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    METHOD FOR DETACHING A SUBSTRATE, DEVICE FOR CARRYING OUT SUCH A METHOD AND PUMPING DEVICE FOR PUMPING ETCHING SOLUTION
    3.
    发明申请
    METHOD FOR DETACHING A SUBSTRATE, DEVICE FOR CARRYING OUT SUCH A METHOD AND PUMPING DEVICE FOR PUMPING ETCHING SOLUTION 审中-公开
    去除基板的方法，执行该方法的装置和用于泵浦沉积溶液的泵送装置

    公开(公告)号：WO2016066645A3

    公开(公告)日：2016-06-23

    申请号：PCT/EP2015074875

    申请日：2015-10-27

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： SUNDGREN PETRUS ,  ENGLHARD MARCO ,  BEHRINGER MARTIN RUDOLF ,  KLEMP CHRISTOPH

    IPC: H01L21/67

    CPC classification number: H01L33/0079 ,  C23F1/20 ,  H01L21/67086 ,  H01L21/67092 ,  H01L24/95

    Abstract: The invention relates to a method for detaching a substrate (11) from a layer sequence (13), comprising the following steps: a) providing a composite (1, 2) having - a wafer (1) with the substrate (11), the layer sequence (13) and a sacrificial layer (12) arranged between the substrate (11) and the layer sequence (13); - a support (2) on a cover surface (13a) of the layer sequence (13), which faces away from the substrate (11), and - at least two separating trenches (14) which extend in the vertical direction (Z) through the layer sequence (13); b) attaching a pumping device (3) on the composite (1, 2); c) introducing the composite (1, 2) into an etching bath (4) with an etching solution (41); and subsequently d) generating a pressure gradient (5) between the separating trenches (14) and the etching solution (41) with the pumping device (3) such that the etching solution (41) flows through the separating trenches (14) in some places along the sacrificial layer (12) and is in some places in direct contact with the sacrificial layer (12); e) detaching the substrate (11).

    Abstract translation: 本发明提供了一种用于一个层序列（13）的衬底（11）的分离，包括以下步骤：a）提供一个复合物（1,2），包括： - 一个晶片（1）与基板（11） 在背离（11）远的层序列（13）的基板顶面（13a）的支撑件（2），以及 - 布置一系列的层（13）和所述基板（11）和所述层序列（13）之间的牺牲层（12）的， - 在通过该层序列（13）的垂直方向（Z）延伸的至少两个隔离沟槽（14），b）将泵送装置（3）向复合物（1，2），c）将复合材料（1，2） 在具有蚀刻溶液（41）的蚀刻槽（4）中，然后d）利用泵送装置（3）在分离槽（14）和蚀刻溶液（41）之间产生压力梯度（5），使得蚀刻溶液（41） 沿着牺牲层（12）的位置处的分离沟槽（14）流动并且处于直接接触的位置 与牺牲层（12），e）衬底（11）分离。

    SEMICONDUCTOR COMPONENT CONTAINING LATTICE MISMATCHED SEMICONDUCTOR MATERIALS
    5.
    发明申请
    SEMICONDUCTOR COMPONENT CONTAINING LATTICE MISMATCHED SEMICONDUCTOR MATERIALS 审中-公开
    具有栅格水平半导体材料的半导体结构元件

    公开(公告)号：WO0016410A3

    公开(公告)日：2000-06-08

    申请号：PCT/DE9902847

    申请日：1999-09-08

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  BEHRINGER MARTIN RUDOLF ,  HOMMEL DETLEF

    Inventor： BEHRINGER MARTIN RUDOLF ,  HOMMEL DETLEF

    IPC: H01L31/0296 ,  H01L31/0352 ,  H01L29/22

    CPC classification number: H01L31/02963 ,  H01L31/0296 ,  H01L31/0352

    Abstract: The invention relates to a semiconductor component in which in one and the same semiconductor body a first semiconductor material (1) having a first lattice constant, such as ZnSe, is combined with a second semiconductor material (2) having a second lattice constant, such as ZnTe, and the first and second lattice constants differ from each other. The first semiconductor material (1) forms at least one partial area of a matrix (4) in which a plurality of submonolayer islands (5) are embedded which comprise the second semiconductor material (2). This permits the production of highly doped zones in materials which are difficult to dope as highly.

    Abstract translation: 一种半导体器件的组合，其中在一个第一半导体材料并具有第一晶格常数为Biespiel的ZnSe与第二半导体材料（2）具有第二晶格常数为相同的半导体主体（1），例如，的ZnTe和所述第一和第二晶格常数彼此不同。 第一半导体材料（1）至少形成在一个矩阵（4），其中多个亚单层岛（5）被嵌入的部分区域，具有第二半导体材料（2），并因此使得能够产生高掺杂区域在材料 很难掺杂得如此之高。

    Verfahren zur Herstellung einer Vielzahl strahlungsemittierender Halbleiterchips, strahlungsemittierender Halbleiterchip und strahlungsemittierender Halbleiterchip-Array
    9.
    发明专利
    Verfahren zur Herstellung einer Vielzahl strahlungsemittierender Halbleiterchips, strahlungsemittierender Halbleiterchip und strahlungsemittierender Halbleiterchip-Array 未知

    公开(公告)号：DE102017120037A1

    公开(公告)日：2019-02-28

    申请号：DE102017120037

    申请日：2017-08-31

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： BEHRINGER MARTIN RUDOLF ,  MÜLLER CHRISTIAN

    IPC: H01L27/15 ,  H01L33/08 ,  H01L33/20 ,  H01L33/38 ,  H01L33/46

    Abstract: Es wird ein Verfahren zur Herstellung einer Vielzahl strahlungsemittierender Halbleiterchips mit den folgenden Schritten angegeben:- Bereitstellen eines Wachstumssubstrats (1),- Epitaktisches Aufwachsen einer epitaktischen Halbleiterschichtenfolge (2) mit einer aktiven Zone (3), die dazu geeignet ist, elektromagnetische Strahlung zu erzeugen, auf das Wachstumssubstrat (1), wobei die Halbleiterschichtenfolge (2) ein Nitridverbindungshalbleitermaterial umfasst,- Aufbringen einer strukturierten Fotolackschicht (4) mit sechseckigen Strukturelementen (5) auf die Halbleiterschichtenfolge (2), wobei Bereiche der Halbleiterschichtenfolge (2) zwischen den Strukturelementen (5) frei zugänglich sind, und- Ätzen der Halbleiterschichtenfolge (2) in den frei zugänglichen Bereichen, sodass sechseckige Halbleiterschichtenstapel (2) mit Seitenflächen (11) entstehen, von denen zumindest eine Seitenfläche (11) parallel zu einer m-Fläche (7) oder parallel zu einer a-Fläche (6) des Nitridverbindungshalbleitermaterials verläuft.

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