公开(公告)号：WO2017158113A1

公开(公告)日：2017-09-21

申请号：PCT/EP2017/056281

申请日：2017-03-16

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： KOPP, Fabian ,  MOLNAR, Attila

IPC: H01L33/44 ,  H01L33/46 ,  H01L33/38 ,  H01L33/14 ,  H01L33/42

Abstract: Es wird ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterchips angegeben, wobei in einem Verfahrensschritt A) ein Bereitstellen eines Halbleiterschichtenstapels umfassend eine Halbleiterschicht eines ersten Typs, eine Halbleiterschicht eines zweiten Typs und eine zwischen der Halbleiterschicht des ersten Typs und der Halbleiterschicht des zweiten Typs angeordnete aktive Schicht erfolgt. Weiterhin umfasst das Verfahren in einem Verfahrensschritt B) ein Ausbilden einer Mesa-Struktur in der Halbleiterschicht des ersten Typs, der Halbleiterschicht des zweiten Typs und der aktiven Schicht. Das Verfahren umfasst des Weiteren in einem Verfahrensschritt C) ein Aufbringen einer Passivierungsschicht auf die Mesa-Struktur mittels Aufdampfen oder Sputtern.

Abstract translation:

它提供了一种方法用于制造光电子半导体芯片，其特征在于，在方法步骤a）包括提供包含第一类型的半导体层，第二类型与第一类型的半导体层的和之间的半导体层的层的半导体叠层和 发生第二类型的半导体层布置有源层。 此外，在一个工艺步骤B的过程）包括：形成所述第一类型，第二类型的半导体层和有源层的半导体层中的台面结构。 该方法还包括在方法步骤C）中通过气相沉积或溅射将钝化层施加到台面结构

公开(公告)号：WO2017081181A1

公开(公告)日：2017-05-18

申请号：PCT/EP2016/077313

申请日：2016-11-10

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： KOPP, Fabian ,  MOLNAR, Attila ,  TAN, Cheng Kooi

IPC: H01L33/46

CPC classification number: H01L33/46 ,  H01L2933/0025

Abstract: Es wird ein strahlungsemittierender Halbleiterchip (1) mit einem Substrat (2) und einer epitaktischen Halbleiterschichtenfolge (3) angegeben. Die epitaktische Halbleiterschichtenfolge (3) umfasst eine aktive Zone (4), die dazu geeignet ist, elektromagnetische Strahlung eines ersten Wellenlängenbereichs zu erzeugen. Das Substrat (2) ist transparent für elektromagnetische Strahlung der aktiven Zone (4). Auf einer Seitenfläche (9) des Substrats (2) und auf einer rückseitigen Hauptfläche des Halbleiterchips (1), die einer Strahlungsaustrittfläche (5) des Halbleiterchips (1) gegenüber liegt, ist eine optisch aktive Schicht (11) aufgebracht. Weiterhin werden ein Verfahren zur Herstellung eines derartigen Halbleiterchips (1) und ein optoelektronisches Bauelement mit einem derartigen Halbleiterchip (1) angegeben.

Abstract translation: 本发明提供一种发射辐射的半导体芯片（1）具有的衬底（2）和一个外延半导体层序列（3）。 外延半导体层序列（3）包括适用于产生第一波长范围的电磁辐射的有源区（4）。 衬底（2）对有源区（4）的电磁辐射是透明的。 在所述基板的一个Seitenfl BEAR表面（9）（2）和半导体芯片（1）的上A R导航用途ckseitigen主试BEAR表面，所述一个Strahlungsaustrittfl BEAR表面的半导体芯片（1）对导航使用的（5）位于上方的光学活性上 应用层（11）。 此外，指出了制造这种半导体芯片（1）的方法和具有这种半导体芯片（1）的光电子器件

公开(公告)号：WO2015055644A1

公开(公告)日：2015-04-23

申请号：PCT/EP2014/072004

申请日：2014-10-14

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： EICHLER, Christoph ,  MÜLLER, Jens ,  KOPP, Fabian

IPC: H01S5/02 ,  H01S5/22 ,  H01S5/028 ,  H01S5/10 ,  H01S5/40

CPC classification number: H01S5/22 ,  H01S5/0202 ,  H01S5/028 ,  H01S5/1014 ,  H01S5/1017 ,  H01S5/4031

Abstract: Halbleiterlaser mit einseitig verbreiterter Ridgestruktur Die Erfindung betrifft einen Halbleiterlaser (1) mit einem Grundkörper (2) und einer auf dem Grundkörper angeordneten Ridgestruktur (3), die entlang einer Längsachse über einer aktiven Zone ausgerichtet ist, wobei die Ridgestruktur eine erste Breite aufweist, und wobei die Ridgestruktur entlang der Längsachse (8) zwei gegenüberliegende Endflächen aufweist, wobei die Ridgestruktur angrenzend an wenigstens eine Endfläche einen in Bezug auf eine Mittenachse der Ridgestruktur einseitig angeordneten Endabschnitt (5) aufweist, so dass die Ridgestruktur (3) angrenzend an die Endfläche einseitig verbreitert ist. Zudem ist auf einer dem Endabschnitt gegenüberliegenden Seite der Ridgestruktur ein Bruchgraben (47) angrenzend an die Endfläche und beabstandet von der Ridgestruktur in einer Oberfläche des Grundkörpers angeordnet. Die Halbleiterlaser werden auf einem Wafer (17) gewachsen und eine Vereinzelung erfolgt entlang einer Bruchrichtung (14) welche mittig entlang der Längsachse des Endabschnitts und des Bruchgrabens (47) sich befindet.

Abstract translation: 半导体激光器一侧加宽岭结构本发明涉及到一个半导体激光器（1）与基体（2）和布置在基体岭结构（3），其沿纵向轴线上方的有源区对准，所述具有第一宽度脊结构，和 其中，所述脊部结构沿着具有两个相对的端面的纵向轴线（8），所述布置脊部结构的相邻的至少一个端面上的相对于在一侧的脊部结构的端部（5）的中心轴线，从而使脊结构（3）在一侧上邻近于所述端面 变宽。 此外，中断沟槽（47）是邻接于该脊部结构的相反侧的端部的端面和在设置在所述基体的表面从脊结构间隔开。 半导体激光器生长的晶片（17）上和一分离发生沿断裂（14）的方向沿端部的纵向轴线和断裂沟槽（47）的中心所在的位置。

公开(公告)号：WO2013026655A1

公开(公告)日：2013-02-28

申请号：PCT/EP2012/064894

申请日：2012-07-30

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  KOPP, Fabian ,  LELL, Alfred ,  EICHLER, Christoph ,  VIERHEILIG, Clemens ,  TAUTZ, Sönke

Inventor： KOPP, Fabian ,  LELL, Alfred ,  EICHLER, Christoph ,  VIERHEILIG, Clemens ,  TAUTZ, Sönke

IPC: H01L33/00 ,  H01S5/026

CPC classification number: G02B6/125 ,  H01L33/0045 ,  H01S5/0264 ,  H01S5/1017 ,  H01S5/1085 ,  H01S2301/166

Abstract: Es wird ein strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement (1) mit einem Halbleiterkörper (2) angegeben, wobei der Halbleiterkörper eine Halbleiterschichtenfolge mit einem zur Erzeugung von Strahlung vorgesehenen aktiven Bereich (20) aufweist. Das Halbleiterbauelement weist einen Wellenleiter (5) auf, der für eine laterale Führung der im aktiven Bereich erzeugten Strahlung vorgesehen ist und der sich zwischen einer Spiegelfläche (3) und einer Auskoppelfläche (4) erstreckt. Der Wellenleiter trifft senkrecht auf die Spiegelfläche und schließt mit einer Normalen der Auskoppelfläche einen spitzen Winkel ein.

Abstract translation: 提供了一种包括一个半导体主体（2）发射辐射的半导体器件（1），其中，所述半导体本体具有用于产生辐射激活区（20）的半导体层序列。 该半导体器件包括一个波导（5），其被设置用于在有源区域中产生的辐射的侧向引导和反射镜表面（3）和输出表面（4）之间延伸。 波导垂直地撞击到镜面表面上并与一个垂直于输出表面形成锐角包括。

公开(公告)号：WO2021121603A1

公开(公告)日：2021-06-24

申请号：PCT/EP2019/086383

申请日：2019-12-19

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： KOPP, Fabian ,  MOLNAR, Attila ,  NG, Ban Loong Chris ,  TAN, Cheng Kooi

IPC: H01L33/42 ,  H01L33/38 ,  H01L33/48 ,  H01L33/382 ,  H01L33/387 ,  H01L33/486

Abstract: An optoelectronic semiconductor device (1) is described with - a semiconductor layer sequence (2) comprising - a first semiconductor layer (3) having a first surface (3A), - a second semiconductor layer (5) having a first surface (5A), - a first main surface (2A) and a second main surface (2B) opposite to the first main surface (2A), wherein the first surfaces (3A, 5A) of the first and second semiconductor layers (3, 5) are at least partly arranged at the first main surface (2A), - a directionally reflective layer (7) being arranged on the first main surface(2A), - a first contact structure (8) comprising a first current spreading structure(9) being arranged on the first surface (3A) of the first semiconductor layer (3), - a second contact structure (15) comprising a second current spreading structure (16) being arranged on the first surface (5A) of the second semiconductor layer (5), wherein the first current spreading structure (9) and the second current spreading structure (16) each consist of at least one transparent conductive oxide. Moreover, a method for producing an optoelectronic semiconductor device (1) is described.

公开(公告)号：WO2021018884A1

公开(公告)日：2021-02-04

申请号：PCT/EP2020/071250

申请日：2020-07-28

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： KOPP, Fabian ,  MOLNAR, Attila

IPC: H01L33/10 ,  H01L33/38 ,  H01L33/46

Abstract: Es wird ein strahlungsemittierender Halbleiterchip (1) angegeben mit: - einer Halbleiterschichtenfolge (2), die einen aktiven Bereich (3) aufweist, der dazu ausgebildet ist, elektromagnetische Strahlung zu erzeugen, - einer ersten dielektrischen Spiegelschicht (6), die über der Halbleiterschichtenfolge (2) angeordnet ist, und - einer zweiten dielektrischen Spiegelschicht (7), die über der ersten dielektrischen Spiegelschicht (6) angeordnet ist, wobei - die erste dielektrische Spiegelschicht (6) zumindest eine erste Ausnehmung (8) aufweist, - eine erste Stromaufweitungsschicht (10) in der ersten Ausnehmung (8) und über der ersten dielektrischen Spiegelschicht (6) angeordnet ist, - die zweite dielektrische Spiegelschicht (7) zumindest eine zweite Ausnehmung (9) aufweist, die sich bis zur ersten Stromaufweitungsschicht (10) erstreckt, und - die erste Ausnehmung (8) in Draufsicht nicht mit der zweiten Ausnehmung (9) in lateraler Richtung überlappt. Weiterhin wird ein Verfahren zur Herstellung eines strahlungsemittierenden Halbleiterchips (1) angegeben.

公开(公告)号：WO2019025206A1

公开(公告)日：2019-02-07

申请号：PCT/EP2018/069724

申请日：2018-07-20

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： KOPP, Fabian ,  MOLNAR, Attila

IPC: H01L33/38 ,  H01L31/02 ,  H01L31/0224

CPC classification number: H01L33/382 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/03529 ,  H01L33/38 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05555 ,  H01L2933/0016

Abstract: Es wird ein optoelektronischer Halbleiterchip (1) mit einer Halbleiterschichtenfolge (2) mit einer ersten Halbleiterschicht (21), einer zweiten Halbleiterschicht (22) und einem zwischen der ersten Halbleiterschicht und der zweiten Halbleiterschicht angeordneten und zum Erzeugen und/oder Empfangen von Strahlung vorgesehenen aktiven Bereich (20) angegeben, wobei - in der Halbleiterschichtenfolge eine erste Grabenstruktur (3) ausgebildet ist, wobei die erste Grabenstruktur die zweite Halbleiterschicht und den aktiven Bereich durchdringt und in lateraler Richtung durch eine erste Seitenfläche (301) und eine zweite Seitenfläche (302) begrenzt ist; - in der Halbleiterschichtenfolge eine zweite Grabenstruktur (4) ausgebildet ist, wobei die zweite Grabenstruktur in die erste Halbleiterschicht hineinragt und in Draufsicht auf den Halbleiterchip zumindest stellenweise zwischen der ersten Seitenfläche der ersten Grabenstruktur und der zweiten Seitenfläche der ersten Grabenstruktur verläuft; und - der Halbleiterchip eine erste Kontaktfingerstruktur (5) aufweist, die in der zweiten Grabenstruktur mit der ersten Halbleiterschicht elektrisch leitend verbunden ist. Weiterhin wird ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterchips angegeben.

公开(公告)号：WO2015189056A2

公开(公告)日：2015-12-17

申请号：PCT/EP2015/062009

申请日：2015-05-29

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： PERZLMAIER, Korbinian ,  KOPP, Fabian ,  EICHINGER, Christian ,  MUERMANN, Björn

IPC: H01L33/38

CPC classification number: H01L33/14 ,  H01L33/22 ,  H01L33/38 ,  H01L33/42 ,  H01L33/62

Abstract: Es wird ein optoelektronisches Halbleiterbauelement (1) mit einem Halbleiterkörper (2), der eine Halbleiterschichtenfolge mit einem zum Erzeugen von Strahlung vorgesehenen aktiven Bereich(20), einer Halbleiterschicht(21)und einer weiteren Halbleiterschicht (22) aufweist,angegeben,wobei -der aktive Bereich zwischen der Halbleiterschicht und der weiteren Halbleiterschicht angeordnet ist; - auf einer Strahlungsaustrittsfläche (210) des Halbleiterkörpers eine Stromaufweitungsschicht angeordnet ist; - die Stromaufweitungsschicht elektrisch leitend mit einer Kontaktstruktur (4) für die externe elektrische Kontaktierung der Halbleiterschicht verbunden ist; - die Stromaufweitungsschicht in Draufsicht auf das Halbleiterbauelement in einem Anschlussbereich (30) an die Halbleiterschicht angrenzt, und - die Stromaufweitungsschicht eine Strukturierung (31) mit einer Mehrzahl von Ausnehmungen (35) aufweist, durch die im Betrieb Strahlung aus dem Halbleiterbauelement austritt.

Abstract translation: 它是一种光电子半导体器件（1）与（2），其具有与所提供的用于产生辐射激活区（20），半导体层（21）和另外的半导体层（22），设置其中-the的半导体层序列的半导体主体 所述半导体层和所述另外的半导体层之间的活性区域布置; - 被布置在半导体本体中的电流扩散层的辐射出射表面（210）; - 电流扩展层导电地连接到接触结构（4）连接到所述半导体层的外部电接触; - 相邻于在所述半导体层上的连接区域（30）的半导体装置的俯视图的电流扩展层，以及 - 所述电流扩展层包括具有多个凹部（35），其辐射出来的半导体装置的操作，通过该结构（31）。

公开(公告)号：WO2015161961A1

公开(公告)日：2015-10-29

申请号：PCT/EP2015/055657

申请日：2015-03-18

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： KOPP, Fabian ,  HUPPMANN, Sophia ,  TAEGER, Sebastian ,  EICHINGER, Christian ,  PERZLMAIER, Korbinian ,  ZULL, Heribert

IPC: H01L33/42 ,  H01L33/44 ,  H01L33/56 ,  H01L33/32

CPC classification number: H01L33/42 ,  H01L33/32 ,  H01L33/44 ,  H01L33/56

Abstract: Es wird ein Licht emittierendes Halbleiterbauelement (10) angegeben, das eine Halbleiterschichtenfolge (1) mit einem aktiven Bereich (2), der dazu eingerichtet ist, im Betrieb des Halbleiterbauelements (10) Licht zu erzeugen, und eine die Halbleiterschichtenfolge (1) abschließenden Halbleiterschicht (3), eine transparente elektrisch leitende Kontaktschicht (4) auf der abschließenden Halbleiterschicht (3), eine Außenschicht (6) auf der Halbleiterschichtenfolge (1), die einen Kunststoff aufweist, und zumindest eine transparente dielektrische Zwischenschicht (5) zwischen der transparenten elektrisch leitenden Kontaktschicht (4) und der Außenschicht (6) aufweist, wobei die Kontaktschicht (4), die Zwischenschicht ( 5 ) und die Außenschicht (6) jeweils einen Brechungsindex aufweisen und der Brechungsindex der Zwischenschicht (5) kleiner als der Brechungsindex der Kontaktschicht (4) und größer als der Brechungsindex der Außenschicht (6) ist.

Abstract translation: 它是一种发光半导体器件（10）表示，（1）具有活性区域（2），其适于（10）的半导体层序列的半导体器件的操作期间产生的光，以及半导体层序列（1）最终的半导体层 电（3），透明导电接触最终的半导体层（3），（6）在该半导体层序列（1），包括一个塑料的外层上的透明间层（4），和至少一个透明的介电中间层（5） 导电接触层（4）和外部层（6），其中所述接触层（4），中间层（5）和所述外层（6）分别具有折射率和中间层（5）的折射率大于所述接触层的折射率小（ 4）和比外层的折射率大（6）。

公开(公告)号：WO2020234163A1

公开(公告)日：2020-11-26

申请号：PCT/EP2020/063634

申请日：2020-05-15

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： KOPP, Fabian ,  MOLNAR, Attila ,  ENZMANN, Roland Heinrich

IPC: H01L33/38 ,  H01L33/42

Abstract: Es wird ein optoelektronischer Halbleiterchip (20) angegeben, mit einem ersten Bereich (21), welcher mit einem ersten Dotierstoff dotiert ist, einem zweiten Bereich (22), welcher mit einem zweiten Dotierstoff dotiert ist, einem aktiven Bereich (23) zwischen dem ersten Bereich (21) und dem zweiten Bereich (22), einer ersten KontaktSchicht (24), welche ein elektrisch leitfähiges Material aufweist und den ersten Bereich (21) bedeckt, einer Isolationsschicht (25), welche die erste Kontaktschicht (24) bedeckt und erste Öffnungen (26) aufweist, und einer zweiten Kontaktschicht (27), welche ein elektrisch leitfähiges Material aufweist und welche die Isolationsschicht (25) und die ersten Öffnungen (26) bedeckt, wobei die ersten Öffnungen (26) die Isolationsschicht (25) vollständig durchdringen, und die zweite Kontaktschicht (27) zweite Öffnungen (28) aufweist und/oder in den ersten Öffnungen (26) jeweils zwischen der zweiten KontaktSchicht (27) und der Isolationsschicht (25) eine dritte Kontaktschicht (29) angeordnet ist, welche ein elektrisch leitfähiges Material aufweist. Außerdem wird ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterchips (20) angegeben.