公开(公告)号：WO2018002321A1

公开(公告)日：2018-01-04

申请号：PCT/EP2017/066312

申请日：2017-06-30

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： SCHWARZ, Thomas ,  SINGER, Frank ,  MOOSBURGER, Jürgen ,  ENGL, Karl ,  MARTIN, Alexander

IPC: G09G3/32

CPC classification number: G06F3/1446 ,  G09G3/32 ,  G09G2300/026 ,  G09G2300/0426

Abstract: Die Erfindung betrifft ein Modul für eine Videowand mit lichtemittierenden Bauelementen, die auf einem Substrat ange- ordnet sind, wobei für jedes Bauelement eine Ansteuerschal- tung zur selektiven Ansteuerung des Bauelementes auf dem Sub- strat vorgesehen ist, wobei Zeilenleitungen und Spaltenlei- tungen vorgesehen sind, wobei jede Ansteuerschaltung mit einer Zeilenleitung und mit einer Spaltenleitung verbunden ist, wobei jede Ansteuerschaltung mit Stromversorgungsleitungen verbunden ist, wobei das Substrat Durchkontaktierungen auf- weist, um die Zeilenleitungen und die Spaltenleitungen auf eine Rückseite des Substrates zu führen. Die Erfindung be- trifft des Weitereneine Anordnung mit wenigstens zwei Modulen und Verfahren zum Herstellen einer Anordnung mit wenigstens zwei Modulen.

Abstract translation:

本发明涉及一种模块F导航使用R 3与布置在基板上合理的发光器件的视频墙其中，f导航用途R各自成分的Ansteuerschal-桐油用于选择性地驱动装置上的子 其中每个驱动电路连接到行线和列线，其中每个驱动电路连接到电源线，其中所述衬底具有到行线和列线的通孔到 到基材的背面。 本发明还涉及一种具有至少两个模块的装置和用于生产具有至少两个模块的装置的方法

公开(公告)号：WO2015181071A1

公开(公告)日：2015-12-03

申请号：PCT/EP2015/061387

申请日：2015-05-22

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： PERZLMAIER, Korbinian ,  MUERMANN, Björn ,  ENGL, Karl ,  EICHINGER, Christian

IPC: H01L33/38 ,  H01L33/40 ,  H01L33/44 ,  H01L33/32 ,  H01L33/42

CPC classification number: H01L33/38 ,  H01L31/022466 ,  H01L33/42 ,  H01L51/442 ,  H01L51/445 ,  H01L51/5203 ,  H01L51/5215 ,  H01L51/5234 ,  Y02E10/549

Abstract: Es wird eine elektrische Kontaktstruktur (10) für ein Halbleiterbauelement (100) angegeben mit einer transparenten elektrisch leitenden Kontaktschicht (1), auf der eine erste metallische Kontaktschicht (2) aufgebracht ist, einer zweiten metallischen Kontaktschicht (3), die die erste metallische Kontaktschicht (2) vollständig überdeckt, und einer Trennschicht (4), die zwischen der transparenten elektrisch leitenden Kontaktschicht (1) und der zweiten metallischen Kontaktschicht (3) angeordnet ist und die die zweite metallische Kontaktschicht (3) von der transparenten elektrisch leitenden Kontaktschicht (1) trennt. Weiterhin wird ein Halbleiterbauelement (100) mit einer solchen elektrischen Kontaktstruktur (10) angegeben.

Abstract translation: 存在用于设置有透明的导电的接触层（1）的半导体器件（100）的电接触结构（10），被施加到第一金属接触层（2），第二金属接触层（3），所述的第一金属接触层 （2）完全覆盖，并分离层（4）设置在所述透明导电接触层（1）之间，并且所述第二金属接触层（3）被布置和第二金属接触层（3）从透明导电接触层（1 ）分离。 此外，具有这样的电接触结构（10）的半导体装置（100）被指定。

公开(公告)号：WO2013045181A1

公开(公告)日：2013-04-04

申请号：PCT/EP2012/066459

申请日：2012-08-23

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  HERTKORN, Joachim ,  ENGL, Karl ,  HAHN, Berthold ,  WEIMAR, Andreas

Inventor： HERTKORN, Joachim ,  ENGL, Karl ,  HAHN, Berthold ,  WEIMAR, Andreas

IPC: H01L33/00 ,  H01L33/22 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L33/145 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/02664 ,  H01L33/0066 ,  H01L33/007 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/025 ,  H01L33/06 ,  H01L33/12 ,  H01L33/22 ,  H01L33/24 ,  H01L33/32 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: In mindestens einer Ausführungsform des Verfahrens ist dieses zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterchips (10), insbesondere einer Leuchtdiode, eingerichtet. Das Verfahren umfasst die folgenden Schritte: Bereitstellen eines Aufwachssubstrats (1), Erzeugen einer III-Nitrid-Nukleationsschicht (3) auf dem Aufwachssubstrat (1) mittels Sputtern, und Aufwachsen einer III-Nitrid-Halbleiterschichtenfolge (2) mit einer aktiven Schicht (2a) auf die oder über der Nukleationsschicht (3), wobei ein Material des Aufwachssubstrats (1) von einem Material der Nukleationsschicht (3) und/oder der Halbleiterschichtenfolge (2) verschieden ist.

Abstract translation: 在所述方法的至少一个实施例是，对于光电子半导体芯片（10），特别是发光二极管组的制造。 该方法包括以下步骤：提供一生长衬底（1），通过溅射，和生长III族氮化物半导体层序列制备生长衬底（1）上的III族氮化物成核层（3）（2）与活性层（2A ），其中所述生长衬底（1）（从成核层（3）的材料，和/或半导体层序列2）的材料为上或上方成核层不同（3）。

公开(公告)号：WO2011141383A1

公开(公告)日：2011-11-17

申请号：PCT/EP2011/057328

申请日：2011-05-06

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  GMEINWIESER, Nikolaus ,  BRÜNINGHOFF, Stefanie ,  GALESIC, Ivan ,  ENGL, Karl ,  MAUTE, Markus

Inventor： GMEINWIESER, Nikolaus ,  BRÜNINGHOFF, Stefanie ,  GALESIC, Ivan ,  ENGL, Karl ,  MAUTE, Markus

IPC: H01L31/0216 ,  H01L33/46

CPC classification number: H01L31/0216 ,  H01L33/46 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: Ein Träger für ein optoelektronisches Bauelement (5) wird angegeben, der auf einem Trägerelement (1) zumindest eine Spiegelschicht (2) und ein funktionelles Material (3) aufweist, wobei die Spiegelschicht (2) Silber enthält, das funktionelle Material (3) in direktem Kontakt mit dem Silber steht, so dass das funktionelle Material (3) eine Verminderung der Korrosion der Spiegelschicht (2) bewirkt. Weiterhin werden ein Verfahren zur Herstellung eines Trägers für ein optoelektronisches Bauelement und eine optoelektronische Vorrichtung mit einem Träger angegeben.

Abstract translation: 一种用于光电子器件（5）支撑件设置，支撑元件（1）上具有至少一个反射镜层（2）和一个功能性材料（3），其特征在于，（2）反射镜层包含银，所述功能性材料（3）在 与银的直接接触是这样的功能性材料（3）使在反射层（2）的腐蚀的降低。 此外，制造载体用于光电装置和一个光电器件的方法都标有一个载体。

公开(公告)号：WO2010060404A1

公开(公告)日：2010-06-03

申请号：PCT/DE2009/001524

申请日：2009-10-29

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  MOOSBURGER, Jürgen ,  VON MALM, Norwin ,  RODE, Patrick ,  HÖPPEL, Lutz ,  ENGL, Karl

Inventor： MOOSBURGER, Jürgen ,  VON MALM, Norwin ,  RODE, Patrick ,  HÖPPEL, Lutz ,  ENGL, Karl

IPC: H01L25/16 ,  H01L27/15 ,  H01L33/38 ,  H01L33/08

CPC classification number: H01L27/15 ,  H01L25/167 ,  H01L33/005 ,  H01L33/02 ,  H01L33/08 ,  H01L33/382 ,  H01L33/62 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2933/0016 ,  H01L2924/00

Abstract: Es wird ein strahlungsemittierender Halbleiterchip (1) angegeben, der einen Träger (5) und einen Halbleiterkörper (2) mit einer Halbleiterschichtenfolge aufweist. In dem Halbleiterkörper (2) mit der Halbleiterschichtenfolge ist ein Emissionsbereich (23) und ein Schutzdiodenbereich (24) gebildet. Die Halbleiterschichtenfolge umfasst einen zur Erzeugung von Strahlung vorgesehenen aktiven Bereich (20) der zwischen einer ersten Halbleiterschicht (21) und einer zweiten Halbleiterschicht (22) angeordnet ist. Die erste Halbleiterschicht (21) ist auf der dem Träger (5) abgewandten Seite des aktiven Bereichs (20) angeordnet. Der Emissionsbereich (23) weist eine Ausnehmung (25) auf, die sich durch den aktiven Bereich hindurch erstreckt. Die erste Halbleiterschicht (21) ist im Emissionsbereich (23) elektrisch leitend mit einer ersten Anschlussschicht (31) verbunden, wobei sich die erste Anschlussschicht in der Ausnehmung (25) von der ersten Halbleiterschicht (21) in Richtung des Trägers (5) erstreckt. Die erste Anschlussschicht im Schutzdiodenbereich (24) ist mit der zweiten Halbleiterschicht (22) elektrisch leitend verbunden. Weiterhin wird ein Verfahren zur Herstellung eines strahlungsemittierenden Halbleiterchips angegeben.

Abstract translation: 提供了一种具有一个支撑件（5）和（2），其具有半导体层序列的半导体主体中的发射辐射的半导体芯片（1）。 在半导体主体（2）与该半导体层序列，发射区域（23）和一个保护二极管区（24）形成。 半导体层序列包括打算用于第一半导体层（21）和被布置在第二半导体层（22）之间产生辐射激活区（20）。 在第一半导体层（21）是在（5）的面对从有源区域（20）离开侧上的支撑。 发射区域（23）具有延伸穿过所述活性区域穿过其的凹部（25）。 在发射区（23）中的第一半导体层（21）被导电地连接到第一连接层（31），其中，从在所述载体（5）的方向上的第一半导体层（21）延伸在所述凹部（25）的第一连接层。 在保护二极管区（24）的第一连接层连接到导电连接在第二半导体层（22）。 此外，被指定用于制造发射辐射的半导体芯片的方法。

公开(公告)号：WO2009135457A1

公开(公告)日：2009-11-12

申请号：PCT/DE2009/000546

申请日：2009-04-17

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  RODE, Patrick ,  HÖPPEL, Lutz ,  ENGL, Karl ,  ALBRECHT, Tony

Inventor： RODE, Patrick ,  HÖPPEL, Lutz ,  ENGL, Karl ,  ALBRECHT, Tony

IPC: H01L25/16

CPC classification number: H01L25/167 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/382 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: Es wird ein strahlungsemittierender Halbleiterchip (1) angegeben, der einen Träger (5), einen Halbleiterkörper (2) mit einer Halbleiterschichtenfolge, einen ersten Kontakt (35) und einen zweiten Kontakt (36) aufweist. Die Halbleiterschichtenfolge umfasst einen zur Erzeugung von Strahlung vorgesehenen aktiven Bereich (20), der zwischen einer ersten Halbleiterschicht (21) und einer zweiten Halbleiterschicht (22) angeordnet ist. Der Träger (5) weist eine dem Halbleiterkörper (2) zugewandte Hauptfläche (51) auf. Die erste Halbleiterschicht (21) ist auf der der Hauptfläche (51) des Trägers (5) zugewandten Seite des aktiven Bereichs (20) angeordnet und mittels des ersten Kontakts (35) elektrisch kontaktierbar. Die zweite Halbleiterschicht (22) ist mittels des zweiten Kontakts (36) elektrisch kontaktierbar. Eine Schutzdiode (4) ist in einem Strompfad ausgebildet, der zwischen dem ersten Kontakt (35) und dem zweiten Kontakt (36) durch den Träger (5) verläuft.

Abstract translation: 它是一种发射辐射的半导体芯片被指定（1），支撑件（5），其具有半导体层序列的半导体主体（2），第一接触（35）和第二接触（36）。 半导体层序列包括打算用于第一半导体层（21）和被布置在第二半导体层（22）之间产生辐射激活区（20）。 该载体（5）具有在面对主表面（51）的半导体主体（2）。 在第一半导体层（21）由所述第一接触（35）的装置面对所述有源区（20）的侧上的载体（5）的与主表面（51）电接触。 所述第二半导体层（22）被电由第二接触（36）的装置接触。 形成在（35）的第一接触之间的电流路径的保护二极管（4）和所述通过所述载体（5）的第二接触（36）。

公开(公告)号：WO2014114524A1

公开(公告)日：2014-07-31

申请号：PCT/EP2014/050574

申请日：2014-01-14

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： EIBL, Johann ,  TAEGER, Sebastian ,  HÖPPEL, Lutz ,  ENGL, Karl ,  RAMMELSBERGER, Stefanie ,  MAUTE, Markus ,  HUBER, Michael ,  HARTMANN, Rainer ,  HARTUNG, Georg

IPC: H01L33/44 ,  H01L33/00 ,  H01L33/40

CPC classification number: H01L33/54 ,  G01B2210/306 ,  H01L21/0228 ,  H01L33/405 ,  H01L33/44 ,  H01L33/52 ,  H01L33/60 ,  H01L33/62 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/181 ,  H01L2933/005 ,  H01L2924/00

Abstract: Es wird ein optoelektronischer Halbleiterchip angegeben, mit - einem Halbleiterkörper (40), der einen zur Erzeugung von elektromagnetischer Strahlung vorgesehenen aktiven Bereich (42) umfasst, - eine erste Spiegelschicht (21), die zur Reflexion der elektromagnetischen Strahlung vorgesehen ist, - einer ersten Verkapselungsschicht (31), die mit einem elektrisch isolierenden Material gebildet ist, und - einem Träger (10), der dazu vorgesehen ist, die erste Verkapselungsschicht (31), die erste Spiegelschicht (21) und den Halbleiterkörper (40) mechanisch zu stützen, wobei - die erste Spiegelschicht (21) zwischen dem Träger (10) und dem Halbleiterkörper (40) angeordnet ist, - die erste Verkapselungsschicht (31) zwischen dem Träger (10) und der ersten Spiegelschicht (21) angeordnet ist, und - die erste Verkapselungsschicht (31) eine ALD-Schicht ist.

Abstract translation: 它是设置有光电子半导体芯片 - 一个半导体本体（40），其包括设置用于产生电磁辐射有源区（42）， - 一个第一反光镜层（21）被提供用于电磁辐射，反射 - 第一 包封层（31）与电绝缘材料形成，以及 - 其被提供给所述第一封装层（31），所述第一反光镜层（21）和半导体本体（40），以提供机械支撑的支撑体（10）， 其中， - 所述支撑件（10）和半导体本体（40）之间的第一镜面层（21）布置， - 所述支撑件（10）和所述第一反光镜层（21）之间的所述第一封装层（31）被布置，以及 - 所述第一 包封层（31）是一个ALD层。

公开(公告)号：WO2013135526A1

公开(公告)日：2013-09-19

申请号：PCT/EP2013/054362

申请日：2013-03-05

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： HERTKORN, Joachim ,  ENGL, Karl ,  WEIMAR, Andreas

IPC: H01L33/10 ,  H01L33/46

CPC classification number: H01L33/10 ,  H01L33/46

Abstract: In mindestens einer Ausführungsform umfasst der optoelektronische Halbleiterchip (1) einen Träger (2) sowie einen Bragg-Spiegel (3) mit mindestens einer ersten Teilschicht (31) und mit mindestens einer zweiten Teilschicht (32). Eine auf Galliumnitrid basierende, funktionale Halbleiterschichtenfolge (6) ist auf dem Bragg-Spiegel (3) aufgebracht und beinhaltet mindestens eine aktive Schicht (60) zur Erzeugung einer elektromagnetischen Strahlung. Der Bragg-Spiegel (3) ist auf dem Träger (2) aufgebracht. Die ersten Teilschichten (31) des Bragg-Spiegels (3) umfassen ein Metallnitrid oder ein III-Nitrid oder bestehen hieraus.

Abstract translation: 在光电子半导体芯片的至少一个实施例中（1）包括支撑件（2）和（3），其具有至少第一子层（31）和至少一个第二子层（32）的布拉格反射镜。 氮化镓系，功能性半导体层序列（6）被施加到布拉格反射镜（3），并且包括用于产生电磁辐射的至少一个有源层（60）。 布拉格反射镜（3）的托架（2）上被施加。 布拉格反射镜（3）的第一子层（31）包括一金属氮化物或III族氮化物或由它们组成。

公开(公告)号：WO2012159615A2

公开(公告)日：2012-11-29

申请号：PCT/DE2012/100118

申请日：2012-04-26

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  MAUTE, Markus ,  ENGL, Karl ,  TAEGER, Sebastian ,  WALTER, Robert ,  STOCKER, Johannes

Inventor： MAUTE, Markus ,  ENGL, Karl ,  TAEGER, Sebastian ,  WALTER, Robert ,  STOCKER, Johannes

IPC: H01L33/40

CPC classification number: H01L33/46 ,  H01L33/06 ,  H01L33/20 ,  H01L33/32 ,  H01L33/382 ,  H01L33/405 ,  H01L33/42 ,  H01L33/60 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: Es wird ein optoelektronischer Halbleiterchip (10) angegeben, der einen Halbleiterkörper (1) aus Halbleitermaterial, eine p-Kontaktschicht (21a) und eine n-Kontaktschicht (2) umfasst. Der Halbleiterkörper (1) weist eine zur Strahlungserzeugung vorgesehene aktive Schicht (la) auf. Der Halbleiterkörper weist eine p-Seite (1c) und eine n-Seite (1b) auf, zwischen denen die aktive Schicht (la) angeordnet ist. Die p-Kontaktschicht (21a) ist zur elektrischen Kontaktierung der p-Seite (1c) vorgesehen. Die n-Kontaktschicht (2) ist zur elektrischen Kontaktierung der n-Seite (1b) vorgesehen. Die n-Kontaktschicht (2) enthält eine TCO-Schicht (2a) und eine Spiegelschicht (2b), wobei die TCO-Schicht (2a) zwischen der n-Seite (1b) des Halbleiterkörpers (1) und der Spiegelschicht (2b) angeordnet ist.

Abstract translation: 提供了一种光电子半导体芯片（10），包括半导体材料的半导体主体（1），p型接触层（21a）和一个n型接触层（2）。 半导体本体（1）具有用于产生辐射活性层（LA）中的开口。 该半导体主体包括一p侧（1c）和n侧（1b）中，活性层（LA）被布置在它们之间。 p接触层（21a）的电接触的p侧（1c）中被提供。 提供了一种用于在n侧（1b）的电接触n型接触层（2）。 的n型接触层（2）含有（1b）的（2b）中设置在所述半导体主体（1）和镜层的n侧之间的TCO层（2a）和镜面层（2b）中，其中，所述TCO层（2a）的 是。

公开(公告)号：WO2012107261A1

公开(公告)日：2012-08-16

申请号：PCT/EP2012/050713

申请日：2012-01-18

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  EIBL, Johann ,  ENGL, Karl ,  LAMFALUSI, Tamas ,  MAUTE, Markus

Inventor： EIBL, Johann ,  ENGL, Karl ,  LAMFALUSI, Tamas ,  MAUTE, Markus

IPC: H01L33/38 ,  H01L33/22 ,  H01L33/32

CPC classification number: H01L33/58 ,  H01L33/20 ,  H01L33/32 ,  H01L33/382 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: Ein optoelektronischer Halbleiterchip (100) mit einer Epitaxieschichtenfolge (102) umfasst eine dotierte Epitaxieschicht (104) mit einem ersten Bereich (116) und einem zweiten Bereich (118) und eine geschützte Struktur (108, 106). Der erste Bereich (116) der dotierten Epitaxieschicht (104) überdeckt die geschützte Struktur (108, 106) vollständig. Die äußere Oberfläche (119) der dotierten Epitaxieschicht (104) weist im ersten Bereich (116) eine erste Rauheit und im zweiten Bereich (118) eine zweite Rauheit auf.

Abstract translation: 的光电子半导体芯片（100）的外延层（102）包括具有第一区域（116）和第二区域（118）和受保护的结构（108，106）一个掺杂外延层（104）。 完全覆盖保护结构（108，106）掺杂的外延层（104）的所述第一部分（116）。 掺杂的外延层（104）的外表面（119）具有在具有第一表面粗糙度的第一区域（116）和在所述第二区域（118）具有第二粗糙度。