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    OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERCHIP
    2.
    发明专利
    OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERCHIP 未知

    公开(公告)号：DE102021108200A1

    公开(公告)日：2022-10-06

    申请号：DE102021108200

    申请日：2021-03-31

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： HALBRITTER HUBERT ,  JENTZSCH BRUNO ,  GOMEZ-IGLESIAS ALVARO

    IPC: H01L33/20 ,  B60Q1/04 ,  H01L33/30 ,  H01L33/36 ,  H01L33/60

    Abstract: In mindestens einer Ausführungsform umfasst der optoelektronische Halbleiterchip (1)- eine Halbleiterschichtenfolge (2), in der sich mindestens eine aktive Zone (22) zur Erzeugung von Strahlung (R) befindet, und- eine erste Elektrode (31) und eine zweite Elektrode (32), mit denen die Halbleiterschichtenfolge (2) elektrisch kontaktiert ist, wobei- die Halbleiterschichtenfolge (2) im Bereich der aktiven Zone (22) mindestens eine schräg verlaufende Facette (41, 42) aufweist, die für eine Strahlumlenkung der Strahlung (R) eingerichtet ist, und- sich die erste Elektrode (31) und die zweite Elektrode (32) an derselben Montageseite (20) der Halbleiterschichtenfolge (2) wie die mindestens eine schräg verlaufende Facette (41, 42) befinden und die Montageseite (20) eine Hauptseite der Halbleiterschichtenfolge (2) ist, und- eine Auskopplung der Strahlung (R) an einer der Montageseite (20) gegenüberliegenden Abstrahlseite (21) der Halbleiterschichtenfolge (2) erfolgt.

    OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERCHIP UND BAUTEIL
    3.
    发明专利
    OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERCHIP UND BAUTEIL 未知

    公开(公告)号：DE102021113856A1

    公开(公告)日：2022-12-01

    申请号：DE102021113856

    申请日：2021-05-28

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： HALBRITTER HUBERT ,  GERHARD SVEN ,  JENTZSCH BRUNO ,  RÜGHEIMER TILMAN ,  WALTER CHRISTOPH

    IPC: H01S5/185 ,  H01L33/02 ,  H01S5/0225 ,  H01S5/30 ,  H01S5/42

    Abstract: In mindestens einer Ausführungsform umfasst der optoelektronische Halbleiterchip (1):- einen Träger (2),- eine Halbleiterschichtenfolge (3) an dem Träger (2) mit mindestens einer aktive Zone (33) zur Erzeugung einer Strahlung (R),- eine optisch hochbrechende Schicht (4) an einer Auskoppelfacette (34) der Halbleiterschichtenfolge (3) zur Strahlungsauskopplung, und- eine optisch niedrigbrechende Beschichtung (5) direkt an einer Außenseite (45) der hochbrechenden Schicht (4) zur Totalreflexion der Strahlung (R),wobei- die Halbleiterschichtenfolge (3) dazu eingerichtet ist, die Strahlung (R) in der aktiven Zone (33) senkrecht zu einer Wachstumsrichtung (G) der Halbleiterschichtenfolge (3) zu führen, und- die hochbrechenden Schicht (4) dazu eingerichtet ist, die Strahlung (R) an der Außenseite (45) parallel zur Wachstumsrichtung (G) umzulenken.

    HALBLEITERLASER
    4.
    发明专利
    HALBLEITERLASER 未知

    公开(公告)号：DE102018105080A1

    公开(公告)日：2019-09-12

    申请号：DE102018105080

    申请日：2018-03-06

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： JENTZSCH BRUNO ,  GOMEZ-IGLESIAS ALVARO ,  TONKIKH ALEXANDER ,  ILLEK STEFAN

    IPC: H01S5/10

    Abstract: In einer Ausführungsform umfasst der Halbleiterlaser (1) eine Halbleiterschichtenfolge (2) sowie elektrische Kontaktflächen (41, 42). Die Halbleiterschichtenfolge (2) beinhaltet einen Wellenleiter (20) mit einer aktiven Zone (25). Ferner beinhaltet die Halbleiterschichtenfolge (2) eine erste und eine zweite Mantelschicht (21, 22), zwischen denen sich der Wellenleiter (20) befindet. An der Halbleiterschichtenfolge (2) ist zumindest eine schräge Facette (31, 32) gebildet, die mit einer Toleranz von höchstens 10° einen Winkel von 45° zu einer Resonatorachse (R) aufweist. Diese Facette (31, 32) bildet eine Reflexionsfläche (30) hin zur ersten Mantelschicht (21) für im Betrieb erzeugte Laserstrahlung (L). Eine Maximaldicke (D) der ersten Mantelschicht (21) liegt zumindest in einem Strahlungsdurchtrittsbereich (50) zwischen einschließlich 0,5 M/n und 10 M/n, wobei n der mittlere Brechungsindex der ersten Mantelschicht (21) und M die Vakuumwellenlänge maximaler Intensität der Laserstrahlung (L) ist.

    HALBLEITERLASER
    5.
    发明专利
    HALBLEITERLASER 未知

    公开(公告)号：DE102021103828A1

    公开(公告)日：2022-08-18

    申请号：DE102021103828

    申请日：2021-02-18

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： JENTZSCH BRUNO ,  HALBRITTER HUBERT ,  MÜLLER MARTIN

    IPC: H01S5/185 ,  H01S5/065 ,  H01S5/20 ,  H01S5/323

    Abstract: In einer Ausführungsform umfasst der Halbleiterlaser (1) eine Halbleiterschichtenfolge (2) mit mindestens einer aktiven Zone (21, 22, 23) zur Erzeugung zumindest einer Laserstrahlung (L1, L2, L3) und senkrecht zu einer Wachstumsrichtung (G) der Halbleiterschichtenfolge (2) sowie eine Elektrode (31) an einer Halbleiteroberseite (20) der Halbleiterschichtenfolge (2) zur Bestromung der Halbleiterschichtenfolge (2),wobei- die Halbleiterschichtenfolge (2) in Richtung quer zu einer Resonatorlängsachse (R) und in Draufsicht auf die Halbleiteroberseite (20) gesehen breiter ist als die Elektrode (31) und der Halbleiterlaser (1) gewinngeführt sein kann, und- sich an einer Umlenkfläche (4) und/oder an einer Auskoppelseite (40) für die zumindest eine Laserstrahlung (L1, L2, L3) mindestens ein Modenbegrenzer (5) befindet, der dazu eingerichtet ist, in Draufsicht auf die Auskoppelseite (40) gesehen die zumindest eine Laserstrahlung (L1, L2, L3) in Richtung senkrecht zur Resonatorlängsachse (R) zu begrenzen.

    Strahlungsemittierende Halbleiterchips und strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement
    6.
    发明专利
    Strahlungsemittierende Halbleiterchips und strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement 未知

    公开(公告)号：DE112020001384B4

    公开(公告)日：2025-03-27

    申请号：DE112020001384

    申请日：2020-03-04

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： VARGHESE TANSEN ,  JENTZSCH BRUNO

    IPC: H10H20/813 ,  H10H29/24

    Abstract: Strahlungsemittierender Halbleiterchip (1) mit:- einer Halbleiterschichtenfolge (2) mit einer Vielzahl von aktiven Bereichen (3) und einer Haupterstreckungsebene (4), wobei- jeder aktive Bereich (3) eine Haupterstreckungsrichtung (5) aufweist,- jeder aktive Bereich (3) im Betrieb elektromagnetische Strahlung von einem zur Haupterstreckungsebene (4) parallel verlaufenden Emitterbereich (6) aussendet,- zumindest zwei aktive Bereiche (3) in Draufsicht überlappen,- die Emitterbereiche (6) an Gitterpunkten (7) eines regelmäßigen Gitters angeordnet sind, die durch zumindest eine Gitterlinie (8) verbunden sind, und- die Haupterstreckungsrichtung (5) zumindest eines aktiven Bereichs (3) einen Winkel (11) von mindestens 10° und höchstens 80° mit den Gitterlinien (8) des regelmäßigen Gitters einschließt.

    Strahlungsemittierender Halbleiterchip und Verfahren zur Herstellung eines strahlungsemittierenden Halbleiterchips
    9.
    发明专利
    Strahlungsemittierender Halbleiterchip und Verfahren zur Herstellung eines strahlungsemittierenden Halbleiterchips 未知

    公开(公告)号：DE112020000398B4

    公开(公告)日：2025-03-27

    申请号：DE112020000398

    申请日：2020-01-08

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： JENTZSCH BRUNO ,  TONKIKH ALEXANDER

    IPC: H10H20/813 ,  H01S5/022 ,  H01S5/40 ,  H10H20/814 ,  H10H20/819 ,  H10H20/841

    Abstract: Strahlungsemittierender Halbleiterchip (1) mit:- einer Halbleiterschichtenfolge (2) mit zumindest zwei aktiven Bereichen (6), die im Betrieb elektromagnetische Strahlung erzeugen,- zumindest einer reflektierenden Außenfläche (8), die seitlich jedes aktiven Bereichs (6) angeordnet ist, und- einem elektrisch isolierenden Bereich (7), der zwischen den aktiven Bereichen (6) angeordnet ist, wobei- der elektrisch isolierende Bereich (7) eine reflektierende Innenfläche (9) aufweist, die gegenüber der reflektierenden Außenfläche (8) angeordnet ist,- die reflektierende Innenfläche (9) einen Winkel von mindestens 35° und höchstens 55° mit einer Haupterstreckungsebene des Halbleiterchips (1) einschließt,- die reflektierende Außenfläche (8) einen Winkel von mindestens 35° und höchstens 55° mit einer Haupterstreckungsebene des Halbleiterchips (1) einschließt, und- auf der Halbleiterschichtenfolge (2) im Bereich der reflektierenden Außenfläche (8) eine Reflexionsbeschichtung (15) angeordnet ist und auf der Halbleiterschichtenfolge (2) im elektrisch isolierenden Bereich (7) eine Antireflexbeschichtung (16) angeordnet ist, oder- auf der Halbleiterschichtenfolge (2) im Bereich der reflektierenden Außenfläche (8) eine Antireflexbeschichtung (16) angeordnet ist und auf der Halbleiterschichtenfolge (2) im elektrisch isolierenden Bereich (7) eine Reflexionsbeschichtung (15) angeordnet ist.

    Beleuchtungseinrichtung
    10.
    发明专利
    Beleuchtungseinrichtung 未知

    公开(公告)号：DE102021114225A1

    公开(公告)日：2022-12-01

    申请号：DE102021114225

    申请日：2021-06-01

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： HALBRITTER HUBERT ,  JENTZSCH BRUNO

    IPC: F21V9/32 ,  F21K9/64 ,  F21V29/503 ,  H01S5/022 ,  H01S5/42

    Abstract: Die Erfindung betrifft eine Beleuchtungseinrichtung mit einem Gehäuse mit Lichtaustrittsbereich (16) und einem unterhalb des Lichtaustrittsbereichs (16) angeordneten Montageelement (14). Ein Konversionselement (12) ist auf dem Montagelement (14) angeordnet und ausgebildet, Pumplicht in einem Oberflächenbereich (13) des Konversionselements (12) in Abstrahllicht zu wandeln und über den Oberflächenbereich abzustrahlen (13), Zwei oberflächenemittierende Laservorrichtung (10a, 10b,0c, 10d) zur Erzeugung des Pumplichts, sind auf dem Montagebereich einander gegenüberliegend und seitlich versetzt zu dem Lichtaustrittsbereich angeordnet und beabstandet zu dem Konversionselement (12) und von diesem beabstandet angeordnet. Ein mit dem Gehäuse verbundenes Reflektorelement (20) ist welches oberhalb Laservorrichtungen angeordnet und ausgebildet, das von den Laservorrichtungen (10a, 10b) abgegebene Pumplicht auf den Oberflächenbereich zu reflektieren. Das Montageelement (14) dient zu einer Wärmeabführung der erzeugten Wärme bei gleichzeitig weitgehender thermischen Entkopplung zu dem Konversionselement (14) .

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