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    HALBLEITERCHIP MIT EINEM INNEREN KONTAKTELEMENT UND ZWEI ÄUSSEREN KONTAKTELEMENTEN UND HALBLEITERBAUELEMENT
    1.
    发明申请
    HALBLEITERCHIP MIT EINEM INNEREN KONTAKTELEMENT UND ZWEI ÄUSSEREN KONTAKTELEMENTEN UND HALBLEITERBAUELEMENT 审中-公开

    公开(公告)号：WO2020099578A1

    公开(公告)日：2020-05-22

    申请号：PCT/EP2019/081361

    申请日：2019-11-14

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： EICHINGER, Christian ,  PERZLMAIER, Korbinian

    IPC: H01L33/38 ,  H01L33/62 ,  H01L25/075

    Abstract: Gemäß Ausführungsformen umfasst ein Halbleiterchip (10, 11, 2, 13) ein inneres Kontaktelement (128) und zwei äußere Kontaktelemente(129). Das innere Kontaktelement (128) und die zwei äußeren Kontaktelemente (129) sind an einer zweiten Hauptoberfläche (108) des Halbleiterchips (10, 11, 12, 13) angeordnet. Je eines der äußeren Kontaktelemente (129) ist auf jeweils gegenüberliegenden Seiten des inneren Kontaktelements (128) angeordnet. Beispielsweise ist das innere Kontaktelement (128) als ein erstes Kontaktelement ausgeführt, das mit einer ersten Halbleiterschicht (100) elektrisch verbunden ist, und die zwei äußeren Kontaktelemente (129) sind jeweils als zweite Kontaktelemente (117) ausgeführt, die mit einer zweiten Halbleiterschicht (110) elektrisch verbunden sind. Alternativ sind die zwei äußeren Kontaktelemente (129) jeweils als erste Kontaktelemente (115) ausgeführt, die mit einer ersten Halbleiterschicht (100) elektrisch verbunden sind, und das innere Kontaktelement (128) ist als zweites Kontaktelement (117) ausgeführt und mit einer zweiten Halbleiterschicht (110) elektrisch verbunden.

    OPTOELEKTRONISCHES HALBLEITERBAUELEMENT
    4.
    发明申请
    OPTOELEKTRONISCHES HALBLEITERBAUELEMENT 审中-公开
    光电半导体器件

    公开(公告)号：WO2015189056A2

    公开(公告)日：2015-12-17

    申请号：PCT/EP2015/062009

    申请日：2015-05-29

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： PERZLMAIER, Korbinian ,  KOPP, Fabian ,  EICHINGER, Christian ,  MUERMANN, Björn

    IPC: H01L33/38

    CPC classification number: H01L33/14 ,  H01L33/22 ,  H01L33/38 ,  H01L33/42 ,  H01L33/62

    Abstract: Es wird ein optoelektronisches Halbleiterbauelement (1) mit einem Halbleiterkörper (2), der eine Halbleiterschichtenfolge mit einem zum Erzeugen von Strahlung vorgesehenen aktiven Bereich(20), einer Halbleiterschicht(21)und einer weiteren Halbleiterschicht (22) aufweist,angegeben,wobei -der aktive Bereich zwischen der Halbleiterschicht und der weiteren Halbleiterschicht angeordnet ist; - auf einer Strahlungsaustrittsfläche (210) des Halbleiterkörpers eine Stromaufweitungsschicht angeordnet ist; - die Stromaufweitungsschicht elektrisch leitend mit einer Kontaktstruktur (4) für die externe elektrische Kontaktierung der Halbleiterschicht verbunden ist; - die Stromaufweitungsschicht in Draufsicht auf das Halbleiterbauelement in einem Anschlussbereich (30) an die Halbleiterschicht angrenzt, und - die Stromaufweitungsschicht eine Strukturierung (31) mit einer Mehrzahl von Ausnehmungen (35) aufweist, durch die im Betrieb Strahlung aus dem Halbleiterbauelement austritt.

    Abstract translation: 它是一种光电子半导体器件（1）与（2），其具有与所提供的用于产生辐射激活区（20），半导体层（21）和另外的半导体层（22），设置其中-the的半导体层序列的半导体主体 所述半导体层和所述另外的半导体层之间的活性区域布置; - 被布置在半导体本体中的电流扩散层的辐射出射表面（210）; - 电流扩展层导电地连接到接触结构（4）连接到所述半导体层的外部电接触; - 相邻于在所述半导体层上的连接区域（30）的半导体装置的俯视图的电流扩展层，以及 - 所述电流扩展层包括具有多个凹部（35），其辐射出来的半导体装置的操作，通过该结构（31）。

    LICHT EMITTIERENDES HALBLEITERBAUELEMENT
    5.
    发明申请
    LICHT EMITTIERENDES HALBLEITERBAUELEMENT 审中-公开
    发光半导体元件

    公开(公告)号：WO2015161961A1

    公开(公告)日：2015-10-29

    申请号：PCT/EP2015/055657

    申请日：2015-03-18

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： KOPP, Fabian ,  HUPPMANN, Sophia ,  TAEGER, Sebastian ,  EICHINGER, Christian ,  PERZLMAIER, Korbinian ,  ZULL, Heribert

    IPC: H01L33/42 ,  H01L33/44 ,  H01L33/56 ,  H01L33/32

    CPC classification number: H01L33/42 ,  H01L33/32 ,  H01L33/44 ,  H01L33/56

    Abstract: Es wird ein Licht emittierendes Halbleiterbauelement (10) angegeben, das eine Halbleiterschichtenfolge (1) mit einem aktiven Bereich (2), der dazu eingerichtet ist, im Betrieb des Halbleiterbauelements (10) Licht zu erzeugen, und eine die Halbleiterschichtenfolge (1) abschließenden Halbleiterschicht (3), eine transparente elektrisch leitende Kontaktschicht (4) auf der abschließenden Halbleiterschicht (3), eine Außenschicht (6) auf der Halbleiterschichtenfolge (1), die einen Kunststoff aufweist, und zumindest eine transparente dielektrische Zwischenschicht (5) zwischen der transparenten elektrisch leitenden Kontaktschicht (4) und der Außenschicht (6) aufweist, wobei die Kontaktschicht (4), die Zwischenschicht ( 5 ) und die Außenschicht (6) jeweils einen Brechungsindex aufweisen und der Brechungsindex der Zwischenschicht (5) kleiner als der Brechungsindex der Kontaktschicht (4) und größer als der Brechungsindex der Außenschicht (6) ist.

    Abstract translation: 它是一种发光半导体器件（10）表示，（1）具有活性区域（2），其适于（10）的半导体层序列的半导体器件的操作期间产生的光，以及半导体层序列（1）最终的半导体层 电（3），透明导电接触最终的半导体层（3），（6）在该半导体层序列（1），包括一个塑料的外层上的透明间层（4），和至少一个透明的介电中间层（5） 导电接触层（4）和外部层（6），其中所述接触层（4），中间层（5）和所述外层（6）分别具有折射率和中间层（5）的折射率大于所述接触层的折射率小（ 4）和比外层的折射率大（6）。

    STRAHLUNGSEMITTIERENDER HALBLEITERCHIP UND DESSEN VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG
    6.
    发明申请
    STRAHLUNGSEMITTIERENDER HALBLEITERCHIP UND DESSEN VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG 审中-公开

    公开(公告)号：WO2018234121A1

    公开(公告)日：2018-12-27

    申请号：PCT/EP2018/065687

    申请日：2018-06-13

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： PERZLMAIER, Korbinian ,  EICHINGER, Christian

    IPC: H01L33/00 ,  H01L33/44 ,  H01L33/62 ,  H01L33/64

    CPC classification number: H01L33/62 ,  H01L33/0025 ,  H01L33/44 ,  H01L33/64 ,  H01L2224/1403 ,  H01L2224/14519 ,  H01L2224/16014 ,  H01L2933/0066

    Abstract: Es wird ein strahlungsemittierender Halbleiterchip mit den folgenden Merkmalen angegeben: - einem Halbleiterkörper (1) umfassend: - eine epitaktische Halbleiterschichtenfolge (2) mit einer aktive Zone (3), die dazu geeignet ist, elektromagnetische Strahlung zu erzeugen, - einer Strahlungsaustrittsfläche, von der die im Betrieb des Halbleiterchips erzeugte elektromagnetische Strahlung ausgesandt wird, - einer rückseitigen Hauptfläche, die der Strahlungsaustrittsfläche gegenüberliegt, wobei - ein Mehrschichtenstapel (7) mit einer Barriereschicht (4, 4', 4'') und einer Lotschicht (6) auf die rückseitige Hauptfläche des Halbleiterkörpers (1) aufgebracht ist, - die Barriereschicht (4) zwischen der rückseitigen Hauptfläche des Halbleiterkörpers (1) und der Lotschicht (6) angeordnet ist, und - die Lotschicht (6) von außen frei zugänglich ist. Weiterhin werden ein Verfahren zur Herstellung eines strahlungsemittierenden Halbleiterchips und ein Verfahren zur Herstellung einer strahlungsemittierenden Anordnung angegeben.

    OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERCHIP
    7.
    发明申请
    OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERCHIP 审中-公开
    光电子半导体芯片

    公开(公告)号：WO2016066477A1

    公开(公告)日：2016-05-06

    申请号：PCT/EP2015/074258

    申请日：2015-10-20

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： KOPP, Fabian ,  EICHINGER, Christian ,  PERZLMAIER, Korbinian

    IPC: H01L33/42 ,  H01L33/46 ,  H01L33/38

    CPC classification number: H01L33/42 ,  H01L33/10 ,  H01L33/24 ,  H01L33/325 ,  H01L33/38 ,  H01L33/46

    Abstract: Es wird ein optoelektronischer Halbleiterchip (10) angegeben, umfassend mindestens eine n-dotierte Halbleiterschicht (3), mindestens eine p-dotierte Halbleiterschicht (5) und eine zwischen der mindestenseinen n-dotierten Halbleiterschicht (3) und der mindestens einen p-dotierten Halbleiterschicht (5) angeordnete aktive Schicht (4), wobei die p-dotierte Halbleiterschicht (5) mittels einer ersten metallischen Anschlussschicht (8) elektrisch kontaktiert ist, und wobei zwischen der p-dotierten Halbleiterschicht (5) und der ersten Anschlussschicht (8) eine reflexionserhöhende dielektrische Schichtenfolge (6) angeordnet ist, welche mehrere dielektrische Schichten (61, 62) mit verschiedenen Brechungsindizes aufweist.

    Abstract translation: 提供了一种光电子半导体芯片（10）包括至少一个n掺杂半导体层（3），至少一个p-掺杂半导体层（5）和至少一个n掺杂半导体层（3）和所述至少一个p型掺杂半导体层之间 （5）布置的有源层（4），其中所述p掺杂半导体层（5）电第一终端金属层（8），并且其中所述p掺杂半导体层（5）和第一连接层之间的装置接触（8） 层（6）的反射电介质堆叠布置，其包括多个电介质层（61，62）具有不同的折射率的。

    ELEKTRISCHE KONTAKTSTRUKTUR FÜR EIN HALBLEITERBAUELEMENT UND HALBLEITERBAUELEMENT
    8.
    发明申请
    ELEKTRISCHE KONTAKTSTRUKTUR FÜR EIN HALBLEITERBAUELEMENT UND HALBLEITERBAUELEMENT 审中-公开
    电学接触结构用于半导体元件及半导体元件

    公开(公告)号：WO2015181071A1

    公开(公告)日：2015-12-03

    申请号：PCT/EP2015/061387

    申请日：2015-05-22

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： PERZLMAIER, Korbinian ,  MUERMANN, Björn ,  ENGL, Karl ,  EICHINGER, Christian

    IPC: H01L33/38 ,  H01L33/40 ,  H01L33/44 ,  H01L33/32 ,  H01L33/42

    CPC classification number: H01L33/38 ,  H01L31/022466 ,  H01L33/42 ,  H01L51/442 ,  H01L51/445 ,  H01L51/5203 ,  H01L51/5215 ,  H01L51/5234 ,  Y02E10/549

    Abstract: Es wird eine elektrische Kontaktstruktur (10) für ein Halbleiterbauelement (100) angegeben mit einer transparenten elektrisch leitenden Kontaktschicht (1), auf der eine erste metallische Kontaktschicht (2) aufgebracht ist, einer zweiten metallischen Kontaktschicht (3), die die erste metallische Kontaktschicht (2) vollständig überdeckt, und einer Trennschicht (4), die zwischen der transparenten elektrisch leitenden Kontaktschicht (1) und der zweiten metallischen Kontaktschicht (3) angeordnet ist und die die zweite metallische Kontaktschicht (3) von der transparenten elektrisch leitenden Kontaktschicht (1) trennt. Weiterhin wird ein Halbleiterbauelement (100) mit einer solchen elektrischen Kontaktstruktur (10) angegeben.

    Abstract translation: 存在用于设置有透明的导电的接触层（1）的半导体器件（100）的电接触结构（10），被施加到第一金属接触层（2），第二金属接触层（3），所述的第一金属接触层 （2）完全覆盖，并分离层（4）设置在所述透明导电接触层（1）之间，并且所述第二金属接触层（3）被布置和第二金属接触层（3）从透明导电接触层（1 ）分离。 此外，具有这样的电接触结构（10）的半导体装置（100）被指定。

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