Abstract:
Ein optoelektronisches Bauelement umfasst ein Gehäuse, das einen elektrisch leitenden ersten Kontaktabschnitt aufweist, und einen optoelektronischen Halbleiterchip, der auf dem ersten Kontaktabschnitt angeordnet ist. Der optoelektronische Halbleiterchip und der erste Kontaktabschnitt sind zumindest teilweise durch eine erste Schicht bedeckt, die ein Silikon aufweist. An einer Oberfläche der ersten Schicht ist eine zweite Schicht angeordnet, die SiO 2 aufweist. Oberhalb der zweiten Schicht ist eine dritte Schicht angeordnet.
Abstract:
Das optoelektronische Bauelement (1000) weist einen Halbleiterchip (40) und einen den Halbleiterchip (40) zumindest teilweise umgebenden Leuchtstoff (44) auf. Der Halbleiterchip (40) emittiert eine Primärstrahlung im kurzwelligen blauen Spektralbereich bei einer Dominantwellenlänge von kleiner etwa 465 nm. Der Leuchtstoff (44) wandelt zumindest einen Teil der Primärstrahlung in eine längerwellige Sekundärstrahlung im grünen Spektralbereich bei einer Dominantwellenlänge zwischen etwa 490 nm und etwa 550 nm. Das Mischlicht aus Primärstrahlung und Sekundärstrahlung weist eine Dominantwellenlänge bei Wellenlängen zwischen etwa 460 nm und etwa 480 nm auf. Der Lichtstrom des Mischlichts ist um bis zu 130% größer als der Lichtstrom bei einem optoelektronischen Bauelement ohne Leuchtstoff (44) mit gleicher Dominantwellenlänge im Bereich zwischen 460 nm und 480nm.
Abstract:
The optoelectronic component (1000) has a semiconductor chip (40) and a phosphor (44) at least partly surrounding the semiconductor chip (40). The semiconductor chip (40) emits a primary radiation in the shortwave blue spectral range, with a dominant wavelength of less than about 465 nm. The phosphor (44) converts at least some of the primary radiation into a longer-wave secondary radiation in the green spectral range, with a dominant wavelength of between about 490 nm and about 550 nm. The mixed light formed from primary radiation and secondary radiation has a dominant wavelength at wavelengths of between about 460 nm and about 480 nm. The luminous flux of the mixed light is greater by up to 130% than the luminous flux in the case of an optoelectronic component without phosphor (44) with the same dominant wavelength in the range between 460 nm and 480 nm.