OPTOELEKTRONISCHES BAUELEMENT
    2.
    发明申请
    OPTOELEKTRONISCHES BAUELEMENT 审中-公开
    光电组件

    公开(公告)号:WO2012007369A1

    公开(公告)日:2012-01-19

    申请号:PCT/EP2011/061589

    申请日:2011-07-08

    Abstract: Das optoelektronische Bauelement (1000) weist einen Halbleiterchip (40) und einen den Halbleiterchip (40) zumindest teilweise umgebenden Leuchtstoff (44) auf. Der Halbleiterchip (40) emittiert eine Primärstrahlung im kurzwelligen blauen Spektralbereich bei einer Dominantwellenlänge von kleiner etwa 465 nm. Der Leuchtstoff (44) wandelt zumindest einen Teil der Primärstrahlung in eine längerwellige Sekundärstrahlung im grünen Spektralbereich bei einer Dominantwellenlänge zwischen etwa 490 nm und etwa 550 nm. Das Mischlicht aus Primärstrahlung und Sekundärstrahlung weist eine Dominantwellenlänge bei Wellenlängen zwischen etwa 460 nm und etwa 480 nm auf. Der Lichtstrom des Mischlichts ist um bis zu 130% größer als der Lichtstrom bei einem optoelektronischen Bauelement ohne Leuchtstoff (44) mit gleicher Dominantwellenlänge im Bereich zwischen 460 nm und 480nm.

    Abstract translation: 光电子器件(1000),包括:半导体芯片(40)和半导体芯片(40),至少部分地围绕所述荧光体(44)。 半导体芯片(40)发出的短波长的蓝色光谱范围内的初级辐射在小于约465纳米的主波长。荧光体(44)在一个主波长约490nm和大约550nm之间的至少一个成在绿色光谱区中的较长波长的次级辐射的初级辐射的一部分转换 从初级辐射和次级辐射的混合光具有约460nm和大约480nm之间的波长的主波长。 混合光的光通量大于所述光通量较大与光电子器件高达130%,无荧光体(44),其具有在460和480nm之间的范围内的相同的主波长。

    OPTOELEKTRONISCHES BAUELEMENT
    3.
    发明公开
    OPTOELEKTRONISCHES BAUELEMENT 有权
    光电组件

    公开(公告)号:EP2593526A1

    公开(公告)日:2013-05-22

    申请号:EP11745714.3

    申请日:2011-07-08

    Abstract: The optoelectronic component (1000) has a semiconductor chip (40) and a phosphor (44) at least partly surrounding the semiconductor chip (40). The semiconductor chip (40) emits a primary radiation in the shortwave blue spectral range, with a dominant wavelength of less than about 465 nm. The phosphor (44) converts at least some of the primary radiation into a longer-wave secondary radiation in the green spectral range, with a dominant wavelength of between about 490 nm and about 550 nm. The mixed light formed from primary radiation and secondary radiation has a dominant wavelength at wavelengths of between about 460 nm and about 480 nm. The luminous flux of the mixed light is greater by up to 130% than the luminous flux in the case of an optoelectronic component without phosphor (44) with the same dominant wavelength in the range between 460 nm and 480 nm.

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