公开(公告)号：DE112021000569T5

公开(公告)日：2022-12-15

申请号：DE112021000569

申请日：2021-01-14

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： FUCHS PETER ,  RUSSELL ANN ,  FALCK THOMAS ,  HALBRITTER HUBERT ,  JENTZSCH BRUNO ,  LAUER CHRISTIAN

IPC: H01S5/40 ,  G02B27/18 ,  G02B27/48 ,  H01S5/183 ,  H01S5/185 ,  H01S5/323 ,  H01S5/343 ,  H01S5/42

Abstract: Eine optoelektronische Halbleitervorrichtung umfasst eine Vielzahl von Laservorrichtungen. Jede der Laservorrichtungen ist ausgestaltet, dass sie elektromagnetische Strahlung emittiert. Die Laservorrichtungen sind horizontal angeordnet. Eine erste Laservorrichtung der Vielzahl von Laservorrichtungen ist ausgestaltet, dass sie elektromagnetische Strahlung mit einer ersten Wellenlänge emittiert, die sich von der Wellenlänge einer weiteren Laservorrichtung der Vielzahl von Laservorrichtungen unterscheidet. Der Unterschied zwischen der ersten Wellenlänge und der Wellenlänge der weiteren Laservorrichtung beträgt weniger als 20 nm.

公开(公告)号：DE102021103593A1

公开(公告)日：2022-08-18

申请号：DE102021103593

申请日：2021-02-16

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： FUCHS PETER ,  HALBRITTER HUBERT ,  JENTZSCH BRUNO ,  LAUER CHRISTIAN

IPC: H01L33/58 ,  H01L25/075 ,  H01L33/46 ,  H01S5/18 ,  H01S5/42

Abstract: Es wird ein strahlungsemittierendes Halbleiterbauteil (1) angegeben, mit- zumindest zwei strahlungsemittierenden Halbleiterchips (2), die jeweils dazu ausgebildet sind elektromagnetische Strahlung über einen Emitterbereich (3) zu emittieren, und- einem Schichtenstapel (4), der teilweise reflektierend für elektromagnetische Strahlung ausgebildet ist, wobei- der Schichtenstapel (4) auf den Emitterbereichen (3) angeordnet ist, und- der Schichtenstapel (4) eine Dicke (5) aufweist, die stellenweise unterschiedlich ausgebildet ist.Darüber hinaus wird ein Verfahren zur Herstellung eines strahlungsemittierenden Halbleiterbauteils (1) angegeben.

公开(公告)号：DE112018002939A5

公开(公告)日：2020-02-27

申请号：DE112018002939

申请日：2018-06-05

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： FUCHS PETER

IPC: H01S5/028 ,  H01S5/343 ,  H01S5/40

公开(公告)号：DE102017112610A1

公开(公告)日：2018-12-13

申请号：DE102017112610

申请日：2017-06-08

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： FUCHS PETER

IPC: H01S5/125 ,  H01S5/028

Abstract: In einer Ausführungsform umfasst der kantenemittierende Halbleiterlaser (1) eine Halbleiterschichtenfolge (2) mit einer aktiven Zone (22) zur Erzeugung von Laserstrahlung (L). An der Halbleiterschichtenfolge (2) ist eine Facette (3) zur Auskopplung und/oder Reflexion der Laserstrahlung (L) gebildet. Direkt an der Facette (3) befindet sich eine Schutzschichtenfolge (4) zum Schutz der Facette (3) vor Beschädigungen. Die Schutzschichtenfolge (4) weist in Richtung weg von der Halbleiterschichtenfolge (2) eine monokristalline Startschicht (41), eine Zwischenschicht (42) mit mindestens einem Gruppe 14-Material sowie mindestens eine Abschlussschicht (43) aus einem Nitrid, Oxid oder Oxynitrid auf. Die Startschicht (41), die Zwischenschicht (42) sowie die Abschlussschicht (43) sind paarweise aus verschiedenen Materialsystemen hergestellt.