公开(公告)号：WO2021083838A1

公开(公告)日：2021-05-06

申请号：PCT/EP2020/080046

申请日：2020-10-26

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： TANGRING, Ivar ,  LINDBERG, Gudrun ,  GERINGER, Viktor ,  HUPPMANN, Sophia

IPC: H01L33/00 ,  H01L33/38 ,  H01L33/62

Abstract: Es wird ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauelements (1) aufweisend die folgenden Schritte angegeben: A) Bereitstellen einer Mehrzahl von Halbleiterchips (10), die an einem Träger (50) angeordnet sind, B) Anordnen eines Hilfsträgers (60) auf der von dem Träger (50) abgewandten Seite der Halbleiterchips (10), C) Entfernen des Trägers (50), D) Vereinzeln des Hilfsträgers (60) zwischen den Halbleiterchips (10) zu Hilfsträger-Chip-Einheiten (2), die jeweils mindestens einen Halbleiterchip (10) und ein an diesen angrenzendes Hilfsträgerteil (61) aufweisen, E) Anordnen der Hilfsträger-Chip-Einheiten (2) an jeweils einen Anschlussträger (30), und F) Entfernen jeweils eines Hilfsträgerteils (61) von jeweils einer Hilfsträger-Chip-Einheit (2). Es wird ferner ein optoelektronisches Halbleiterbauelement (1) angegeben.