公开(公告)号：WO2016193098A1

公开(公告)日：2016-12-08

申请号：PCT/EP2016/061806

申请日：2016-05-25

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： LINDBERG, Gudrun

IPC: H01L33/44

CPC classification number: H01L33/56 ,  C07F1/00 ,  C07F1/02 ,  C07F3/00 ,  C07F3/02 ,  C07F5/00 ,  C07F5/062 ,  H01L24/48 ,  H01L33/44 ,  H01L33/48 ,  H01L33/54 ,  H01L33/62 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48106 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/8592 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2933/005 ,  H01L2933/0066 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: Die Erfindung betrifft ein optoelektronisches Bauelement (100) mit zumindest einer metallischen Oberfläche (1) umfassend einen kontaktierten optoelektronischen Halbleiterchip (2), der zur Emission von Strahlung eingerichtet ist, eine Schutzschicht (5), die auf der zumindest einen metallischen Oberfläche (1) angeordnet ist, wobei die Schutzschicht (5) ein Schutzmaterial (3) aus zumindest einem N-heterozyklischen Carben (14) umfasst, wobei zwischen dem Schutzmaterial (3) und der zumindest einen metallischen Oberfläche (1) eine kovalente Bindung (4) ausgebildet ist.

Abstract translation: 本发明涉及一种具有至少一个金属表面（1）包括形成在所述至少一个金属表面上的接触的光电子半导体芯片（2），其适合于发射辐射，保护层（5）的光电元件（100）（1） 被布置，其中，所述保护层（5）包括（3）至少一种N-杂环卡宾（14）所形成的保护材料（3）和所述至少一个金属表面之间的共价键的保护材料（1）（4） ，

公开(公告)号：WO2021083838A1

公开(公告)日：2021-05-06

申请号：PCT/EP2020/080046

申请日：2020-10-26

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： TANGRING, Ivar ,  LINDBERG, Gudrun ,  GERINGER, Viktor ,  HUPPMANN, Sophia

IPC: H01L33/00 ,  H01L33/38 ,  H01L33/62

Abstract: Es wird ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauelements (1) aufweisend die folgenden Schritte angegeben: A) Bereitstellen einer Mehrzahl von Halbleiterchips (10), die an einem Träger (50) angeordnet sind, B) Anordnen eines Hilfsträgers (60) auf der von dem Träger (50) abgewandten Seite der Halbleiterchips (10), C) Entfernen des Trägers (50), D) Vereinzeln des Hilfsträgers (60) zwischen den Halbleiterchips (10) zu Hilfsträger-Chip-Einheiten (2), die jeweils mindestens einen Halbleiterchip (10) und ein an diesen angrenzendes Hilfsträgerteil (61) aufweisen, E) Anordnen der Hilfsträger-Chip-Einheiten (2) an jeweils einen Anschlussträger (30), und F) Entfernen jeweils eines Hilfsträgerteils (61) von jeweils einer Hilfsträger-Chip-Einheit (2). Es wird ferner ein optoelektronisches Halbleiterbauelement (1) angegeben.

公开(公告)号：WO2021028320A1

公开(公告)日：2021-02-18

申请号：PCT/EP2020/072190

申请日：2020-08-06

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： BECHERT, Hermann ,  LINDBERG, Gudrun ,  GÖÖTZ, Britta

IPC: H01L27/15 ,  H01L33/50

Abstract: Es wird ein Optoelektronisches Halbleiterbauelement (1) angegeben, das einen Halbleiterkörper (10) mit einem aktiven Bereich (100) umfasst, der zur Emission von elektromagnetischer Strahlung eines ersten Wellenlängenbereichs eingerichtet ist und eine zur Auskopplung der Strahlung vorgesehenen Auskoppelfläche (10A). Auf der Auskoppelfläche (10A) ist eine Gitterschicht (20) angeordnet, die eine Mehrzahl von Kavitäten (200) umfasst. Der aktive Bereich (100) ist in eine Mehrzahl von separat ansteuerbaren Emissionsbereichen (1000) unterteilt. Auf die Gitterschicht (20) ist zumindest bereichsweise eine Antihaftschicht (30) aufgebracht. Die Kavitäten (200) sind den Emissionsbereichen (1000) zugeordnet und durchdringen die Gitterschicht (20) vollständig. Ferner wird ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauelements (1) angegeben.

公开(公告)号：WO2016142267A1

公开(公告)日：2016-09-15

申请号：PCT/EP2016/054547

申请日：2016-03-03

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： REESWINKEL, Thomas ,  LINDBERG, Gudrun

IPC: H01L33/44 ,  B05D1/18 ,  C08L83/00

CPC classification number: H01L33/44 ,  C08G77/385 ,  C09D183/08 ,  G02B6/4239

Abstract: Es wird eine optoelektronische Vorrichtung (1) aufweisend zumindest eine Außenoberfläche (2) mit einem Silikon (20) angegeben, wobei chemische Verbindungen, umfassend eine Ankergruppe (3) und eine Kopfgruppe (4), mit der Ankergruppe an das Silikon gebunden sind,und wobei die Adhäsion der auf der Außenoberfläche befindlichen Bereiche des Silikons (2) durch die Kopfgruppen der chemischen Verbindungen vermindert ist. Weiterhin wird ein Verfahren zur Herstellung einer optoelektronischen Vorrichtung angegeben.

Abstract translation: 本发明提供一种光电器件（1），包括至少一个外表面（2）与有机硅（20），所述含有锚固基团的化学化合物（3）和头部组（4）附接到锚定基团的硅，和 其中，位于所述外表面上的硅（2）的部分的密合性是通过化学化合物的头部基团减少。 此外，提供了用于制造光电子器件的方法。

公开(公告)号：WO2014041165A1

公开(公告)日：2014-03-20

申请号：PCT/EP2013/069151

申请日：2013-09-16

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： STOLL, Ion ,  TAEGER, Sebastian ,  GALLMEIER, Hans-Christoph ,  LINDBERG, Gudrun ,  HARTAUER, Stefan

IPC: H01L21/02 ,  H01L33/00 ,  H01L33/44 ,  H01L33/50 ,  H01L33/46 ,  H01L33/62

CPC classification number: H01L33/44 ,  H01L33/46 ,  H01L33/502 ,  H01L33/505 ,  H01L33/62 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/8592 ,  H01L2933/0025 ,  H01L2933/0033 ,  H01L2933/0041 ,  H01L2933/0058 ,  H01L2933/0066 ,  H01L2933/0091 ,  H01L2924/00014

Abstract: Es wird ein Verfahren zur Fixierung einer matrixfreien elektrophoretisch abgeschiedenen Schicht auf einem Halbleiterchip (2) für die Herstellung eines Strahlungsemittierenden Halbleiterbauelements angeben, das die folgenden Schritte aufweist: Bereitstellen eines Halbleiterwafers (1), wobei der Halbleiterwafer (1) ein Trägersubstrat (5) und wenigstens einen Halbleiterchip (2) aufweist, wobei der wenigstens eine Halbleiterchip (2) eine aktive Zone zur Erzeugung von elektromagnetischer Strahlung aufweist, und wobei an einer dem Trägersubstrat (5) abgewandten Oberfläche (4) des wenigstens einen Halbleiterchips (2) wenigstens ein Kontaktbereich (3) ausgebildet ist; elektrophoretisches Abscheiden eines Materials (7) auf der dem Trägersubstrat (5) abgewandten Oberfläche (4) des wenigstens einen Halbleiterchips (2) zur Ausbildung der elektrophoretisch abgeschiedenen Schicht, wobei ein Abscheiden des Materials (7) auf dem wenigstens einen Kontaktbereich (3) verhindert wird, und; Aufbringen eines anorganischen Matrixmaterials (8) auf wenigstens einen Teilbereich einer dem Trägersubstrat (5) abgewandten Oberfläche des Halbleiterwafers (1) zur Fixierung des Materials (7) auf dem wenigstens einen Halbleiterchip (2). Ferner wird ein Strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement angegeben.

Abstract translation: 一种用于在半导体芯片上固定矩阵自由电泳沉积层的方法，（2）提供一种用于生产辐射的半导体器件的方法，包括以下步骤：提供一个半导体晶片（1），其中，所述半导体晶片（1）的支撑基板（5）和 至少一个半导体芯片（2），其中，所述至少一个半导体芯片（2）具有用于产生电磁辐射的有源区，并且其中，从载体基板（5）（4）的所述至少一个半导体芯片（2）的至少一个接触区域背向表面 （3）形成; （5）背离的材料的电泳沉积（7）（4）的所述至少一个半导体芯片（2），以形成电沉积层远离载体衬底上表面，防止所述材料（7）沉积到所述至少一个接触区（3） 是，和; 用于所述至少一个半导体芯片上的材料（7）的固定（2）（8）在载体基材的至少一部分上施加的无机基质材料中的半导体晶片（1）的表面（5）背离。 此外，发射辐射的半导体组件被指定。

公开(公告)号：EP3304605B1

公开(公告)日：2019-11-27

申请号：EP16725129.7

申请日：2016-05-25

Applicant: OSRAM Opto Semiconductors GmbH

Inventor： LINDBERG, Gudrun

IPC: H01L33/44 ,  H01L33/48

公开(公告)号：EP3304605A1

公开(公告)日：2018-04-11

申请号：EP16725129.7

申请日：2016-05-25

Applicant: OSRAM Opto Semiconductors GmbH

Inventor： LINDBERG, Gudrun

IPC: H01L33/44

Abstract: The invention relates to an optoelectronic component (100) comprising at least one metallic surface (1) having a contacted optoelectronic semiconductor chip (2) configured to emit radiation, and a protective layer (5) arranged on said at least one metallic surface (1), the protective layer (5) comprising a protective material (3) consisting of at least one N-heterocyclic carbene (14), and a covalent bond (4) being formed between the protective material (3) and the at least one metallic surface (1).