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    OPTOELEKTRONISCHES BAUELEMENT
    3.
    发明申请
    OPTOELEKTRONISCHES BAUELEMENT 审中-公开
    光电组件

    公开(公告)号：WO2012007369A1

    公开(公告)日：2012-01-19

    申请号：PCT/EP2011/061589

    申请日：2011-07-08

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  GROSSE, Kristin ,  BAADE, Torsten

    Inventor： GROSSE, Kristin ,  BAADE, Torsten

    IPC: C09K11/61 ,  C09K11/59 ,  C09K11/62 ,  H01L33/50

    CPC classification number: H01L33/502 ,  C09K11/0883 ,  C09K11/7731 ,  C09K11/7734 ,  H01L33/26 ,  H01L33/50 ,  H01L33/56 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/00014

    Abstract: Das optoelektronische Bauelement (1000) weist einen Halbleiterchip (40) und einen den Halbleiterchip (40) zumindest teilweise umgebenden Leuchtstoff (44) auf. Der Halbleiterchip (40) emittiert eine Primärstrahlung im kurzwelligen blauen Spektralbereich bei einer Dominantwellenlänge von kleiner etwa 465 nm. Der Leuchtstoff (44) wandelt zumindest einen Teil der Primärstrahlung in eine längerwellige Sekundärstrahlung im grünen Spektralbereich bei einer Dominantwellenlänge zwischen etwa 490 nm und etwa 550 nm. Das Mischlicht aus Primärstrahlung und Sekundärstrahlung weist eine Dominantwellenlänge bei Wellenlängen zwischen etwa 460 nm und etwa 480 nm auf. Der Lichtstrom des Mischlichts ist um bis zu 130% größer als der Lichtstrom bei einem optoelektronischen Bauelement ohne Leuchtstoff (44) mit gleicher Dominantwellenlänge im Bereich zwischen 460 nm und 480nm.

    Abstract translation: 光电子器件（1000），包括：半导体芯片（40）和半导体芯片（40），至少部分地围绕所述荧光体（44）。 半导体芯片（40）发出的短波长的蓝色光谱范围内的初级辐射在小于约465纳米的主波长。荧光体（44）在一个主波长约490nm和大约550nm之间的至少一个成在绿色光谱区中的较长波长的次级辐射的初级辐射的一部分转换 从初级辐射和次级辐射的混合光具有约460nm和大约480nm之间的波长的主波长。 混合光的光通量大于所述光通量较大与光电子器件高达130％，无荧光体（44），其具有在460和480nm之间的范围内的相同的主波长。

    OPTOELEKTRONISCHE BAUELEMENTEVORRICHTUNG MIT EINEM ÜBERSPANNUNGSSCHUTZ UND VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINER OPTOELEKTRONISCHEN BAUELEMENTEVORRICHTUNG
    4.
    发明申请
    OPTOELEKTRONISCHE BAUELEMENTEVORRICHTUNG MIT EINEM ÜBERSPANNUNGSSCHUTZ UND VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINER OPTOELEKTRONISCHEN BAUELEMENTEVORRICHTUNG 审中-公开
    亚光电子部件用一种生产光电子器件器件的浪涌保护和方法的装置

    公开(公告)号：WO2013174919A1

    公开(公告)日：2013-11-28

    申请号：PCT/EP2013/060617

    申请日：2013-05-23

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： BAADE, Torsten ,  SORG, Jörg

    IPC: H01L33/62 ,  H05K1/02 ,  H01L33/48

    CPC classification number: H01L23/60 ,  H01L23/58 ,  H01L27/0296 ,  H01L33/40 ,  H01L33/48 ,  H01L33/52 ,  H01L33/62 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2933/0016 ,  H01L2933/0033 ,  H01L2933/0066 ,  H01T1/12 ,  H02H1/00 ,  H02H1/0007 ,  H02H3/20 ,  H02H3/205 ,  H05K1/026 ,  H05K2201/10106

    Abstract: Optoelektronische Bauelementevorrichtung (900, 1010, 1100), aufweisend: eine erste Elektrode (504, 604, 706, 902) und eine zweite Elektrode (510, 612, 704, 904) ein erstes optoelektronisches Bauelement (506, 606, 708) das mit der ersten Elektrode (504, 604, 706, 902) und der zweiten Elektrode (510, 612, 704, 904) elektrisch gekoppelt ist; und einen ersten elektrisch leitfähigen Abschnitt (102), der mit der ersten Elektrode (504, 604, 706, 902) elektrisch gekoppelt ist und ein zweiter elektrisch leitfähiger Abschnitt (104), der mit der zweiten Elektrode (510, 612, 704, 904) elektrisch gekoppelt ist; wobei der erste elektrisch leitfähige Abschnitt (102) und der zweite elektrisch leitfähige Abschnitt (104) elektrisch parallel zum ersten optoelektronischen Bauelement (506, 606, 708) geschaltet ist; und wobei der erste elektrisch leitfähige Abschnitt (102) und der zweite elektrisch leitfähige Abschnitt (104) derart relativ zueinander angeordnet (300) und relativ zueinander eingerichtet (200) sind, dass ab einer über dem ersten leitfähigen Abschnitt (102) und dem zweiten leitfähigen Abschnitt (104) anliegenden Ansprechspannung, eine Funkenstrecke (100, 908) zwischen dem ersten leitfähigen Abschnitt (102) und dem zweiten leitfähigen Abschnitt (104) ausgebildet wird; wobei die Ansprechspannung als Wert einen Wert aufweist, der größer als der Wert der Schwellenspannung des ersten optoelektronischen Bauelementes(506, 606, 708) und kleiner oder gleich als der Wert der Durchbruchspannung des ersten optoelektronischen Bauelementes (506, 606, 708) ausgebildet ist.

    Abstract translation: 光电器件装置（900，1010，1100），包括：第一电极（504，604，706，902）和第二电极（510，612，704，904），第一光电器件（506，606，708），其与 所述第一电极（504，604，706，902）和第二电极（510，612，704，904）电耦合; 和连接到所述第一电极（504，604，706，902）的第一导电部分（102）电耦接，以及第二导电部分（104）（与第二电极510，612，704，904 ）电耦合; 被连接到所述第一导电部分（102）和第二导电部分（104）电平行于所述第一光电部件（506，606，708）; 和（300）和相对于彼此布置成与所述第一导电部分（102）和第二导电部分（104）布置成相对于彼此（200），其和第二导电从一个到所述第一导电部分（102） 部（104）抵接的响应电压，火花间隙（100，908）在所述第一导电部分（102）之间形成与所述第二导电部（104）; 其中所述工作电压具有其上形成的值的值比所述第一光电部件（506，606，708）的击穿电压的值大于所述第一光电部件（506，606，708）的阈值电压的值和等于或小于。

    OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERCHIP, OPTOELEKTRONISCHES HALBLEITERBAUELEMENT UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES OPTOELEKTRONISCHEN HALBLEITERBAUELEMENTS
    5.
    发明申请
    OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERCHIP, OPTOELEKTRONISCHES HALBLEITERBAUELEMENT UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES OPTOELEKTRONISCHEN HALBLEITERBAUELEMENTS 审中-公开
    光电子半导体芯片，光电半导体器件及其制造方法的光电子半导体器件

    公开(公告)号：WO2012156514A1

    公开(公告)日：2012-11-22

    申请号：PCT/EP2012/059278

    申请日：2012-05-18

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  EISERT, Dominik ,  BAADE, Torsten ,  ZITZLSPERGER, Michael

    Inventor： EISERT, Dominik ,  BAADE, Torsten ,  ZITZLSPERGER, Michael

    IPC: H01L33/44 ,  H01L33/50 ,  H01L33/60 ,  H01L33/48

    CPC classification number: H01L33/502 ,  H01L33/06 ,  H01L33/28 ,  H01L33/32 ,  H01L33/44 ,  H01L33/486 ,  H01L33/50 ,  H01L33/505 ,  H01L33/52 ,  H01L33/56 ,  H01L33/60 ,  H01L33/62 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48471 ,  H01L2224/48479 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/181 ,  H01L2933/0041 ,  H01L2933/0058 ,  H01L2933/0066 ,  H01L2933/0091 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/4554

    Abstract: Es werden ein optoelektronischer Halbleiterchip, ein optoelektronisches Halbleiterbauelement und ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauelements angegeben. Gemäß einem Aspekt weist der optoelektronische Halbleiterchip (1) einen Halbleiterkörper (10), der zur Emission von Primärlicht ausgebildet ist, und ein Lumineszenzkonversionselement (20), das zur Emission von Sekundärlicht mittels Wellenlängenkonversion zumindest eines Teils des Primärlichts ausgebildet ist, auf. Das Lumineszenzkonversionselement (20) weist insbesondere ein erstes Plättchen (21) und ein zweites Plättchen (22) auf. Das erste Plättchen (21) ist an einem ersten Teilbereich (1011) einer zur Abstrahlung von Primärlicht vorgesehenen Außenfläche (101) des Halbleiterkörpers (10) befestigt und lässt einen zweiten Teilbereich (1012) dieser Außenfläche (101). Das zweite Plättchen (22) ist an einer von dem Halbleiterkörper (10) abgewandten Oberfläche des ersten Plättchens (21) befestigt und von dem Halbleiterkörper (10) beabstandet. Das erste Plättchen (21) ist für die Primärstrahlung zumindest teilweise durchlässig ausgebildet. Ein Abschnitt des zweiten Plättchens (22) überdeckt zumindest den zweiten Teilbereich (1012). Zumindest der Abschnitt des zweiten Plättchens (22) ist für die Primärstrahlung absorbierend und/oder reflektierend und/oder streuend ausgebildet.

    Abstract translation: 给出的光电子半导体芯片，光电子半导体器件和用于制造光电子半导体部件的方法。 在一个方面，所述光电子半导体芯片（1）的半导体主体（10），其被设计成发射一次光，并且其被设计为通过在所述初级光的至少一部分的波长转换到发射二次光的发光转换元件（20）。 特别地，发光转换元件（20）具有一第一板（21）和第二板（22）。 在预期的用于发射固定半导体本体（10）的一次光的外表面（101）的第一部分（1011）的第一板（21）和离开该外表面（101）的第二部分（1012）。 所述第二板（22）安装在面向所述第一板（21）的表面离开所述半导体主体（10）中的一个和所述半导体主体（10）的间隔开。 所述第一板（21）被设计为初级辐射至少部分可渗透的。 第二板（22）的部分覆盖至少所述第二部分（1012）。 至少所述第二板（22）的所述部分是用于吸收初级辐射和/或反射和/或散射。

    OPTOELEKTRONISCHES BAUELEMENT
    9.
    发明公开
    OPTOELEKTRONISCHES BAUELEMENT 有权
    光电组件

    公开(公告)号：EP2593526A1

    公开(公告)日：2013-05-22

    申请号：EP11745714.3

    申请日：2011-07-08

    Applicant: OSRAM Opto Semiconductors GmbH

    Inventor： GROSSE, Kristin ,  BAADE, Torsten

    IPC: C09K11/61 ,  C09K11/59 ,  C09K11/62 ,  H01L33/50

    CPC classification number: H01L33/502 ,  C09K11/0883 ,  C09K11/7731 ,  C09K11/7734 ,  H01L33/26 ,  H01L33/50 ,  H01L33/56 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/00014

    Abstract: The optoelectronic component (1000) has a semiconductor chip (40) and a phosphor (44) at least partly surrounding the semiconductor chip (40). The semiconductor chip (40) emits a primary radiation in the shortwave blue spectral range, with a dominant wavelength of less than about 465 nm. The phosphor (44) converts at least some of the primary radiation into a longer-wave secondary radiation in the green spectral range, with a dominant wavelength of between about 490 nm and about 550 nm. The mixed light formed from primary radiation and secondary radiation has a dominant wavelength at wavelengths of between about 460 nm and about 480 nm. The luminous flux of the mixed light is greater by up to 130% than the luminous flux in the case of an optoelectronic component without phosphor (44) with the same dominant wavelength in the range between 460 nm and 480 nm.

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