公开(公告)号：DE112015004912A5

公开(公告)日：2017-07-13

申请号：DE112015004912

申请日：2015-10-27

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： SUNDGREN PETRUS ,  ENGLHARD MARCO ,  BEHRINGER MARTIN RUDOLF ,  KLEMP CHRISTOPH

IPC: H01L21/67

公开(公告)号：DE102015104147B4

公开(公告)日：2019-09-12

申请号：DE102015104147

申请日：2015-03-19

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： KLEMP CHRISTOPH ,  ENGLHARD MARCO

IPC: H01L21/306 ,  B81C1/00 ,  H01L21/301 ,  H01L31/18 ,  H01L33/02

Abstract: Verfahren zur Ablösung eines Aufwachssubstrats (10) von einer Schichtenfolge (11) umfassend die folgenden Schritte:A) Bereitstellen zumindest eines Waferverbundes (1) umfassend das Aufwachssubstrat (10), die auf dem Aufwachssubstrat (10) aufgebrachte Schichtenfolge (11) und einen an einer dem Aufwachssubstrat (10) abgewandten Deckfläche (11a) der Schichtenfolge (11) angebrachten Träger (13), wobei- die Schichtenfolge (11) in eine Vielzahl Bereiche (15) strukturiert ist, die in lateralen Richtungen beabstandet und durch eine Vielzahl von Trenngräben (14) voneinander getrennt sind, und- die Trenngräben (14) miteinander verbunden sind,B) Einbringen des zumindest einen Waferverbundes (1) in ein Ätzbad (40) mit einer Ätzlösung (44) derart, dass sich die Ätzlösung (44) zumindest bereichsweise innerhalb der Trenngräben (14) befindet,C) mehrmalige Druckvariation eines in dem Ätzbad (40) vorherrschenden Basisdrucks unter Verwendung zumindest einer Druckvariationseinrichtung (31, 34, 351, 352) undD) Ablösen des Aufwachssubstrats (10),wobei während der Schritte B) bis D) ein Keil zwischen dem Aufwachssubstrat (10) und dem Träger (13) angesetzt wird, wobei mittels der Druckvariation innerhalb des Ätzbades (40) gezielt ein Volumen von Gasblasen (20) in den Trenngräben (14) geändert wird, sodass die Gasblasen (20) bei geringem Druck der Variation groß und bei hohem Druck der Variation klein gegenüber Strukturgrößen der Trenngräben (14) sind, wobei außerdem- vor Schritt B) eine an das Ätzbad (40) angeschlossene und mit diesem verbundene Pufferkammer (50) bereitgestellt wird und die Druckvariation zu einer Volumenvariation führt und die Volumenvariation durch eine Bewegung eines in die Pufferkammer (50) eingebrachten Kolbens oder Hydraulikstempels (51) erfolgt, und/oder- die Druckvariation zu einer Volumenvariation führt und die Volumenvariation zumindest teilweise mit einem an das Ätzbad (40) angebrachten Kompressor (351) erfolgt, und/oder- die Druckvariation zumindest teilweise durch Entfernen oder Hinzufügen von Gas und Flüssigkeit in beziehungsweise aus dem Ätzbad (40) erfolgt und das Entfernen mit einer an das Ätzbad (40) angeschlossenen ersten Vakuumpumpe (31) erfolgt und das Hinzufügen mit einem an das Ätzbad (40) angeschlossenen Gaseinlass (352) erfolgt.

公开(公告)号：DE102017103041A1

公开(公告)日：2018-08-16

申请号：DE102017103041

申请日：2017-02-15

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： ENGLHARD MARCO

IPC: H01L33/30 ,  H01L21/205 ,  H01L21/301 ,  H01L21/324 ,  H01L21/782

Abstract: Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung einer Vielzahl von optoelektronischen Bauelementen (100) mit den Schritten:A) Bereitstellen eines Substrats (1),B) epitaktisches Aufbringen einer Opferschicht (2) mit einer Schichtdicke von größer als 300 nm auf das Substrats (1), wobei die Opferschicht (2) AlGaAs mit 0

公开(公告)号：DE102015104147A1

公开(公告)日：2016-09-22

申请号：DE102015104147

申请日：2015-03-19

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： KLEMP CHRISTOPH ,  ENGLHARD MARCO

IPC: H01L21/306 ,  B81C1/00 ,  H01L21/301 ,  H01L31/18 ,  H01L33/02

Abstract: Es wird ein Verfahren zur Ablösung eines Aufwachssubstrats (10) von einer Schichtenfolge (11) angegeben, aufweisend die folgenden Schritte: A) Bereitstellen zumindest eines Waferverbundes (1) umfassend das Aufwachssubstrat (10), die auf dem Aufwachssubstrat (10) aufgebrachte Schichtenfolge (11) und einen an einer dem Aufwachssubstrat (10) abgewandten Deckfläche (11a) der Schichtenfolge (11) angebrachten Träger (13), wobei – die Schichtenfolge (11) in eine Vielzahl Bereiche (15) strukturiert ist, die in lateralen Richtungen beabstandet und durch eine Vielzahl von Trenngräben (14) voneinander getrennt sind, und – die Trenngräben (14) miteinander verbunden sind, B) Einbringen des zumindest einen Waferverbundes (1) in ein Ätzbad (40) mit einer Ätzlösung (44) derart, dass sich die Ätzlösung (44) zumindest bereichsweise innerhalb der Trenngräben (14) befindet, C) mehrmalige Druckvariation eines in dem Ätzbad (40) vorherrschenden Basisdrucks unter Verwendung zumindest einer Druckvariationseinrichtung (31, 34, 351, 352) und D) Ablösen des Aufwachssubstrats (10).

公开(公告)号：DE102014116276A1

公开(公告)日：2016-05-12

申请号：DE102014116276

申请日：2014-11-07

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： ENGLHARD MARCO

IPC: H01L21/20 ,  C30B25/18 ,  C30B29/40 ,  H01L21/782 ,  H01L31/101 ,  H01L31/18 ,  H01L33/20

Abstract: Es wird ein Bauelement sowie ein Verfahren zur Herstellung eines Bauelements angegeben, wobei das Verfahren folgende Schritte aufweist: – Ausbilden oder Bereitstellen eines Epitaxie-Wafers, der ein Substrat und eine auf dem Substrat angeordnete Trennschicht aufweist, wobei die Trennschicht eine Mehrzahl von säulenartigen Strukturen aus einem Halbleitermaterial aufweist, – Ausbilden einer Schichtenfolge mit einer aktiven Schicht auf dem Epitaxie-Wafer; und – Entfernen des Substrats von der Schichtenfolge an der Trennschicht, indem die säulenartigen Strukturen zumindest teilweise zerstört werden. Des Weiteren wird ein Epitaxie-Wafer angegeben, der für die Herstellung des Bauelements besonders geeignet ist.

公开(公告)号：WO2016066645A3

公开(公告)日：2016-06-23

申请号：PCT/EP2015074875

申请日：2015-10-27

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： SUNDGREN PETRUS ,  ENGLHARD MARCO ,  BEHRINGER MARTIN RUDOLF ,  KLEMP CHRISTOPH

IPC: H01L21/67

CPC classification number: H01L33/0079 ,  C23F1/20 ,  H01L21/67086 ,  H01L21/67092 ,  H01L24/95

Abstract: The invention relates to a method for detaching a substrate (11) from a layer sequence (13), comprising the following steps: a) providing a composite (1, 2) having - a wafer (1) with the substrate (11), the layer sequence (13) and a sacrificial layer (12) arranged between the substrate (11) and the layer sequence (13); - a support (2) on a cover surface (13a) of the layer sequence (13), which faces away from the substrate (11), and - at least two separating trenches (14) which extend in the vertical direction (Z) through the layer sequence (13); b) attaching a pumping device (3) on the composite (1, 2); c) introducing the composite (1, 2) into an etching bath (4) with an etching solution (41); and subsequently d) generating a pressure gradient (5) between the separating trenches (14) and the etching solution (41) with the pumping device (3) such that the etching solution (41) flows through the separating trenches (14) in some places along the sacrificial layer (12) and is in some places in direct contact with the sacrificial layer (12); e) detaching the substrate (11).

Abstract translation: 本发明提供了一种用于一个层序列（13）的衬底（11）的分离，包括以下步骤：a）提供一个复合物（1,2），包括： - 一个晶片（1）与基板（11） 在背离（11）远的层序列（13）的基板顶面（13a）的支撑件（2），以及 - 布置一系列的层（13）和所述基板（11）和所述层序列（13）之间的牺牲层（12）的， - 在通过该层序列（13）的垂直方向（Z）延伸的至少两个隔离沟槽（14），b）将泵送装置（3）向复合物（1，2），c）将复合材料（1，2） 在具有蚀刻溶液（41）的蚀刻槽（4）中，然后d）利用泵送装置（3）在分离槽（14）和蚀刻溶液（41）之间产生压力梯度（5），使得蚀刻溶液（41） 沿着牺牲层（12）的位置处的分离沟槽（14）流动并且处于直接接触的位置 与牺牲层（12），e）衬底（11）分离。

公开(公告)号：DE112015005045A5

公开(公告)日：2017-08-31

申请号：DE112015005045

申请日：2015-10-14

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： ENGLHARD MARCO

IPC: H01L21/20

公开(公告)号：DE102014115799A1

公开(公告)日：2016-05-04

申请号：DE102014115799

申请日：2014-10-30

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： SUNDGREN PETRUS ,  ENGLHARD MARCO ,  BEHRINGER MARTIN RUDOLF ,  KLEMP CHRISTOPH

IPC: H01L21/306 ,  B81C1/00 ,  C23F1/08

Abstract: Es wird ein Verfahren zur Ablösung eines Substrats (11) von einer Schichtenfolge (13) angegeben, aufweisend die folgenden Schritte: a) Bereitstellen eines Verbundes (1, 2), aufweisend – einen Wafer (1) mit dem Substrat (11), der Schichtenfolge (13) und einer zwischen dem Substrat (11) und der Schichtenfolge (13) angeordneten Opferschicht (12), – einen Träger (2) an einer dem Substrat (11) abgewandten Deckfläche (13a) der Schichtenfolge (13), und – zumindest zwei Trenngräben (14), die sich in vertikaler Richtung (Z) durch die Schichtenfolge (13) erstrecken, b) Anbringen einer Pumpvorrichtung (3) an dem Verbund (1, 2), c) Einbringen des Verbundes (1, 2) in ein Ätzbad (4) mit einer Ätzlösung (41), und anschließend d) Erzeugen eines Druckgradienten (5) zwischen den Trenngräben (14) und der Ätzlösung (41) mit der Pumpvorrichtung (3) derart, dass die Ätzlösung (41) durch die Trenngräben (14) stellenweise entlang der Opferschicht (12) fließt und stellenweise in direktem Kontakt mit der Opferschicht (12) steht, e) Ablösen des Substrats (11).