公开(公告)号：DE102018112586A1

公开(公告)日：2019-11-28

申请号：DE102018112586

申请日：2018-05-25

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： KATZ SIMEON ,  HUPPMANN SOPHIA ,  HÖNLE MICHAEL ,  WAGNER THORSTEN ,  HINGERL KURT DR

IPC: H01L21/58 ,  H01L23/485 ,  H01L25/16 ,  H01L27/00 ,  H01L33/00

Abstract: Es wird ein Bauelement (10) mit einem ersten Bauteil (1) und einem zweiten Bauteil (2) angegeben, bei dem das erste Bauteil eine erste Isolierungsschicht (11), eine Mehrzahl von ersten Durchkontakten (1D) und eine bereichsweise strukturierte Kontaktschicht (1K) aufweist, wobei die ersten Durchkontakte jeweils von der ersten Isolierungsschicht lateral umschlossen sind und die erste Kontaktschicht die erste Isolierungsschicht teilweise und die ersten Durchkontakte vollständig bedeckt. Das zweite Bauteil weist eine zweite Isolierungsschicht (21), eine Mehrzahl von zweiten Durchkontakten (2D) und eine bereichsweise strukturierte zweite Kontaktschicht (2K) auf, wobei die zweiten Durchkontakte jeweils von der zweiten Isolierungsschicht lateral umschlossen sind und die zweite Kontaktschicht die zweite Isolierungsschicht teilweise und die zweiten Durchkontakte vollständig bedeckt. Des Weiteren ist eine mechanische und elektrische Verbindung zwischen den Bauteilen an den Kontaktschichten (1K, 2K) gebildet, wobei die Verbindung auf Van-der-Waals-Wechselwirkungen basiert.Außerdem wird ein Verfahren zur Herstellung eines solchen Bauelements angegeben.