公开(公告)号：WO2015040108A1

公开(公告)日：2015-03-26

申请号：PCT/EP2014/069884

申请日：2014-09-18

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： HÄFNER, Norbert ,  FREI, Ulrich ,  GRÖTSCH, Stefan ,  LANG, Kurt-Jürgen

IPC: H01L33/48 ,  H01L25/075 ,  F21S8/12 ,  F21V19/00

CPC classification number: H01L23/544 ,  G01B11/272 ,  H01L21/67259 ,  H01L22/12 ,  H01L25/0753 ,  H01L33/0095 ,  H01L33/483 ,  H01L33/486 ,  H01L2223/54413 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2933/0033 ,  H01L2924/00

Abstract: Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Bearbeiten eines optoelektronischen Bauteils (101), das eine Lichtquelle (103), die zumindest eine von einer oder mehreren lichtemittierenden Dioden gebildete Leuchtfläche (105) aufweist, und eine die Lichtquelle (103) aufnehmende Aufnahmeeinrichtung (107) umfasst, umfassend die folgenden Schritte: Bestimmen (1101) einer Abweichung einer Ist-Lage (115) der Lichtquelle (103) an der Aufnahmeeinrichtung (107) von einer Soll-Lage (113) der Lichtquelle (103) an der Aufnahmeeinrichtung (107), Bilden (1103) zumindest einer Markierung (139) an der Aufnahmeeinrichtung (107), die die Abweichung anzeigt. Die Erfindung betrifft ferner eine Vorrichtung (1201) zum Bearbeiten eines optoelektronischen Bauteils, ein optoelektronisches Bauteil (101), ein Verfahren zum Bestücken eines Trägers mit einem optoelektronischen Bauteil, eine Vorrichtung (1401) zum Bestücken eines Trägers mit einem optoelektronischen Bauteil sowie ein Computerprogramm.

Abstract translation: 本发明涉及一种方法，用于处理的光电子装置（101），其包括具有至少一个从一个或多个发光二极管的发光表面（105）形成的光源（103），以及一个光源（103）接收容器（107） 包括以下步骤：确定（1101）的接收装置（107）在所述光源（103）的实际位置（115）从所述光源（103）在接收设备上（107）的期望位置（113）的偏差， 形成（1103）至少根据表示所述偏差的接收设备（107）上的标记（139）。 本发明还涉及一种用于处理一个光电子部件的装置（1201），光电子器件（101），用于装载载体与光电元件，用于装载载体与光电元件和计算机程序的装置（1401）的方法。

公开(公告)号：WO2015091005A1

公开(公告)日：2015-06-25

申请号：PCT/EP2014/076602

申请日：2014-12-04

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： GRÖTSCH, Stefan ,  HÄFNER, Norbert

IPC: H01L25/075 ,  F21S8/10 ,  H01L25/16 ,  H01L27/15 ,  H01L33/50 ,  H01L33/56 ,  H01L33/60

CPC classification number: F21S41/192 ,  F21S41/141 ,  F21V23/005 ,  F21V23/04 ,  F21Y2101/00 ,  H01L25/0753 ,  H01L25/167 ,  H01L27/156 ,  H01L33/486 ,  H01L33/505 ,  H01L33/56 ,  H01L33/60 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: In mindestens einer Ausführungsform weist das optoelektronische Halbleiterbauteil (1) einen Träger (2) auf. Mehrere aktive Zonen (33) sind an einer Trägeroberseite (23) angebracht und zur Erzeugung von Strahlung eingerichtet. Mindestens drei elektrische Kontaktstellen (4) befinden sich an einer Trägerunterseite (24). Das Halbleiterbauteil (1) weist zumindest eine Ansteuereinheit (5) zum elektrischen Adressieren des Halbleiterbauteils (1) und zu einem elektrischen Ansteuern der aktiven Zone (33) auf. Die aktiven Zonen (33) sind in einem regelmäßigen Raster angebracht, in Draufsicht gesehen. Geometrische Mittelpunkte (P) von Strahlungshauptseiten (30) der aktiven Zonen (33) liegen auf Rasterpunkten des Rasters, mit einer Toleranz von höchstens 20 % eines Rastermaßes. Ein Abstand (D) der geometrischen Mittelpunkte (P) randständiger aktiver Zonen (33) zu einer nächstgelegenen Kante des Trägers (2) beträgt dabei höchstens 60 % des Rastermaßes, in Draufsicht gesehen.

Abstract translation: 在至少一个实施例中，在载体上的光电子半导体器件（1）（2）。 多个有源区（33）被安装在一个载体上侧（23）和布置以产生辐射。 至少三个电触点（4）位于托架基座（24）。 的半导体器件（1）包括至少一个驱动单元（5），用于电寻址所述半导体部件（1）和电动驱动该有源区（33）的。 有源区（33）被安装在一个规则的图案在俯视。 有源区（33）的辐射主侧面（30）的几何中心的点（P）是在光栅的光栅点，具有模块化尺寸不超过20％的公差。 边缘活动区域（33）的几何中心的点（P）的，以所述支撑件（2）的最近边缘的距离（D）等于节距的至多60％，在俯视图中观察。

公开(公告)号：WO2014114486A2

公开(公告)日：2014-07-31

申请号：PCT/EP2014/050141

申请日：2014-01-07

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： HÄFNER, Norbert ,  FREI, Ulrich ,  GRÖTSCH, Stefan ,  HUBER, Rainer

IPC: H05B33/08

CPC classification number: H05B33/0815 ,  B60Q1/1407 ,  H05B33/083 ,  H05B33/0845 ,  H05B33/089 ,  Y02B20/341

Abstract: In mindestens einer Ausführungsform ist das Verfahren zum Betreiben einer Anordnung (1) eingerichtet. Die Anordnung (1) weist N strahlungsemittierende Halbleiterchips (2) auf. Die Halbleiterchips (2) sind in einer elektrischen Serienschaltung angeordnet. Die Anordnung (1) umfasst mehrere Schaltelemente (3), wobei jedem der Halbleiterchips (2) eines der Schaltelemente (3) elektrisch parallel geschaltet ist. Es beinhaltet die Anordnung (1) einer Ansteuereinheit (4) zum voneinander unabhängigen Ansteuern der Schaltelemente (3). Die Anordnung (1) umfasst eine Konstantstromquelle (5) zum Bestromen der Serienschaltung. Bei einem Ausschalten wird der jeweilige, einem Schaltelement (3) zugehörige Halbleiterchip (2) von dem Schaltelement (3) elektrisch überbrückt. Ein Schutzmodul (6) der Anordnung (1) ist dazu eingerichtet, bei einem Ausschalten von einem oder mehreren der Halbleiterchips (2) Stromspitzen zu reduzieren oder zu verhindern.

Abstract translation: 在至少一个实施例中，当建立用于操作装置（1）的方法。 所述装置（1）包括N个发射辐射的半导体芯片（2）。 半导体芯片（2）被布置在电气串联电路。 所述的装置（1）包括多个开关元件（3），其中，每个所述开关元件（3）的半导体芯片（2）的电并联连接。 它包括装置（1）的控制单元（4），用于独立地驱动开关元件（3）。 所述装置（1）包括用于将电流供给到串联电路的恒流源（5）。 在一个关断相应的，开关元件（3）被电桥接相关的半导体芯片（2）的开关元件（3）。 所述装置（1）的保护模块（6）被适配为减少电流尖峰在从一个或多个半导体芯片（2）或以防止断开。

公开(公告)号：WO2015052163A1

公开(公告)日：2015-04-16

申请号：PCT/EP2014/071400

申请日：2014-10-07

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： FREI, Ulrich ,  GRÖTSCH, Stefan ,  HÄFNER, Norbert ,  LANG, Kurt-Jürgen

IPC: H01L33/46 ,  H05K3/34 ,  H05K3/30 ,  H01L33/48 ,  G02B6/42 ,  H01L23/00 ,  H05K13/08

CPC classification number: H01L33/62 ,  H01L24/73 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/92 ,  H01L25/0753 ,  H01L33/486 ,  H01L2224/0212 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05553 ,  H01L2224/1134 ,  H01L2224/14051 ,  H01L2224/14505 ,  H01L2224/17517 ,  H01L2224/73153 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81139 ,  H01L2224/81192 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/81906 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83874 ,  H01L2224/92125 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2933/0066 ,  H05K3/305 ,  H05K3/341 ,  H05K3/3494 ,  H05K2201/10106 ,  H05K2203/048 ,  Y02P70/613 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: Die Erfindung betrifft ein optoelektronisches Bauteil (101, 301, 501, 801), umfassend eine Leuchtdiode (113), eine Aufnahmeeinrichtung (115), an der die Leuchtdiode (113) aufgenommen ist, wobei die Aufnahmeeinrichtung (115) eine Fixierungseinrichtung (119; 125, 505, 803) aufweist, wobei die Fixierungseinrichtung (119; 125, 505, 803) Klebstoff (803) umfasst, um die Aufnahmeeinrichtung (115) auf einen die Aufnahmeeinrichtung (115) tragenden Träger kleben zu können. Die Erfindung betrifft ferner ein Verfahren zum Bearbeiten eines optoelektronischen Bauteils. Die Erfindung betrifft des Weiteren ein Verfahren zum Bestücken eines Trägers mit einem optoelektronischen Bauteil. Die Erfindung betrifft ferner eine Vorrichtung zum Aufnehmen eines optoelektronischen Bauteils.

Abstract translation: 本发明涉及一种光电子器件（101，301，501，801），其包括在其上接收所述发光二极管（113）的发光二极管（113），接收装置（115），所述接收装置（115）的定影装置（119; 125，505，803），其中，所述固定装置（119;粘接剂（125，505，803）803）包括，要能坚持到接收设备（115）至（115轴承）载波的接收装置。 本发明还涉及一种用于处理的光电子器件的方法。 本发明还涉及到用于装载载体与光电部件的方法。 本发明还涉及一种设备，用于接收的光电装置。

公开(公告)号：WO2012045684A1

公开(公告)日：2012-04-12

申请号：PCT/EP2011/067156

申请日：2011-09-30

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  HÄFNER, Norbert ,  BRANDL, Michael

Inventor： HÄFNER, Norbert ,  BRANDL, Michael

IPC: H01L27/15 ,  H05B33/08 ,  B60Q1/14

CPC classification number: H05B37/02 ,  F21S41/155 ,  F21S43/145 ,  F21W2102/00 ,  F21W2103/00 ,  F21W2106/00 ,  F21Y2105/12 ,  F21Y2113/20 ,  F21Y2115/10 ,  H01L27/156 ,  H05B33/0851 ,  H05B33/0854

Abstract: Es wird eine Leuchtvorrichtung angegeben, mit - zumindest einen strahlungsemittierenden Halbleiterchip (10), der zumindest zwei in lateraler Richtung (101) voneinander beabstandet angeordnete Emissionsbereiche (11) aufweist, wobei jeder Emissionsbereich (11) zumindest eine zur Emission von elektromagnetischer Strahlung geeignete aktive Zone (2) umfasst; - eine Ansteuervorrichtung (12) zum Betreiben der Emissionsbereiche (11), wobei - die Emissionsbereiche (11) getrennt voneinander elektrisch betreibbar sind, und - die Ansteuervorrichtung (12) dazu eingerichtet ist, jeden Emissionsbereich (11) in Abhängigkeit von zumindest einer der folgenden Bedingungen getrennt von den verleibenden Emissionsbereichen anzusteuern: Betriebsdauer des Emissionsbereichs (11), vorgebbare Mindestintensität der vom Emissionsbereich (11) emittierten elektromagnetischen Strahlung, Erreichen einer maximalen Betriebstemperatur des Halbleiterchips (10), Intensität der von dem Halbleiterchip (10) zu emittierenden elektromagnetischen Strahlung, Lichtstärkenverteilung entlang einer Leuchtfläche des strahlungsemittierenden Halbleiterchips, Lichtstärkenverteilung entlang eines von der Leuchtvorrichtung (100) zu beleuchtenden Objekts.

Abstract translation: 提供了一种照明装置，包括： - 至少一个发射辐射的半导体芯片（10），间隔开的至少两个在横向方向（101）间隔开的发光区域（11），每个所述发射区域（11）的至少一个适于发射电磁辐射活性区 （2）; - 驱动装置（12），用于操作所述发射区（11），其中， - 所述发射区域（11）彼此分开的电操作，以及 - 控制装置（12）是响应适应每个发射区域（11）与下列中的至少一个 从verleibenden发射区域分别驱动条件：发射区域（11）的发射的运行时间，电磁辐射的发射区域（11）的预设置的最小强度，用于发射电磁辐射到达半导体芯片的最高工作温度（10），强度与半导体芯片（10）的， 沿着发射辐射的半导体芯片的发光面的光强度分布，沿（100）中的发光器件的一个发光强度分布被照明对象。

公开(公告)号：EP2625715A1

公开(公告)日：2013-08-14

申请号：EP11770726.5

申请日：2011-09-30

Applicant: OSRAM Opto Semiconductors GmbH

Inventor： HÄFNER, Norbert ,  BRANDL, Michael

IPC: H01L27/15 ,  H05B33/08 ,  B60Q1/14

CPC classification number: H05B37/02 ,  F21S41/155 ,  F21S43/145 ,  F21W2102/00 ,  F21W2103/00 ,  F21W2106/00 ,  F21Y2105/12 ,  F21Y2113/20 ,  F21Y2115/10 ,  H01L27/156 ,  H05B33/0851 ,  H05B33/0854

Abstract: A luminous device is specified, comprising - at least one radiation-emitting semiconductor chip (10) having at least two emission regions (11) arranged in a manner spaced apart from one another in a lateral direction (101), wherein each emission region (11) comprises at least one active zone (2) suitable for emitting electromagnetic radiation; - a drive device (12) for operating the emission regions (11), wherein - the emission regions (11) are electrically operable separately from one another, and - the drive device (12) is designed to drive each emission region (11) separately from the remaining emission regions in a manner dependent on at least one of the following conditions: operating duration of the emission region (11), predeterminable intensity of the electromagnetic radiation emitted by the emission region (11), attainment of a maximum operating temperature of the semiconductor chip (10), intensity of the electromagnetic radiation to be emitted by the semiconductor chip (10), light intensity distribution along a luminous area of the radiation-emitting semiconductor chip, light intensity distribution along an object to be illuminated by the luminous device (100).

Abstract translation: 发光器件包括至少一个辐射发射半导体芯片，其包括在横向上间隔布置的至少两个发射区域，其中每个发射区域包括发射电磁辐射的至少一个有效区域; 以及操作发射区域的驱动装置。