公开(公告)号：TW201732870A

公开(公告)日：2017-09-16

申请号：TW105139439

申请日：2016-11-30

Applicant: 歐司朗光電半導體公司 ,  OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： 荷普曼索菲亞 ,  HUPPMANN SOPHIA ,  凱茲西蒙 ,  KATZ SIMEON ,  詹格馬克斯 ,  ZENGER MARCUS ,  史戈茲多米尼克 ,  SCHOLZ DOMINIK

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/822

CPC classification number: H01L33/0079 ,  H01L33/22 ,  H01L33/382 ,  H01L33/62 ,  H01L2933/0033

Abstract: 本發明提供一種用於生產複數個組件之方法，包括下列步驟：- 提供複合載板(10)，該複合載板(10)含有基板本體(13)及包括平坦的連接表面(11)；- 提供複合晶圓(200)，該複合晶圓(200)含有複合半導體本體(20)及包括平坦的接觸表面(31)；- 連接該複合晶圓至該複合載板，用於形成該複合載板及該複合晶圓之複合物，其中該平坦的接觸表面及該平坦的連接表面是接合用以形成該接合邊界表面(1131)；- 減少該複合物中的內部機械應力，其中該複合載板之材料在某位置處移除；以及- 將該複合物切單成為複數個組件。 再者，本發明提供組件，該組件尤其可以藉由此類的方法而生產。

Abstract in simplified Chinese: 本发明提供一种用于生产复数个组件之方法，包括下列步骤：- 提供复合载板(10)，该复合载板(10)含有基板本体(13)及包括平坦的连接表面(11)；- 提供复合晶圆(200)，该复合晶圆(200)含有复合半导体本体(20)及包括平坦的接触表面(31)；- 连接该复合晶圆至该复合载板，用于形成该复合载板及该复合晶圆之复合物，其中该平坦的接触表面及该平坦的连接表面是接合用以形成该接合边界表面(1131)；- 减少该复合物中的内部机械应力，其中该复合载板之材料在某位置处移除；以及- 将该复合物切单成为复数个组件。 再者，本发明提供组件，该组件尤其可以借由此类的方法而生产。

公开(公告)号：DE102016113002A1

公开(公告)日：2018-01-18

申请号：DE102016113002

申请日：2016-07-14

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： HIRMER MARIKA ,  HUPPMANN SOPHIA ,  KATZ SIMEON

IPC: H01L33/10 ,  H01L33/08

Abstract: Es wird ein Bauelement mit einem Substrat (1), einem ersten Halbleiterkörper (2), einem zweiten Halbleiterkörper (4) und eine erster Übergangszone (3), wobei eine erste aktive Schicht (23) des ersten Halbleiterkörpers zur Erzeugung elektromagnetischer Strahlung erster Peakwellenlänge eingerichtet ist und eine zweite aktive Schicht (43) des zweiten Halbleiterkörpers zur Erzeugung elektromagnetischer Strahlung zweiter Peakwellenlänge eingerichtet ist. Die erste Übergangszone ist in vertikaler Richtung zwischen dem ersten Halbleiterkörper und dem zweiten Halbleiterkörper angeordnet und grenzt unmittelbar an den ersten sowie an den zweiten Halbleiterkörper an. Die erste Übergangszone weist ein strahlungsdurchlässiges und elektrisch leitfähiges Material auf, sodass der erste Halbleiterkörper über die erste Übergangszone mit dem zweiten Halbleiterkörper elektrisch leitend verbunden ist. Außerdem weist die erste Übergangszone eine strukturierte Hauptfläche (301, 302) und/oder eine erste teilweise transparente und teilweise wellenlängenselektiv reflektierende Spiegelstruktur (33) auf. Des Weiteren wird ein Verfahren angegeben, das zur Herstellung eines hier beschriebenen Bauelements besonders geeignet ist, bei dem der erste und der zweite Halbleiterkörper insbesondere mittels Direktbondens mechanisch und elektrisch miteinander verbunden werden.

公开(公告)号：DE112015000938A5

公开(公告)日：2016-12-22

申请号：DE112015000938

申请日：2015-02-16

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： LELL ALFRED ,  TAEGER SEBASTIAN ,  HUPPMANN SOPHIA

IPC: H01S5/028

公开(公告)号：DE102018103169A1

公开(公告)日：2019-08-14

申请号：DE102018103169

申请日：2018-02-13

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： KATZ SIMEON ,  HUPPMANN SOPHIA

IPC: H01L33/38 ,  H01L21/28 ,  H01L33/44 ,  H01L33/62 ,  H01S5/00

Abstract: Es wird ein Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements (10) angegeben, bei dem eine Halbleiterschichtenfolge (2) auf einem Aufwachssubstrat (1) hergestellt wird und eine Siliziumoxidschicht (3) auf die Halbleiterschichtenfolge (2) aufgebracht wird. Das Verfahren umfasst das Aufbringen einer ersten Metallschicht (4a) aus Gold, Platin, Kupfer oder Silber auf die Siliziumoxidschicht (3), das Bereitstellen eines Siliziumsubstrats (5) und Aufbringen einer zweiten Metallschicht (4b), die aus dem gleichen Material wie die erste Metallschicht (4a) gebildet ist, auf das Siliziumsubstrat (5), das Verbinden der Halbleiterschichtenfolge (2) mit dem Siliziumsubstrat (5) durch direktes Bonden der ersten Metallschicht an die zweite Metallschicht bei einer Temperatur im Bereich zwischen 150 °C und 400 °C, und das Ablösen des Aufwachssubstrats (1) von der Halbleiterschichtenfolge (2). Weiterhin wird ein mit dem Verfahren herstellbares Halbleiterbauelement (10) angegeben.

公开(公告)号：DE102015121056A1

公开(公告)日：2017-06-08

申请号：DE102015121056

申请日：2015-12-03

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： HUPPMANN SOPHIA ,  KATZ SIMEON ,  ZENGER MARCUS ,  SCHOLZ DOMINIK

IPC: H01L21/58 ,  H01L21/302 ,  H01L31/02 ,  H01L33/38

Abstract: Es wird ein Verfahren zur Herstellung einer Mehrzahl von Bauelementen mit folgenden Schritten angegeben: – Bereitstellen eines Trägerverbunds (10), der einen Grundkörper (13) enthält und eine planare Verbindungsfläche (11) aufweist; – Bereitstellen eines Waferverbunds (200), der einen Halbleiterkörperverbund (20) enthält und eine planare Kontaktfläche (31) aufweist; – Verbinden des Waferverbunds mit dem Trägerverbund zur Bildung eines Verbunds aus dem Trägerverbund und dem Waferverbund, indem die planare Kontaktfläche und die planare Verbindungsfläche zur Bildung einer gemeinsamen Grenzfläche (1131) zusammengeführt werden; – Reduzieren von inneren mechanischen Spannungen im Verbund, indem Material des Trägerverbunds stellenweise abgetragen wird; und – Vereinzeln des Verbunds zu einer Mehrzahl von Bauelementen. Des Weiteren wird ein Bauelement angegeben, das insbesondere durch ein solches Verfahren herstellbar ist.

公开(公告)号：DE102014105799A1

公开(公告)日：2015-10-29

申请号：DE102014105799

申请日：2014-04-24

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： KOPP FABIAN ,  HUPPMANN SOPHIA ,  TAEGER SEBASTIAN ,  EICHINGER CHRISTIAN ,  PERZLMAIER KORBINIAN ,  ZULL HERIBERT

IPC: H01L33/42 ,  H01L33/52 ,  H01L51/52

Abstract: Es wird ein Licht emittierendes Halbleiterbauelement (10) angegeben, das eine Halbleiterschichtenfolge (1) mit einem aktiven Bereich (2), der dazu eingerichtet ist, im Betrieb des Halbleiterbauelements (10) Licht zu erzeugen, und eine die Halbleiterschichtenfolge (1) abschließenden Halbleiterschicht (3), eine transparente elektrisch leitende Kontaktschicht (4) auf der abschließenden Halbleiterschicht (3), eine Außenschicht (6) auf der Halbleiterschichtenfolge (1), die einen Kunststoff aufweist, und zumindest eine transparente dielektrische Zwischenschicht (5) zwischen der transparenten elektrisch leitenden Kontaktschicht (4) und der Außenschicht (6) aufweist, wobei die Kontaktschicht (4), die Zwischenschicht(5) und die Außenschicht (6) jeweils einen Brechungsindex aufweisen und der Brechungsindex der Zwischenschicht (5) kleiner als der Brechungsindex der Kontaktschicht (4) und größer als der Brechungsindex der Außenschicht (6) ist.

公开(公告)号：DE102018103431A1

公开(公告)日：2019-08-22

申请号：DE102018103431

申请日：2018-02-15

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： KATZ SIMEON ,  WENDT MATHIAS ,  HUPPMANN SOPHIA ,  ZENGER MARCUS ,  MÜLLER JENS

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/58 ,  H01L21/30 ,  H01L25/075 ,  H01L33/38 ,  H01L33/62

Abstract: Es wird ein Verfahren zur Herstellung einer elektrischen Verbindung zwischen einem ersten Bauteil (1) und einem zweiten Bauteil (2) angegeben, bei dem das erste Bauteil mit einer ersten freiliegenden Isolationsschicht (II) und das zweite Bauteil mit einer zweiten freiliegenden Isolationsschicht (21) bereitgestellt werden, wobei die Isolationsschichten jeweils zumindest eine Öffnung (1IC, 2IC) aufweisen. Die Bauteile werden derart zusammengeführt, dass sich die Öffnung (1IC) der ersten Isolationsschicht und die Öffnung (2IC) der zweiten Isolationsschicht in Draufsicht überlappen, wobei in mindestens einer der Öffnungen (1IC, 2IC) eine Au-Schicht (S1, S2) und eine Sn-Schicht (S1, S2) übereinander angeordnet sind. Die Au-Schicht und die Sn-Schicht werden zur Bildung einer AuSn-Legierung aufgeschmolzen, wobei die AuSn-Legierung nach einer Abkühlung eine Durchkontaktierung (12) bildet, welche das erste Bauteil mit dem zweiten Bauteil elektrisch leitend verbindet. Des Weiteren wird ein Bauelement aus einem ersten Bauteil und einem zweiten Bauteil angegeben, wobei die Bauteile durch eine Durchkontaktierung aus einer AuSn-Legierung miteinander elektrisch leitend verbunden sind.

公开(公告)号：DE102019101544A1

公开(公告)日：2019-07-25

申请号：DE102019101544

申请日：2019-01-22

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： MÜLLER JENS ,  WINNERL ANDREA ,  HUPPMANN SOPHIA ,  PFEUFFER ALEXANDER

IPC: H01L33/36 ,  H01L21/768

Abstract: Ein optoelektronisches Bauelement umfasst einen Halbleiterkörper (2), der eine Schichtenfolge (2.1, 2.2, 3.3) mit einer aktiven Region aufweist; eine auf der Schichtenfolge (2.1, 2.2) angeordnete erste dielektrische Schicht (3.2), die eine Vielzahl von ersten Bereichen und einen zweiten Bereich aufweist. Eine erste Durchkontaktierung (3.2A) ist in jedem ersten Bereich angeordnet, um eine erste Seite der aktiven Region zu kontaktieren, und eine zweite Durchkontaktierung (3.5) ist im zweiten Bereich angeordnet, um eine zweite Seite der aktiven Region zu kontaktieren. Eine leitfähige Schicht (3.1) umfasst eine Vielzahl von ersten Regionen, die gegenüber einer zweiten Region elektrisch isoliert sind, wobei die leitfähige Schicht (3.1) eine im Wesentlichen ebene Oberfläche aufweist und eben auf der Vielzahl von ersten Bereichen und dem zweiten Bereich angeordnet ist, so, dass jede von der Vielzahl von ersten Regionen der leitfähigen Schicht in Kontakt mit der ersten Durchkontaktierung (3.2A) im jeweiligen Bereich von der Vielzahl von ersten Bereichen steht und die zweite Region der leitfähigen Schicht in Kontakt mit der zweiten Durchkontaktierung (3.5) der ersten dielektrischen Schicht (3.2) steht.

公开(公告)号：DE102016101347A1

公开(公告)日：2017-07-27

申请号：DE102016101347

申请日：2016-01-26

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： HUPPMANN SOPHIA ,  SCHOLZ DOMINIK ,  KATZ SIMEON

IPC: H01L21/301 ,  H01L21/58 ,  H01L33/00

Abstract: Es wird ein Verfahren zur Herstellung einer Mehrzahl von Bauelementen (100) angegeben, bei dem ein Trägerverbund (10) mit einem zusammenhängenden Grundkörper (13) und ein Waferverbund (200) mit einem zusammenhängenden Halbleiterkörperverbund (20) und einem Substrat (9) bereitgestellt werden. Der Waferverbund wird mit dem Trägerverbund zur Bildung eines gemeinsamen Verbunds verbunden. In einem nachfolgenden Verfahrensschritt wird eine Mehrzahl von Trenngräben (60) zumindest durch den Grundkörper (13) hindurch zur Bildung einer Rasterstruktur (6) erzeugt, welche die Dimensionen der herzustellenden Bauelemente (100) festlegt. Eine Passivierungsschicht (61) wird derart geformt, dass sie Seitenflächen der Trenngräben (60) bedeckt. Abschließend wird der gemeinsame Verbund vereinzelt, wobei das Substrat (9) von dem Halbleiterkörperverbund (20) abgelöst wird und der gemeinsame Verbund entlang der Trenngräben (60) zu einer Mehrzahl von Bauelementen (100) vereinzelt wird.

公开(公告)号：WO2015124531A2

公开(公告)日：2015-08-27

申请号：PCT/EP2015053218

申请日：2015-02-16

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： LELL ALFRED ,  TAEGER SEBASTIAN ,  HUPPMANN SOPHIA

IPC: H01S5/028

CPC classification number: H01S5/0282 ,  H01S5/02469 ,  H01S5/028

Abstract: The invention relates to a laser diode chip (1) which comprises at least one laser facet (9) with a covering (10). Said covering (10) comprises at least one inorganic layer (14, 15, 16, 17, 18) and at least one organic layer (20, 21, 22).

Abstract translation: 将描述的激光二极管芯片（1），一涂层，该涂层的至少一个激光器端面（9）（10）。 所述涂层（10）包括至少一个无机层（14，15，16，17，18）和至少一个有机层（20，21，22）。