公开(公告)号：WO2022258756A1

公开(公告)日：2022-12-15

申请号：PCT/EP2022/065697

申请日：2022-06-09

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： SORG, Jörg Erich ,  HEINEMANN, Erik ,  SOMERS, André ,  KIPPES, Thomas ,  SCHLEGL, Sebastian ,  HEIDEMANN, Matthias

IPC: H01S3/08 ,  H01S5/14 ,  H01S5/34 ,  H01S5/042 ,  H01S5/40 ,  H01S5/0234 ,  H01S5/22 ,  H01S5/02315 ,  H01S5/04256 ,  H01S5/04257 ,  H01S5/4031

Abstract: Es wird ein Halbleiterchip (LD) mit einer strukturierten Chiprückseite (RS) angegeben, wobei die Chiprückseite zur elektrischen und thermischen Anbindung des Halbleiterchips (LD) eingerichtet ist, wobei der Halbleiterchip (LD) Emitterbereiche (E) aufweist, die zur Erzeugung elektromagnetischer Strahlung (L) eingerichtet sind, und wobei die strukturierte Chiprückseite (RS) Anschlusspads (AP) aufweist, die zur elektrischen Anbindung der Emitterbereiche (E) eingerichtet sind. Die Anschlusspads (AP) sind p-Kontakte oder n-Kontakte, wobei alle entweder als p-Kontakte oder als n-Kontakte ausgeführten Anschlusspads (AP) in Draufsicht jeweils mit mindestens zwei der Emitterbereiche (E) überlappen und jeweils zur elektrischen Anbindung lediglich einer der Emitterbereiche (E) eingerichtet sind. Des Weiteren wird ein Bauelement (100) insbesondere mit mindestens einem solchen Halbleiterchip (LD) angegeben.