strahlungsdurchlässiges Material (4) und einen anorganischen Füllstoff (5) auf, wobei der anorganische Füllstoff (5) derart ausgebildet und im strahlungsdurchlässigen Material (4) angeordnet ist, dass die Vergussmasse (3) einen gezielt graduell eingestellten Gesamtbrechungsindex aufweist. Ferner wird ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauelements (1) angegeben.
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